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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 v. T2 ~1 T9 D9 X% h/ x/ S! S: u9 a

* c$ q8 r, _8 E, {( ~! upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 \' I% J( `/ B
大部分是要match
0 U9 Q% O+ o* [Metal poly  density  不夠
5 B1 i; F: M2 W加ㄉ那些也較 DUMMY % r+ |+ `) F  @8 j. Q0 x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 b7 Y, a9 M5 [
8 t. a) e  |% a) D
9 Q7 b+ u1 W$ F2 c3 o, W    感謝樓上的大大) n& |- W2 g1 \+ L( O% y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 q( k5 U5 C/ G2 g! h* }( F- ~+ j' K2 Z$ J4 {

2 \: U+ \, J; Q3 ]    感謝您回覆的這麼的詳細
' N; Y0 g" Y; s7 ], @' T; O! n您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ e+ s8 x. o" j0 C1 J

8 i) ]9 J- J: {; S8 X" ?不過簡單來說7 h* ]6 u# z# L" r
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: n$ z  N: W/ f而特性就被損壞5 A* q: i" o8 M
0 D+ V. ]. }3 y6 f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- ?' m3 O+ g# |$ I! d9 v所以蝕刻吃他最多/ n% }: e2 {: B
主要部份特性就不會被破壞
6 Z5 a- p8 {7 k) d: E0 \2 [( U% @! W: f% @6 Z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( Q$ E/ n; S; A) y8 S
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# z- b, ~8 k  g/ d+ `' b# W
9 P: `4 J* @8 L1 V! f) L! j6 v
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  y9 O9 e+ _* I/ e
還有電容也要加  E. r* k6 V* F8 _4 n8 b' A9 {
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! V! {% Y) g8 I7 [* w* V1 K  T8 R" N* F5 {
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ b0 U' r  R7 S: v1 c* x4 H+ Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 X. R- k) B2 F) Z3 }9 y! i
* v3 F  I9 q9 b& ^/ v
" u, }" `, d) g2 R! `+ u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ T  p- t7 f% p, P* `2 L& ?0 y7 l0 s( X5 V+ J/ n4 X$ K$ D
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 p; |2 O, C$ c" x/ T
3 K  [, J0 H* |2 V# N數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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