新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

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DIGITIMES：2011年全球DRAM產能位元成長率達58.8%　製程升級成產能成長的最關鍵因素

(台北訊)2009年第2季全球景氣在歷經金融海嘯衝擊後自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復同步自谷底走揚。
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; ?9 w# p& r: P0 x( [: J' }' VDIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括台、美、日等DRAM廠即因DRAM價格持續下跌而處於長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計畫外，亦先後採取減產、裁員、關廠等策略因應，為的就是保有手中現金部位。
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至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計畫，率先將30奈米製程導入量產，並大幅擴充記憶體產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。

7 r4 L& K% R6 A5 k- S1 T柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進製程佔產出比重提高，產能依然出現明顯成長，以65奈米製程升級至50奈米製程，產能即可增加50%，從50奈米製程轉換至40奈米製程，產能將更進一步成長45%。

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依據各DRAM廠所開出產能分析，柴煥欣預估，2010年全球DRAM位元供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位元供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%，2011年DRAM位元供給量大幅成長的原因則來自於先進製程的升級，其次才是來自於產能擴增。

包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40奈米製程產能將於2011年大量開出，且先進製程佔營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。
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世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈推出2百萬位元(Mb)高性能串列F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM記憶體中的一員，工作電壓範圍寬，在2.0 - 3.6V之間。FM25V20具有快速存取、無延遲（NoDelay™）寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗等特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串列快閃記憶體和串列EEPROM 記憶體的普適型(drop-in)替代產品，其應用範圍廣泛，包括工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲及計算等應用。

: Q/ U4 t, L( d; pRamtron市場經理Craig Taylor表示：“FM25V20可為嚴苛的資料收集應用提供更大的非揮發性存儲容量，並為我們現有的V系列F-RAM記憶體客戶提供一個簡便的途徑，以升級到更高密度的解決方案。V系列產品線的擴展可支援我們正在進行中的計畫，提供具有低能耗和高資料完整性的記憶體解決方案，避免了在其它非揮發性記憶體所常見的複雜性、開銷和系統級可靠性等問題。”

關於FM25V20
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FM25V20採用先進的鐵電製程，具有達到100萬億(1e14)讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且資料能夠可靠地保存10年。FM25V20採用快速串列周邊介面(SPI)，以40MHz頻率的全速匯流排速率運行。其運行功率低，工作電壓範圍寬，介於2.0V - 3.6V之間，及100µA的典型待機電流及3µA的睡眠模式電流。FM25V20具有串列V系列器件的標準特性，即唯讀器件ID特性，使得主機能夠確定生產廠商、產品密度和產品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內工作，並採用符合RoHS標準的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝。

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關於F-RAM V系列

2 x2 w) j3 U& A) h0 ?5 ERamtron 公司的V系列F-RAM記憶體產品採用低功耗130nm CMOS生產製程製造，包括串列I2C、串列SPI和並列記憶體。整個V系列F-RAM產品包括以下器件：

V系列串列I2C F-RAM
FM24V10 (1Mb)
) J$ |7 N8 @) [: {% E  n  z        FM24V05 (512Kb)
. D; h4 |6 g; k! V! O) z        FM24V02 (256Kb)
1 o, f# R) S, w! {6 F) `, z5 M        FM24V01 (128Kb)
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9 C4 Z+ d* X$ VV系列串列SPI F-RAM
        FM25V20 (2Mb)
# H5 r, c- Q3 G  b4 b        FM25V10 (1Mb)
3 q/ s: a$ k" o8 j3 ]        FM25V05 (512Kb)
. Z/ G5 J$ e) d- r0 Z) k        FM25V02 (256Kb)
        FM25V01 (128Kb)
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V系列並列F-RAM
FM28V100 (1Mb)
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價格和供貨
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& u: u2 l7 L9 hRamtron現可供應採用8腳EIAJ SOIC和TDFN封裝的FM25V20樣品，訂購1萬片，起價為每片8.99美元。

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Ramtron和ROHM 簽署F-RAM 產品製造協定
ROHM 生產就緒的F-RAM 生產線將生產Ramtron首批 F-RAM產品的訂單
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0 p  J7 n- H" A: S, {  d, {6 F& A, S5 P世界領先的低能耗半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation與日本ROHM Co., Ltd.簽署了一項製造和授權許可合作協定，根據這項長期協定，ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產線上為Ramtron公司製造基於F-RAM技術的半導體產品。

初期的低密度F-RAM產品業已符合商業生產的要求，Ramtron希望在大約60天的時間內收到並開始銷售在ROHM生產線上製造的首批F-RAM器件。此外，Ramtron的市場行銷和工程技術團隊也已著手開發將在這條生產線上生產的新的Ramtron產品。除了在ROHM公司新增的產能之外，Ramtron在位於美國德克薩斯州達拉斯的德州儀器公司，以及位於美國佛蒙特州伯林頓的IBM公司皆擁有F-RAM記憶體的生產線。

