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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。/ K% l4 w7 F9 N8 S, d* A3 v
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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( B6 h" q+ B' z- K% R8 J( J四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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- ^2 J% \0 A# {展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。* C! Z& G3 f. T# m* V" I
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Fab 5概況
0 O( ~3 y+ Z% i大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
( @, h$ Y3 c+ d地上建築面積: 約38,000m2
7 n, y3 q6 r+ F* B總建築面積: 約187,000m2 & Q4 h4 K3 e, `( c# x; H4 E. h
開工時間: 一期:2010年7月 ; x0 x; x( e1 g J) H) a; h
二期:2013年8月 ) e3 j4 n/ O- ^1 h3 r) ]
完工時間: 一期:2011年5月 ; g1 X4 _ E8 o& i, G1 g* e2 ]) R
二期:2014年夏(目標)/ D* f Y" Y5 V% x
投產時間: 一期:2011年7月
[. I7 |4 x/ ]二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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; i, h# w* n8 o w0 J4 Y四日市業務部概況 8 s) P$ x; @: `) j# `& t
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
. h0 L" |) q! i4 T$ F" }成立時間: 1992年1月
) e" y( b" j0 W) F( _% c" K; h總經理: Tomoharu Watanabe ; T# t/ G W2 `6 d$ s5 ~- i8 r1 u
員工數量: 約5,200名 . w- _; {' \+ ^# [
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 0 ]5 N/ N2 n3 ]( P6 |% o
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
6 Y* v4 h6 F% D( {, v, S" T E總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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