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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
# `' z( J) n, n" h2 F6 d2 z  o& P工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
; V% }3 g3 W. p6 X. g一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，" B3 r, A2 G8 D# v5 M" c
激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝  R( |& `& X2 r' y
. [& q3 f' e( z$ m- G
簡單說一下我的心得，. k  x. e8 F! u+ w9 |' L
1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流
& a) C8 H0 ?. F$ L) y   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE% s+ s, N8 v& H  D3 E. S0 @% K
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron# r2 |7 d/ M1 U
3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
% p: u5 ~) y9 O8 J) g9 i" q) U! e# ^
那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法6 [+ P8 [9 k4 {
: }# Y" w2 _) E7 f; R8 E
那種比較好... 我也不清楚哩!! s. w5 Q. v9 G! o0 x( f4 O
shangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM

# U/ d; Y- i& L0 u& C: a1 ^/ @/ n1 u+ W9 m# k1 ?

+ W2 w2 J- c$ i    我也想知道那一個比較好
/ q5 P, ?1 v0 Z& n6 M% C   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~# ?8 u- z. V* A1 k1 ?
相同製程不家的MOS的參數變化不一~9 v7 G8 D" |! G/ p) v
即代表I-V CURRENT
. R. o6 c2 r9 E8 _$ C6 o所以我覺得好像不是看畫法! b& d) Q% _: A' u0 Z& i
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
+ J6 O" C) y. }0 E, y4 R% y! w# o  m+ S- _9 Q
呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu + Y$ Z, k# r7 W. G2 ]
+ v- O# s. j$ E  t
這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!
; r) P$ F( l7 l6 A. q& l0 L可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj # ]& Q0 X! ~( v/ j
; [7 \" ?0 G4 H: @4 u3 I5 Q
6 ^( N( i* T/ A+ I' s' |
    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?
+ W: L. R  y/ o感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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