新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

heavy91

記憶體新世代已經來臨了嗎？
: _) V: }* |/ p# x4 D$ r; X# X0 I
7 H* A" c- _, G: L底下有 工研院 產經中心 產業分析師彭茂榮的分析圖表... 其中各種的中文全名、技術原理，大家都了了嗎？

遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

heavy91

底下有 工研院產經中心產業分析師彭茂榮 指出國內外廠商投入新世代記憶體的兩張現況分析比較表...

遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

atitizz

【新竹訊】ATMI和 Ovonyx兩家公司宣佈，以GST（Germanium Antimony Telluride）為基礎的相變化記憶體（Phase Change Memory）元件商業化，獲得重要進展。這項聯合發展計畫的關鍵成果，使得以GST為基礎的相變化記憶體技術，在量產和成本控制獲得重大突破。
$ W# l" L/ }8 b( @/ j% ^
! G6 _2 k& T  @, t. KPCM （Phase change memory） 在新世代存儲技術中，有潛力取代NOR flash，成為最佳替代方案，並朝著取代新世代DRAM製程的方向邁進。　
0 K) i$ i' V* ^7 m1 |* h1 @& y
, c" [" k" m3 }9 _; J6 ?# D) F, _5 P) s最近研究證實，無孔洞（Void-free Fill） 的填充和優異的電學性能結果。相較於濺射沉積法GST 225，此技術能填充高深寬比的結構，展現極佳的存儲單元的電學性能。各種CVD合金沉積的結果證實，存儲速度小於50奈秒，耐久性 （endurance）介於介於108~1010間，在高於攝氏100度環境下，數據仍可保留10年。
( o6 k2 @4 N2 M. ~6 U( S
3 |; U% _% T. w% T3 E這項最近共同研究所展現出的優異電性成果，將在9月的Electron Device Letters發表。ATMI也會在European/Phase Change and Ovonics Symposium（E/PCOS） 針對CVD製程發佈文獻。

atitizz

ATMI執行副總暨微電子總經理Tod Higinbotham表示，GST-basedPCM有希望取代NOR Flash 和部份DRAM市場，在新存儲技術商業前景看好。在邁向微型化的過程中，面臨的重要挑戰是，缺乏一項CVD製程，能使清除（reset）電流持續降低。
8 ^( t, h# i/ D$ ^
. E$ Q  U; F5 \% w降低清除（reset）電流可使存儲元件的能耗降低，電池壽命延長，提供更高的數據帶寬，這些都是現今可攜式數位消費產品的重要性能指標。
2 S# ?$ F6 d! M* A( ~1 _6 z+ \) |
8 ]" B8 @! w. e  |) K1 `兩家公司計畫將此項技術授權給半導體業者，由ATMI提供前驅材料及相關的沉積技術，來加速高性能的PCM存儲技術商業化的進展。ATMI預期，第四季將此項CVD GST技術在300mm晶片上驗證。

Tyler Lowrey, Ovonyx 總裁暨執行長指出，此成果得以更加優化相變化單元的熱環境，最終結果是，擁有降低編程電流的低成本、高集成度的元件。

4 S. z% X5 k1 m1 J. bATMI與Ovonyx自2008年3月起成為研發夥伴，雙方的合作基礎建立在Ovonyx會提供所有的電學測試晶片和性能分析，以及擁有PCM方面的基本專利。ATMI網址：www.atmi.com ，Ovonyx 網址：www.ovonyx.com。

amatom

DIGITIMES：2011年全球DRAM產能位元成長率達58.8%　製程升級成產能成長的最關鍵因素

- T2 ]9 M, ]- F9 h( ?# s4 U(台北訊)2009年第2季全球景氣在歷經金融海嘯衝擊後自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復同步自谷底走揚。
7 @1 l6 w1 e/ h0 s* @7 h  P: y6 b1 [. A
DIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括台、美、日等DRAM廠即因DRAM價格持續下跌而處於長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計畫外，亦先後採取減產、裁員、關廠等策略因應，為的就是保有手中現金部位。
: M3 k. g# C" P6 |6 E: [
至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計畫，率先將30奈米製程導入量產，並大幅擴充記憶體產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。
. \' l+ P8 }1 Y- {1 a8 q* L
  |) j$ i3 H3 ?9 R柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進製程佔產出比重提高，產能依然出現明顯成長，以65奈米製程升級至50奈米製程，產能即可增加50%，從50奈米製程轉換至40奈米製程，產能將更進一步成長45%。

amatom

依據各DRAM廠所開出產能分析，柴煥欣預估，2010年全球DRAM位元供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位元供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%，2011年DRAM位元供給量大幅成長的原因則來自於先進製程的升級，其次才是來自於產能擴增。

