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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

  [複製鏈接]
21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....2 O" C1 r% p5 ]5 a2 T
感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...
0 k# Z- ~1 U1 d0 Z  d/ h9 Y通常都是以接線方便做選擇.... ...6 f7 r1 v$ G. Z3 ?5 |* h$ r/ G- Y' i
vic 發表於 2012-2-3 07:31 PM

4 s# [1 p3 m2 d- e4 ~3 Q& ?; Q
5 z, @/ v5 t8 H( _; O9 y9 i
8 J8 }. k' r. W  t1 s# M 我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.
' U& k1 K* l/ j* @8 z7 A" \! X8 I; f& {. q. p0 d; b
一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧
& Y: P2 f" H: R! T' h想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic
4 v" d+ `- F$ ?3 y6 x: V$ v1 w3 h. P, E  U
- Z5 n7 f4 ^& f' ?" _
    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:
9 v" B, F0 f7 J" w5 c; DLAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?
2 I# j' b- i; e例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。1 u, r) [; a9 w! w
一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好
' X, |( q2 P$ e/ p4 g9 X
8 h$ B! Z/ l7 w5 I8 R  h但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿
4 t" d! h, l9 h$ w% f) {& X$ z; X+ t  A5 B0 v1 r$ x
這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好0 n8 G5 y; ]- K1 @
電流比較會流過+ k- {$ Q7 {: G7 ?/ N
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!+ R- t: R( T3 h
謝謝妳無私的分享!!!
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