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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS* c) t) n1 L) J8 B4 R
工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
/ y- u; b4 p' @9 p8 j% |7 F( Q  P/ k一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，1 }- }8 `1 H* M# p! ~/ a: ~+ s
激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝
4 t. ]: S" H' d. x9 o
* ^/ z# L" R2 k簡單說一下我的心得，- w, E# u2 {1 y* N# S
1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流. ]" k; E% I. K+ U- j
   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE8 Z/ Z0 k. J7 s1 z! I5 u' A- o6 ]+ n
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron
  n% M* o7 t9 o* Z8 Q3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
0 Y+ E) e. z# z; D& D: v2 i, S9 A/ o' l
那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法0 p# P8 _+ n- h+ ~
6 T! i/ i+ X9 c
那種比較好... 我也不清楚哩!
, b5 x1 o7 K+ E- N5 m+ f- kshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM

$ d9 w& k" d* r1 x# z, p( Z6 c' o
3 [; H$ b' T1 t7 c$ Y  s' i
    我也想知道那一個比較好4 d3 k1 U/ S; Y8 a8 n6 ^& [: O
   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~4 E1 U  A' m  l* r; j4 [% x
相同製程不家的MOS的參數變化不一~
* D$ s2 O" W* g1 ~* Q( e) v5 [即代表I-V CURRENT
% H4 ?) n* U3 w2 U1 z8 r$ |" \4 f$ ?所以我覺得好像不是看畫法0 H! a7 w$ n2 B: b
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
- G; ]4 U; V% r3 {/ X9 K9 ~$ N/ b
, a6 p7 p  J. Y# E; e; s$ a呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu ) p# S4 ?0 q" {' Q9 x* P6 U' X
! Z+ G3 N7 K* q9 q: ?
這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!0 |* D! Y. W1 T: }9 t) G2 K* x% |
可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj
/ j* I2 @  U7 }* Q2 G( \9 N  ~5 \
( I; C) l9 Q% m( P
5 c3 \* F$ I/ `1 W0 R) A6 t    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?  E+ d, K& K4 ?; m. i; w
感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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