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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  |7 S7 Y; R% h% J% w# Z3 x7 i4 T) _/ t/ E. u6 B) ^  P: c, a
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 p$ x" y$ y' Y
大部分是要match4 H* W" |/ Y  h' M
Metal poly  density  不夠2 L( l/ [( A9 W. M: G3 H5 I
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 J% t( B) ~+ `! Z# d3 ~
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# C' u3 u1 Q9 \. z- y% n8 P: t# u  \1 j9 a+ q
9 w0 q# |' L4 h  y% `! R
    感謝樓上的大大
! x/ B5 Q5 I; d3 w   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; o; p8 K2 o' U' K( W
" T, y! t( y0 h+ ?  \' {

7 L# I6 S* y& i9 `    感謝您回覆的這麼的詳細3 v7 G4 W1 {% b+ x1 _7 t' [! u' f
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 q: n( J1 P) x9 J6 Y
  I8 z. L* }5 b& {
不過簡單來說# M5 I4 m' W: M' X/ b+ [9 T
在製程時食刻會破壞掉你的元件* ^4 A! T  m) M- r
而特性就被損壞
: k% y: p9 u1 M4 m: ~+ l5 y
, V2 k7 m! G; Q0 M; S( v若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 D) Q9 ]( M& K1 M& F
所以蝕刻吃他最多5 i4 L) [% l+ t3 |. p# a: n
主要部份特性就不會被破壞
9 l8 T  A/ C. a# n8 N
( L3 y7 [% f+ ~  T3 `1 W5 [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 v$ G6 h  j6 o) B8 c" _; p所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  o  G( Y7 `8 T) C

6 _5 r2 {9 V4 [) s" a4 J. b" |又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 @' `: Q5 d- c. F0 C還有電容也要加
5 k7 x* P9 L' A, n4 c( r9 R+ D若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 @( K: @/ U; R5 f# d$ K& C7 i
) W7 g2 h2 x; l! N( [) ^
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ S2 i4 M: R3 r- b) |
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 N+ v+ b- b* A& q5 A; x5 n2 Z4 Y% a
& a: F% u# Q! k* W: C* [
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- n- U2 w/ {, O; |% [8 N1 q4 e9 [9 H: |' U( r" k( \4 l
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??4 j  b3 l7 y2 u, y5 L
- h+ \0 a1 _' t  I) K' F" L" I
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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