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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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0 b$ o2 i% u z6 R3 _2 F7 `) w東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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) L: n% c8 u7 y6 t5 u. _6 V四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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: r6 W- N& z2 }展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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2 l/ Y- K' L) V, CFab 5概況
9 w) C4 W0 ]) M# {# _4 V' g大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
# P# m3 K1 [9 a" _0 U/ G地上建築面積: 約38,000m2
3 ]. E- E' d: {$ b/ O, X- V總建築面積: 約187,000m2 # X& a5 \7 ^$ @4 S: q
開工時間: 一期:2010年7月 " O4 m8 p/ ] q
二期:2013年8月
7 B0 ~3 M/ n* K6 c完工時間: 一期:2011年5月 ' m a+ a; T! p" h
二期:2014年夏(目標)
* n+ C3 G5 m, E8 H! [" t1 t投產時間: 一期:2011年7月 3 N# K9 s# L" Z1 N* m6 l. G
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型/ t, O; f W/ Q0 \3 p
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四日市業務部概況 3 ?$ M8 C2 y" K- @% u5 r# r" I$ u
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
% M' C c6 |* R3 x! K& F成立時間: 1992年1月
; [8 V$ C7 ?# f& U: c, `& t總經理: Tomoharu Watanabe 7 a. P( A8 ?" Y% Z- {
員工數量: 約5,200名 : I! F5 s- Z7 q4 J9 L( U
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) " Z) q/ `8 y! I$ v
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) 0 r/ b" Y! _2 R
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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