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Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits

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1#
發表於 2010-6-25 08:49:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits6 k6 {/ {. L$ p0 O3 u8 I
2 j" D' ^2 v! |& w7 v5 x( ]7 c
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2#
 樓主| 發表於 2010-6-25 08:50:33 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has/ \4 D4 X" r3 w( l3 I. D2 y
been widely used as an effective on-chip ESD protection device at, i" x# q+ u' d. g, t
GHz RF and high-speed I/O pads due to the small parasitic
: F8 [7 d! z4 d) Z/ d. hloading effect and high ESD robustness in CMOS integrated
! X" |8 t2 z% e  l8 v4 J. p: pcircuits (ICs). This work presents new ESD protection diodes0 S; t4 _6 B/ o( Z
realized in the octagon, waffle-hollow, and octagon-hollow layout
8 f% h; z) d$ D% y: B- \( ~3 s+ gstyles to improve the efficiency of ESD current distribution and& b- ^* X& q# j. f
to reduce the parasitic capacitance. The new ESD protection; q: |- f  F& d. w7 H
diodes can achieve smaller parasitic capacitance under the same% c7 t- R; G% `# i* J$ {+ Q. b
ESD robustness level as compared to the waffle diode. Therefore,; E7 t& Z( Z6 A$ x& c( S* x9 v. \
the signal degradation of GHz RF and high-speed transmission4 y8 b. \2 a& _, @4 ~, Q2 B4 ~
can be reduced due to smaller parasitic capacitance from the new! L, \. V1 |8 p9 F  |
proposed diodes.
3#
發表於 2010-7-28 13:45:45 | 只看該作者
看起來有幫助
3 z8 q- b8 T9 U感謝分享
" Z/ H0 G) m0 N, J4 `# R) ~! U先下載來看看
8 x& O  u& ~$ v* c) T0 Mthank you ~
4#
發表於 2010-8-21 09:55:37 | 只看該作者
下載來看看5 J! n1 @* X1 [3 H( q, p! V" M
下載來看看+ n! {3 i: p) r) E1 j, I6 |
下載來看看  g- w2 \( U, x7 ?* t" U, B/ t2 q
下載來看看
3 V3 \) {* ]8 L& `( I應該有幫助6 C3 M4 O/ s2 }0 {
謝謝囉
5#
發表於 2010-8-24 14:58:33 | 只看該作者
谢谢楼主分享,非常感谢
6#
發表於 2010-9-10 15:49:01 | 只看該作者
看起來有幫助
5 p! T: P' x4 L( ]6 D感謝分享
7#
發表於 2010-9-11 17:00:26 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has6 G& K7 D$ j+ I+ m, S
been widely used as an effective on-c ...
) T6 H7 T! o: n8 K8 q  q( a9 a( Rsemico_ljj 發表於 2010-6-25 08:50 AM
5 r4 @. x# S( B; M9 b
: X4 M8 ?$ d+ U% q( h, u7 C1 v) W; ]
" p- t( R. A: n7 q* D1 L
不知道这种形式的IO有没有经过测试,实际的效果和预想的有多少的差别,thanks!
8#
發表於 2011-6-7 17:02:48 | 只看該作者
正為ESD耐受度傷腦筋----
9#
發表於 2012-3-8 14:19:41 | 只看該作者
thank you very much for your sharing
10#
發表於 2021-8-13 17:43:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~~知識因分享而壯大!' W. j) r. J4 f! v
! X5 Y& k$ d' `& w
~只有站在巨人的肩膀上才不會被食人族吃了!
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