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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 Y1 D6 O/ n) o1 H' Y& z+ W
  C% a$ x* E! B+ v. I- _! z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! C# k& e3 c9 A0 e; c* ?大部分是要match& a$ b' i! u- r" J
Metal poly  density  不夠
7 K$ I7 d( a" R7 [加ㄉ那些也較 DUMMY ; g5 M, Y: m! z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 }: I0 a  Z5 @; _+ q2 m3 c

* }9 I0 D6 S2 g- q, S8 s+ X4 k+ I3 S/ ]4 p6 m, f
    感謝樓上的大大, S$ Q8 G+ P0 `9 A7 y+ z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % a6 W/ p; H5 `

: J5 s8 {! i8 K+ p# R4 r; b" B  v: C: W6 x
    感謝您回覆的這麼的詳細5 ]9 c' e- w$ }" N$ U
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 F1 S* l  Q3 Y) |/ D

# s1 H' Q" R6 v6 ?# s: |不過簡單來說( g) M& i5 _3 j: G7 ?3 h
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 V" x9 s6 R* B7 w1 T5 G' ~而特性就被損壞! N' ~: @- Y* M8 Q( \3 F
5 Y0 v$ J. Q7 v
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  N2 M1 x8 X% {2 r' q4 `% [. A
所以蝕刻吃他最多
3 n$ m) q  d& q+ {9 p* \主要部份特性就不會被破壞' u' o- @4 t5 i& t

- @& a5 W2 ~  P  B$ w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' B. }& t& N5 T& F0 O9 t% n
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* K3 z  u# p( e. r* k( B- \

$ l# Y9 N' Z+ H9 s" l; q又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  ]2 @! K$ \8 A
還有電容也要加" T3 t7 C% ]; J
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- F, q' K* v2 \& O) U6 L% x! t1 r8 P! H* q$ h2 o
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 p* z$ c4 D- U7 X7 u# v2 Vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: a5 k* A3 O8 k# M3 M
! M& n4 e' d3 J& h$ j! Q

9 o" K7 k6 R9 ]: w    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ L. w* l+ f5 Y+ i# y1 [

5 \6 u: l3 `" N1 B/ S7 T5 _8 N如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 Q2 X8 f, m! d" c6 @% O

# @/ j5 N" f8 q8 l" Z* j數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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