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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。$ [2 \2 i) c) L5 b
' _% D/ w& B" x6 s( I1 z東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。, Y6 E/ j6 T# G/ t# E2 I2 F. M& H. k
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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( {6 X- H' e e4 X& y% FFab 5概況$ c: A& N( k$ g# H6 S
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
# O% g+ B L1 i9 i: b7 w. D地上建築面積: 約38,000m2
0 J$ @: y \) e% B/ T9 E6 z總建築面積: 約187,000m2 ' |* G$ z9 e: ]3 C/ H* u1 `& V3 M
開工時間: 一期:2010年7月
9 P, e/ @5 B, U; ]二期:2013年8月
8 Q4 p3 g0 M* I j6 u完工時間: 一期:2011年5月
* j9 i y1 E0 G9 W二期:2014年夏(目標)
. J- _: t( ?$ M: t9 O! S: F. T投產時間: 一期:2011年7月
/ A L: B9 W q+ i( z: V0 b二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況
# p) o. a3 |0 j. T% A& ]. p& _- _位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture + t7 X( U# W! }8 C
成立時間: 1992年1月 1 ?) ]2 h+ ?% ^* w' k$ ?
總經理: Tomoharu Watanabe - v4 g/ S3 e, b5 [: q9 G3 W; E/ S
員工數量: 約5,200名 : P7 m' l+ J* K g* y3 t, Y+ z
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) $ j$ n% y; N2 Z1 r
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) " `$ r+ H7 B+ {9 m" f/ M
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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