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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) c% p1 s7 r* v8 i7 j. i: d) w& k6 c
* U7 s" D9 t* y+ ^, ^6 W
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& @9 c+ Y  ^* p7 n. n) T# \+ m8 M6 J( c
大部分是要match7 W3 h; V. ?; i1 p- k
Metal poly  density  不夠
- f8 o+ K" M5 L. l9 w8 Y加ㄉ那些也較 DUMMY
+ Z. k4 h, z  p1 B" w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! Z# f, o! J* v+ Y% T, z
/ @' M" s# i9 }; {/ w2 l$ ]
; L1 S( _* M) e1 D7 L8 p, n& i( G1 l
    感謝樓上的大大2 h7 x; \, m* x' F2 t$ x( I9 \
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 Q  U: u6 _- u7 l8 B' x6 m; ~$ D2 C5 t  v# Y/ ?$ s
! P4 \! ?% q  |, \
    感謝您回覆的這麼的詳細" g; Z$ e) k, \
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% `' X) K) ~# U7 O. F  n& W( e$ d% @* K% Q& t
不過簡單來說
1 B, l+ [0 `' {4 }2 R0 T& B, {2 S在製程時食刻會破壞掉你的元件+ T3 ^. _5 t! Z5 X
而特性就被損壞, H( |" z. t7 L: v$ Y
% ~& {; q1 V5 L% F# S* h% c: L7 k
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 G. U  P0 ?1 C3 m5 v
所以蝕刻吃他最多
  c& _( n: v- |5 H; M主要部份特性就不會被破壞
7 M% u2 o  @8 i  s( D4 q- K# }( `
! n" g! U8 K' E3 r5 F& Z, g" p5 A: ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 c# v/ ]7 [. x
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 e7 Q0 p+ k6 n. w6 _/ }& L
9 h/ c$ R5 Z" G9 _
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( N  ?5 m$ l! j還有電容也要加2 h$ c) d6 b9 b# b- T5 T9 b2 c
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ a5 b, B) ~2 N+ C/ G9 m
, x) P+ T) h6 D0 E) u( ]! ?
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 b8 A; o0 B( d4 j5 T& z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 M! |7 M! G! a& Q# |$ M: l9 v

& f) m0 s9 f4 P5 v/ m2 I
7 @( |& q% A! a3 {# z8 `4 |  R    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% L5 f* c- J* l* X' g+ F/ ^7 ?3 v3 o$ `0 ^3 \1 t! d8 w3 X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% Y8 d: ~. U4 b2 F8 Q; m

+ u" B0 N$ K4 {  |* O' ?數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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