" @9 y$ z# F) A4 Q' NRamtron與ROHM的新協定是兩家公司自1994年起延續至今的一項雙方合作關係之成果，當時，雙方就ROHM開發和製造F-RAM產品達成了一項製造授權合約。從此之後，Ramtron 和 ROHM就一直在找尋能讓雙方合作更加緊密的機會，這次的製造和授權許可合作協定是雙方合作關係的新頁章。

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Ramtron首席執行長Eric Balzer表示：“ROHM公司的先進生產線已做好了生產商用F-RAM產品的準備，為Ramtron提供了具有吸引力的成本結構和沒有阻礙的產品開發靈活性。從戰略的角度來看，在Ramtron繼續擴展產品的目標市場並推動未來增長的過程中，擁有ROHM這樣的合作夥伴，將會進一步增強公司的競爭地位。我們期待與ROHM公司進行合作，以掌握半導體市場中基於F-RAM解決方案的重要且未經開拓之商機。”
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ROHM先進LSI製造總經理Koji Yamamoto表示：“我們期待可以將ROHM成熟的製造能力和Ramtron的F-RAM品牌領導地位和產品開發及市場行銷專有技術相互結合起來，從而擴展Ramtron產品在全球各地的使用情況。我們預期可與Ramtron進行長期的合作，擴大業界對F-RAM產品及其先進技術的採用，以滿足電子系統對高性能和高資料完整性非揮發性記憶體解決方案逐漸增長的需求，”
關於ROHM Co., Ltd.
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) `6 a/ H: g* b7 v3 B) n" y& l; mROHM公司是使用最新半導體技術開發系統LSI、分立元件和模組產品的業界領導廠商，該公司的專有生產系統包含了某些最先進的自動化技術，這是該公司在電子元件製造行業保持領先的主要因素。ROHM擁有在設計、開發和生產各個方面擁有專有技術且技藝精湛的工程師。這使得ROHM具有應對廣泛的應用和專案的靈活性，以及為汽車、通信和電腦子市場中客戶，以及消費產品OEM廠商提供服務的能力。要瞭解更多的資訊，請瀏覽公司網站 www.rohm.com。

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東芝開始交付業界首款嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品
3 X; R5 V/ ?* R. s9 D--這款嵌入式記憶體符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標準，將64GB NAND和一個控制器整合在一個封裝中--

. Y0 ?8 ~. m. C5 F4 H. p9 C3 K, b" U% f東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，業界首款配備UFS I/F的64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組已經開始交付樣品。該模組完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準[3]，專為包括智慧手機和平板電腦在內的各種數位消費品打造。
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樣品主要用於由作業系統廠商對UFS I/F及其主晶片組中的通訊協定進行評估。
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2 g( @7 z) X! m. g4 q7 _& l" a5 H由於主晶片組資料處理速度的提高以及無線連接頻寬的擴大，市場上對可支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求持續強勁。
6 m# I0 L( Y8 d' u# H
8 @) p4 ^- N8 Y* v, L  W7 j+ @' M; ^作為該核心領域公認的創新企業，東芝成為業界首家使用64GB UFS模組為樣品提供支援的企業，並正藉此鞏固其領導地位。

東芝將根據市場需求來安排量產及該系列中其他密度產品的生產。

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產品
% q5 t) E' ]% I2 h% U+ f: Y產品型號 密度 封裝 樣品交付
! w, i2 K' g0 D' WTHGLF0G9B8JBAIE 64GB 169Ball 12×16×1.2mm FBGA 2013年1月

主要特性
- r/ S2 H* f6 S9 n7 ^1.符合JEDEC UFS 1.1版本標準的介面，可處理的基本功能包括寫入區塊管理、錯誤校正和驅動程式軟體。它簡化了系統開發，讓製造商能夠最小化開發成本，縮短新產品及升級產品的上市時間。
) v6 f- v2 s. O7 O! h9 ~: t9 X  H2.UFS I/F有一個序列I/F。它可升級通道數和速度[4]。
) X( f% H% M4 A. D0 a3.新產品採用12x16x1.2mm的緊湊型FBGA封裝，其訊號佈局符合JEDEC UFS 1.1版本標準。

規格
介面 JEDEC UFS 1.1版本標準
工作電壓 2.7V-3.6V（記憶體核心）
1.70V-1.95V（控制器核心）
6 n" o( b" d: f. Y6 @! M1.10V-1.30V（UFS I/F訊號）
通道數 下游1個通道/上游1個通道
I/F速度 2.9Gbps/通道
溫度範圍 攝氏-25度至攝氏+85度
5 z9 r8 E1 b% |. o封裝 169Ball 12x16x1.2mm FBGA

