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記憶體商業化重要進展 ATMI與Ovonyx發表用化學氣相沉積GST相變化
【新竹訊】ATMI和 Ovonyx兩家公司宣佈,以GST(Germanium Antimony Telluride)為基礎的相變化記憶體(Phase Change Memory)元件商業化,獲得重要進展。這項聯合發展計畫的關鍵成果,使得以GST為基礎的相變化記憶體技術,在量產和成本控制獲得重大突破。
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7 T/ y, D7 t R# B0 k( X$ IPCM (Phase change memory) 在新世代存儲技術中,有潛力取代NOR flash,成為最佳替代方案,並朝著取代新世代DRAM製程的方向邁進。
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7 Z: z' a- ~/ P5 G7 }7 X最近研究證實,無孔洞(Void-free Fill) 的填充和優異的電學性能結果。相較於濺射沉積法GST 225,此技術能填充高深寬比的結構,展現極佳的存儲單元的電學性能。各種CVD合金沉積的結果證實,存儲速度小於50奈秒,耐久性 (endurance)介於介於108~1010間,在高於攝氏100度環境下,數據仍可保留10年。, `+ v+ v! D0 b( `& s7 Z% o
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這項最近共同研究所展現出的優異電性成果,將在9月的Electron Device Letters發表。ATMI也會在European/Phase Change and Ovonics Symposium(E/PCOS) 針對CVD製程發佈文獻。 |
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