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RRAM 觸動3C產業寧靜革命
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能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體(RRAM)深具競爭潛力。
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' E4 ]! O) O, }, G. V【新竹訊】隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升,使得當前全球記憶體市場需求急速擴張,其中又以非揮發性記憶體(non-volatile memory)的快速成長最受關注。3 @( h1 a" A: U5 U8 y
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能 夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體(RRAM)深具競爭潛力,具備操作電壓低、快速啟動及讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及 非破壞性讀取等優勢,並且擁有低成本的競爭力,是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體對抗的非揮發性記憶體,RRAM若能商品化,會在不久的將來成 為革命性的記憶體。
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工研院研發的高速非揮發性電阻式記憶體具有省電、存取速度快、儲存容量大等特點。在省電的特性上最低可達5微安培的電流及1.5V的低電壓;在存取速度方面只要使用0.3奈秒脈衝即可讓元件正常操作,遠優於一般快閃記憶體並可媲美SRAM。( r' Q, ^5 ]( I. U0 _
) U) u- s& {+ x1 L+ u此外,藉由多位階的操作,可達成每個記憶單元儲存2個bits,除了可有效提升儲存資料密度,也可縮小面積,降低成本,在200℃的溫度下,資料可儲存10年以上不流失等優異特點,潛在商機極大。 |
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