" P9 Q. [/ I7 j包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40奈米製程產能將於2011年大量開出，且先進製程佔營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。
+ m1 Q3 y  ]) b2 b9 r; N

eng626

現在dram的發展真是情何以堪呀!!!!

eng626

回復 1# heavy91

1 G% ~6 @( k. w! E9 s6 d" X- I
/ D' n3 U3 Y0 F3 D    怎麼樣才能看到附件呢???

april.liu

PRAM 。Numonyx已经有商用的产品了，应该是PRAM吧。目前的技术瓶颈在PRAM的温度。

jayfei

以前的電子類雜誌有報導過, 我記得快十年前像零組件雜誌就有講過, 但等真的可以實際用在產品上, 不知要過多久??

sslin

個個有希望, 人人沒把握!

iampxj

dfshjkfghkfgkfgdfxjdfhkcglkvhjlhilgyuhlgyhlfyhofyhuokfyhukfhjkfhjkfhjkhjkfhjk

netbugs

新架構與新技術, 得有新製程來輔佐, 否則, 成本不符經濟效益, 還是只能等待~

foxlin

增廣新知～下載看看！再此感謝分享
+ t5 `7 A8 _5 x3 X增廣新知～下載看看！再此感謝分享

kevin

NOR flash memory faces challenges in channel length scaling and maintaining the drain bias voltage margin necessary to minimize program disturb

jcase

) X" y. R$ r) v9 R: e7 ~; I能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力。
" T. q% p* @. L/ I- i" H8 x" l
8 K1 m9 n# Q' F# D, K【新竹訊】隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升，使得當前全球記憶體市場需求急速擴張，其中又以非揮發性記憶體（non-volatile memory）的快速成長最受關注。
: p& d7 t5 ?: T; ^7 ]
: u. a( e0 J8 k; U能 夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力，具備操作電壓低、快速啟動及讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及 非破壞性讀取等優勢，並且擁有低成本的競爭力，是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體對抗的非揮發性記憶體，RRAM若能商品化，會在不久的將來成 為革命性的記憶體。

工研院研發的高速非揮發性電阻式記憶體具有省電、存取速度快、儲存容量大等特點。在省電的特性上最低可達5微安培的電流及1.5V的低電壓；在存取速度方面只要使用0.3奈秒脈衝即可讓元件正常操作，遠優於一般快閃記憶體並可媲美SRAM。
1 C( U2 J: u7 F3 U
( [; f) g$ @  e此外，藉由多位階的操作，可達成每個記憶單元儲存2個bits，除了可有效提升儲存資料密度，也可縮小面積，降低成本，在200℃的溫度下，資料可儲存10年以上不流失等優異特點，潛在商機極大。

mister_liu

Ramtron開始供應高速串列F-RAM 器件樣品 全新F-RAM記憶體系列為嚴苛的工業控制提供串列周邊介面

" s6 J( L, j  \! |. o世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，已開始供應全新4-至 64Kb串列非揮發性鐵電 RAM (F-RAM)記憶體的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次 (1e12)的讀/寫週期、低功耗和無延遲(NoDelay™ )寫入等特性。
* d) |! A8 h& L% F2 x+ i
FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM記憶體，能夠以高達20MHz的匯流排速度進行寫入操作，並具有產業標準串列周邊介面(SPI)。F-RAM記憶體陣列在接收到資料後，可立即將資料寫入記憶體；不同於需要資料輪詢的EEPROM和其它非揮發性記憶體，F-RAM記憶體可以立即開始下一個匯流排週期。這些特性使得Ramtron最新的串列F-RAM記憶體非常適合需要頻繁和快速寫入的非揮發性記憶體應用，包括工業控制和高速資料記錄等應用。
0 D- A% L9 E% F
關於FM25xxxC系列
; @- X) R9 [" G# l7 {+ e2 V
Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一個串列SPI介面，工作電壓為5V，在-40°C 至 +85°C的整個工業溫度範圍內。此外，FM25xxxC系列產品具有低功耗特性，當時脈速率為1 MHz 時，有效電流約為250 µA。以及複雜的寫入保護機制，可以防止不經意的記憶體資料寫入。全系列器件均採用工業標準的8腳“綠色”且與RoHS相容的SOIC封裝。除FM25xxxC系列之外，Ramtron還提供I2C介面的FM24xxxC系列串列記憶體的樣品，包括4Kb、16Kb和64Kb。

