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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

  [複製鏈接]
21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....
5 y- d- l1 t+ J  b5 J* I1 r感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...' _- G: h- B8 ^1 ~3 e2 N$ L
通常都是以接線方便做選擇.... ...& F$ _# r- j7 B* O2 m, G0 z) M
vic 發表於 2012-2-3 07:31 PM

6 \5 X+ ]$ x9 C0 h9 V  g7 H) }4 r. J  V3 [4 I: V" ~% L
6 O1 q! O9 `/ R3 Z. b' S
我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.
% k/ R7 N+ H% _" e4 w; B
. Q- @, T. w. _  Y( s' r一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧
. S& m* K8 S/ {% V0 `想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic
1 S9 [2 T3 D$ E6 L( T; c; t/ c2 o0 ]1 j/ j
/ ~+ j( F2 t- v
    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:
) T" ~7 T& F8 D8 Z* I9 ^, G, ILAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?
1 Q6 U1 t! \8 [例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。
1 a9 @/ H! d. j. N一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好
7 J9 n1 j) p2 F3 F( I9 }
8 ?! i! E; ]7 H2 f9 f$ `但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿" i3 X( Z# q- f7 \" [/ Q% `6 r) W

2 K: x0 T3 T/ u這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好
7 V+ y& ?2 t* S. p+ c電流比較會流過
* O1 f6 `. c& g# m9 D; a
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!
# G/ G: C1 q9 C9 G9 Y( @" w6 Z* H謝謝妳無私的分享!!!
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