有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

semico_ljj

其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！

semico_ljj

回復 8# junxingyu
9 Y! h" T: ^7 s& }6 U# B
$ Q7 b  X& `) @5 J' o8 D這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？

junxingyu

Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD

yuany

学习一下～～～~~~~
1 f, b9 C$ u, R$ ]0 G* \5 T) V
: b; ~, n. O) `  g+ n. ]+ ~; i呵呵

jacky_123

感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

shmiyi

要從製程上研究MOS的變化~~
7 v( U; F& z! ^$ L- X7 |$ s相同製程不家的MOS的參數變化不一~
+ d: L) ~) F1 x3 p6 H, N3 \即代表I-V CURRENT
# w( E( }7 E( M  j) ^所以我覺得好像不是看畫法
要從看MOS的特性去研究~~

腳踏

看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
# v( k1 `. v2 r2 M$ d
那種比較好... 我也不清楚哩!
shangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM

& ~' J% X+ F2 k$ @( Y

! s+ j( e7 C" s" F8 R% \- S    我也想知道那一個比較好
   有人知道嗎

shangyi

看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法

6 r7 l) \0 ?, m# M, F4 ?那種比較好... 我也不清楚哩!

pph_cq

我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。