ranica

招聘公司：A famous IC company
招聘岗位：Process Development Engineer
工作地点：Shanghai

6 j0 r% o, [' D! P岗位描述：
Job description and responsibilities: Process integration for XX 65nm and 90nm Flash memory technology development; Overall process flow optimization & key module development; WAT analysis device/cell characterization and EFA/PFA study; In-line trend chart and defect monitoring and analysis; Work with foundry and product engineers to enhance product yield and quality.

8 S* d7 n' R( v6 @职位要求：
Key Competency Requirements: Strong background in semiconductor physics, process and module (etch, plasma physics and advanced cleaning) knowledge and experience; Familiar with FA techniques (e.g. SEM,TEM,FIB) and SPC control; Good communication and interpersonal skills; Team oriented personality Education Required: BS or MS in Electrical Engineering. Physics or Material Science Experience Required: Minimum three years of semiconductor industry experience Fab PIE or module experience preferred

amatom

世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈推出2百萬位元(Mb)高性能串列F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM記憶體中的一員，工作電壓範圍寬，在2.0 - 3.6V之間。FM25V20具有快速存取、無延遲（NoDelay™）寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗等特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串列快閃記憶體和串列EEPROM 記憶體的普適型(drop-in)替代產品，其應用範圍廣泛，包括工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲及計算等應用。

Ramtron市場經理Craig Taylor表示：“FM25V20可為嚴苛的資料收集應用提供更大的非揮發性存儲容量，並為我們現有的V系列F-RAM記憶體客戶提供一個簡便的途徑，以升級到更高密度的解決方案。V系列產品線的擴展可支援我們正在進行中的計畫，提供具有低能耗和高資料完整性的記憶體解決方案，避免了在其它非揮發性記憶體所常見的複雜性、開銷和系統級可靠性等問題。”

關於FM25V20

FM25V20採用先進的鐵電製程，具有達到100萬億(1e14)讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且資料能夠可靠地保存10年。FM25V20採用快速串列周邊介面(SPI)，以40MHz頻率的全速匯流排速率運行。其運行功率低，工作電壓範圍寬，介於2.0V - 3.6V之間，及100µA的典型待機電流及3µA的睡眠模式電流。FM25V20具有串列V系列器件的標準特性，即唯讀器件ID特性，使得主機能夠確定生產廠商、產品密度和產品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內工作，並採用符合RoHS標準的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝。

amatom

關於F-RAM V系列
% m8 g* v3 d/ y
) ^/ A2 e! U1 K4 {- `! cRamtron 公司的V系列F-RAM記憶體產品採用低功耗130nm CMOS生產製程製造，包括串列I2C、串列SPI和並列記憶體。整個V系列F-RAM產品包括以下器件：

V系列串列I2C F-RAM
FM24V10 (1Mb)
        FM24V05 (512Kb)
        FM24V02 (256Kb)
        FM24V01 (128Kb)
( ~- [# K, M" J
, _3 G( A0 J% v7 b4 HV系列串列SPI F-RAM
7 _8 m& A7 c3 P0 n- l* {; }3 m        FM25V20 (2Mb)
  K; S8 s8 r1 k! U" x        FM25V10 (1Mb)
        FM25V05 (512Kb)
! G$ k" s% V0 \( A        FM25V02 (256Kb)
        FM25V01 (128Kb)
- l- `) F0 m8 X$ |0 O$ a* P
- [. {* ~, }, r$ |% wV系列並列F-RAM
FM28V100 (1Mb)
' l# P* k9 W# Q$ _. A        FM28V020 (256Kb)
" f- ]0 z5 W) ~" {+ P
價格和供貨
6 X4 u; O: {- Y, r; |
Ramtron現可供應採用8腳EIAJ SOIC和TDFN封裝的FM25V20樣品，訂購1萬片，起價為每片8.99美元。