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打造小型化設備及降低設備功耗 為智慧電表、工業機械和醫療設備提供最佳化功能
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2013年3月25日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈，推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT。新產品是目前富士通產品系列中最高容量的序列介面FRAM元件，預計在本(3)月底開始為客戶提供樣品。
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    富士通半導體持續開發FRAM產品系列，全新的MB85RS1MT(1 Mbit)和 MB85RS2MT(2 Mbit)為目前富士通提供的最高容量的SPI序列介面FRAM元件。兩款新型FRAM元件保證提供10萬億次的讀/寫週期，是現有FRAM晶片的10倍，可針對即時、連續資料記錄提供更好的支援，適用於智慧電表、工業機械和醫療設備等應用。
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    智慧電表、量測設備、工業機械和醫療設備(如助聽器)等設備都需要序列介面的1-2 Mbit非揮發性記憶體，現在已可採用富士通半導體的全新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在提升快速寫入功能後更可提供更高的效能，同時也將因電壓突然下降或者停電引起的資料遺失風險降至最低。相較於相同容量的EEPROM元件，MB85RS1MT和MB85RS2MT寫入時可減少92%的用電功耗，延長電池壽命。

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對於使用SRAM記錄資料和使用EEPROM儲存參數和程式的工業機械用途而言，新款FRAM產品可將EEPROM、SRAM和用於資料保存的電池系統記憶體元件所需的功能整合至單一晶片中，進而減少所需元件的數量，更不必更換電池，因而可大幅降低元件成本、電路板面積和功耗，有助於發展更小型、低功耗的設備，不再需要備用電池。  

    FRAM具備非揮發性資料儲存功能和高速資料寫入的隨機存取優點。不但提升效能，更能在儀表設備等應用面臨電源臨時中斷時保護資料。FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM元件，而不會損失任何重要資料。富士通半導體的FRAM產品自1999年量產後，憑藉這項功能帶來的優勢，已廣泛採用於工廠自動化設備、量測設備、金融業銷售點管理和醫療設備等領域。

7 L- ~1 y8 n. w# ~* t概括而言，新型的FRAM產品擁有減少電路板面積、不必更換電池、降低功耗和元件成本等四大優勢。展望未來，富士通半導體將持續為客戶提供解決方案、協助客戶提高產品效能和設備維護，並大幅降低風險。
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供應時程
  u9 P+ w/ K/ g$ ^3 v2 g( A& ~　　富士通半導體計劃在在本月底開始為客戶提供MB85RS1MT和MB85RS2MT的樣品。客戶可向富士通當地銷售業務人員洽詢樣品價格。

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東芝開發出可以使低功耗微控制器從深度休眠模式快速喚醒的極低洩漏SRAM
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(20140213 13:37:25)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經開發出適用於低功耗微控制器備用RAM的極低洩漏65奈米靜態隨機存取記憶體（SRAM），它可以實現從深度休眠模式快速喚醒。

東芝於2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協會（IEEE）國際固態電路會議上公布了這一進展，本次大會在加州舊金山舉行。
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: x3 x% E% w0 h7 Y  h' b0 @可穿戴式設備、醫療照護工具和智慧電表等低功耗系統對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統所使用微控制器的功耗存在許多挑戰，隨著製程的升級換代，洩漏電流的增加和有功功耗造成了問題。減少RAM（待機期間可以保存資料）中的洩漏電流尤為重要。

通常的微控制器可以透過深度休眠模式（待機電流小於1μA）降低功耗。但是，這使得通常的SRAM無法保存資料，因為SRAM需要遠高於1μA的待機電流。因此，當系統從深度休眠模式中喚醒時，重新載入資料需要花費較長時間。使用鐵電隨機記存取憶體（FRAM）作為備用RAM可以消除這一重新載入問題，但是FRAM的速度慢很多，比SRAM消耗更多有效功率，並且需要更多製程成本。

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東芝已經開發了一種洩漏率低於傳統SRAM千分之一的極低洩漏SRAM；當採用65奈米製程時每位元洩露電流為27fA。這一水準低於採用65奈米以上技術製造的SRAM的已發布資料。這種新的SRAM充電一次便可以在備用記憶體（容量約為100Kbyte）中保留資料超過10年時間。

採用最近的製程技術製造的MOSFET擁有更高的閘極漏電、閘極偏壓感應汲極漏電流（GIDL）和溝道漏電。東芝已經開發了一種低洩漏電晶體（擁有厚閘氧化層、長溝道和最佳來源漏擴散分布）來減少這些洩漏因素，並將其部署於SRAM儲存單元。該公司已經開發了幾種創新的減少洩漏電路。其中一種是將反向偏壓應用至儲存單元的NMOS的來源偏壓電路，另一種電路在資料保存期間切斷了週邊電路的供給電壓。

. j+ m9 p) ]% ~% _8 _5 G& z低洩漏電晶體比傳統電晶體大，從而使整體單元區有所增大。在1.2V供給電壓條件下，東芝使單元尺寸較採用該設備的原始設計規則設計的區域降低了20%。通常，大電晶體電路擁有更高的有效功耗。透過採用「四分之一陣列啟動計畫」和「電荷分享分層位元線」降功耗電路，東芝已經抑制了這種有效功耗增加。

憑藉極低的洩漏電流，讀取時間為7ns的SRAM擁有足夠快的速度，能夠用作低功耗微控制器的工作RAM和深度休眠模式時的備用RAM。由於系統無需重新載入資料，因此從深度睡眠喚醒的速度有所提高。

& ^0 m. u; s; O8 _東芝計畫在2014年發布的產品中使用該RAM，並預計在未來的電池驅動產品中廣泛使用它。