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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 \4 ^4 x/ N% X$ g9 g$ v* F7 S3 Y5 ]5 g' d. l" m0 m* v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" \4 I6 o, c3 ~& @7 D8 ~: n
大部分是要match
! ]8 c* s) W5 [Metal poly  density  不夠
5 O6 y! y2 P% Q) f* {* x5 p加ㄉ那些也較 DUMMY
1 V$ G3 t( n, y: n3 `把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 o+ g* P. y2 M: x6 O
: e% d* v. y( a& v' R' v* s

9 V$ b* I6 ]+ R1 Y! f2 U- X    感謝樓上的大大
- `4 N# q. K" q8 A$ n; l3 |   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - g+ z3 a3 F) Q. h1 Y4 r

3 P! |; @8 t) S9 V7 T& C4 |0 `8 B7 D# t7 B. F/ A& h0 t
    感謝您回覆的這麼的詳細$ q) J  K- n9 ]( D+ o, ?; Y
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( _2 N1 ?) a' q3 h( E9 d8 J9 g

: Q5 S8 c! d$ ~1 U不過簡單來說' s! F% z  W3 P, g3 k& `
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 Q5 V5 P# S& X  o: T- K而特性就被損壞
  N% ]% F, V0 [
$ p* ~$ c  o; D% M( L9 z5 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 t" C) ^1 x7 L0 I
所以蝕刻吃他最多
7 G! i! |% W/ P/ V, W主要部份特性就不會被破壞) J$ O2 s* I/ [& z) x
, {. k5 z& G% g/ V1 S
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, @- Y5 x5 R1 \1 ^所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; i2 Y# y* E: S& ?7 K3 V" g8 B# e1 C/ [5 ]0 |
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 y/ L: q  `$ o" C0 B' @
還有電容也要加
& z5 p& s  Z6 D若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 M: u* |% x( c& c. A  Q
' H) f6 n! z! [3 r+ g1 o
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 M- `0 J2 N# H3 a, Rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 V7 s- Q  |0 s# |. `% R% v" k" K% k4 j* G

  s; i' J' M- m5 o' D2 E    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 K" o4 i' s* x# O- z2 F1 l* X4 ^/ w+ J
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 E/ \7 ?- a: ~5 M: r
+ A3 c, i' ~# M
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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