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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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2 |9 {& ?# ^% d3 ?' \1 P* Q$ A2 T四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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& l( \, X2 e- A! C0 s9 a展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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, x! G( [9 V6 A& {/ ^Fab 5概況9 r4 t' h7 o4 H; p, h# }% w. {; B
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層" d) q) H A# ^ q
地上建築面積: 約38,000m2 : C( a' n" x& g5 ~, n5 }& ?& ?/ C9 v6 X
總建築面積: 約187,000m2
4 T. \5 r9 j4 w# [開工時間: 一期:2010年7月 + F5 r8 t( X# G8 M5 C
二期:2013年8月
$ E# E: C. y5 E @) T7 N+ N完工時間: 一期:2011年5月
) Z4 k3 f1 r Y& f# ~二期:2014年夏(目標)
# Y6 v, y* |& B, D) x# j) \投產時間: 一期:2011年7月
7 ]$ ?& ?* r' X" ?1 ?# k0 U二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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7 ~! \2 @1 c/ x7 ]/ o- d( _四日市業務部概況
* W: P1 \, O8 z. P- J位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
/ T% G1 m: E* N) C8 ~( p3 p6 H y成立時間: 1992年1月
# F" I& q( d4 q6 a }總經理: Tomoharu Watanabe ; w6 p6 B( K: B, k3 N# S
員工數量: 約5,200名
) Q" E0 q \. D$ Z+ d5 l(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
" v2 s t( e: `8 e+ ~; ~場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) " d# U" A V* F1 c. a; p
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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