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發表於 2013-8-26 09:19:27
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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。& \) J0 c5 G7 K9 g C. w6 Z
w6 A; e7 q1 G+ T9 r6 e# }東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。% Q _" q7 t; Y5 R6 w9 w) L- e( n
3 _/ T( F* |: H5 z0 L四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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/ q1 O9 k7 k8 H; Y# F; h& o展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。 d( h* M$ _" E4 t( x% Z
7 K3 M6 S& ~+ ^Fab 5概況
, s$ {8 z( K5 e3 U( ?. T& Q% J大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
- P2 _3 p! H1 X B地上建築面積: 約38,000m2
6 b: Q& U" E( V" U4 X6 m1 [總建築面積: 約187,000m2 5 g: u* m* t4 F: T. t& D! r+ j
開工時間: 一期:2010年7月
, [) L& {0 Y# b% ^. P二期:2013年8月
# F3 I" O- E5 r& h1 r' g完工時間: 一期:2011年5月 3 {! \7 o$ d$ P! r$ c
二期:2014年夏(目標)+ s$ l: `! n; F" c3 i" R
投產時間: 一期:2011年7月 3 T5 h) m3 o3 ^0 g/ F% I$ ~
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況
) t- c" A7 j- `位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
6 f8 R$ D+ T @6 ~, d I% q3 N成立時間: 1992年1月
! R9 ^4 w3 u, i總經理: Tomoharu Watanabe 8 d( f0 i9 ^& D: v9 U% G
員工數量: 約5,200名
0 e9 d2 y& Y. }, A# W+ }, O3 ?0 C(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
9 K/ z6 W$ G: C0 ?4 h3 Y5 l場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
- X( |- b. u6 E1 D, V* T7 Z1 g8 E總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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