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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。! x+ D% @5 V& l* h. q* }1 F
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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- Y8 v7 \0 T: `. d0 n: ]. S' b四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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2 w/ ~+ p `* }" N* m展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。1 Z" w% @: I" A, y* Z9 p
" M5 _( ~$ I5 z$ AFab 5概況
: v! \" v G; E D- @9 H大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
& @ n1 }* `9 j5 `* @9 m' d+ Z地上建築面積: 約38,000m2 " E3 b: N7 F2 Z1 M
總建築面積: 約187,000m2 - W L. \3 x& r. q# W' y- }
開工時間: 一期:2010年7月
& }7 j# i, b1 ^' Q; \) S. G二期:2013年8月 / X% {5 t: [% ]+ L7 C: }4 Q
完工時間: 一期:2011年5月
' Q9 Y7 y+ \" Y二期:2014年夏(目標)0 F1 i& U. k1 X6 B" X
投產時間: 一期:2011年7月 # Y" [' _ |( R# T o, k' q t
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型( I) i" O+ e! ^' o7 M: C* {
4 B( W; d- S) g& d# f8 K四日市業務部概況 ! V7 ] q8 |. W& p3 E& |
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
% ]( I% i& R3 H- l+ ]成立時間: 1992年1月
3 x& ^9 f' i( p1 Q7 I1 i總經理: Tomoharu Watanabe
3 i5 G- p% O, \$ C2 l員工數量: 約5,200名
" V8 s$ U! E0 }(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 9 l$ i6 W3 @( y* Y
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
; c: A- s8 s) E7 b% w總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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