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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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8 J7 ]3 O( F1 w: U東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。- O$ G1 Z4 g, H0 l* Z' r f
( X; y& {0 m# S5 K" x+ M: z) u1 G4 U四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。' b- D- Z& H# t
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。" l* O: ^7 c" A% s# w6 |
+ X& f5 E* V8 c- ]Fab 5概況
: y- G) f0 Q: ^# |9 b大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
' F& J/ ^/ x4 J/ Y8 ], @: e7 n地上建築面積: 約38,000m2 6 O; W, K( k$ O; v
總建築面積: 約187,000m2
8 z* {5 g" ]9 S2 \5 V開工時間: 一期:2010年7月
* ]" _# ~" a' j: w: p4 ^* K0 A二期:2013年8月
& J8 U+ }8 t# Q7 q# o9 o' d完工時間: 一期:2011年5月 2 z# l/ t) [. d/ a
二期:2014年夏(目標)$ r9 ^+ o/ H3 l
投產時間: 一期:2011年7月
; U% e. e% o: r$ \ W5 c# Y二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型5 G, M; ]' E7 m% r4 M7 q6 R
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四日市業務部概況 ; a- @2 b. m+ r) h* u7 T/ {! O
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
; |3 ^4 S1 u# ?0 J$ `" Y成立時間: 1992年1月
' G6 v- Q% |7 z. }; X ^* u' m k總經理: Tomoharu Watanabe " K k! ?8 H8 X) x8 L% Z- \
員工數量: 約5,200名 . R! y: G5 c0 E
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 1 Z6 K& u2 G& t! O
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) 3 x; c7 Y" b7 y; V- B1 c( K6 ?0 ~
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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