電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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快捷半導體的高壓 MOSFET 在 AC-DC 電源應用中提供業界領先的體二極體穩固性能
SuperFET® II MOSFET 提供更高效率及可靠性，同時節省系統成本及電路板空間


高端 AC-DC 開關電源 (SMPS) 應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度；為了取得成功，設計者需要具有成本效益的解決方案，從而佔用更小的電路板空間並提高可靠性。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS）透過引入 600V N-通道 SuperFET® II MOSFET 系列，協助設計者應對這些挑戰。

產品分為兩個系列：SuperFET II 及 SuperFET II Easy Drive。這些 MOSFET 在輸出電容 (Eoss) 中儲存較少能量，從而在輕載條件下實現更高效率，並透過同級最佳的體二極體穩固(Robust)性能提高在諧振轉換器中的系統可靠性。

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東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET-產品採用最新第八代製程，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關

(20121210 11:55:40)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品採用最新的第八代製程打造，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被納入該產品系列中，成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助於降低設備厚度和總體尺寸，並可提高效率。

應用
1. 鋰離子電池保護電路
2. 手機電源管理開關

主要特點
1. 由於採用了最新的第八代製程，因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
2. 採用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。

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FDB9403 採用快捷半導體公司的遮罩閘極技術，改進了電阻並降低了電容。 該器件提供比最接近競爭產品低 20% 的 RDS(ON)值，同時具備低 Qg值，可降低了功率損耗並最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產品作為基本的電流控制開關，有效地控制了電力，無任何浪費，因此非常適合於電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。

特點及優點：

•        在 VGS = 10V 和ID = 80A時，更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ，從而實現更高效率
•        在 VGS = 10V和 ID = 80A 時，典型值 Qg(tot) = 164nC，功耗更低，從而實現更高效率
•        UIS 能力
•        符合 RoHS 及 AEC Q101 標準

封裝及定價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨
•        FDB9403 採用 D2PAK TO-263AB 封裝，價格為 2.48美元。

快捷半導體在功率半導體器件及模組封裝方面的專業知識，結合大量測試、模擬及高品質製造經驗，使該公司提供的產品在最苛刻的汽車環境中亦能可靠地工作。 由於擁有世界各地的設計、製造、組裝及測試基地，快捷半導體公司具有良好的裝備，從而滿足了汽車製造商在品質、可靠性及可用性方面的需求。

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快捷半導體的 40V PowerTrench®MOSFET 產品在動力操控應用中提供了更好的電力控制功能及更高效率


器件具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗

汽車動力操控(Power Steering)系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 的40V N 通道 PowerTrench®MOSFET 產品可協助設計者應對這些挑戰。

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MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM，封裝在業界標準的5 mm×6 mm和3.3 mm×3.3 mm PDFN封裝內。新發佈的MCP87022、MCP87050和MCP87055元件，可分別提供2.2mΩ、5.0mΩ和5.5mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助於實現高效率的電源轉換設計。

Microchip類比與介面產品部行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「PWM控制器的MCP19035系列擴大了設計工程師在滿足其應用功率轉換需求時的選擇範圍。其廣泛的工作電壓範圍和整合的高功率同步驅動器能夠支援那些需要一個快速、採用類比控制器實現高效率、高功率密度解決方案。這些元件結合了Microchip的首款高速MOSFET產品，可實現產生超過96%效率的快速、高效電源轉換解決方案。」

MCP87xxx MOSFET系列也補充了Microchip現有的專注於SMPS的PIC® 微控制器及dsPIC33“GS”系列數位信號控制器的產品組合。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合於驅動高速、低FOM MOSFET。當由微控制器驅動時，兩者可構成一個靈活的、高性能電源轉換解決方案。

開發工具支援

MCP19035系列的MCP19035 300 kHz評估板（產品編號#ADM00434）現已透過所有Microchip業務代表和microchipDIRECT提供。該評估板包括Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET系列同時發佈的一款基於Excel的損耗計算器及使用者指南也已提供。

封裝及供貨

MCP19035和MCP87xxx系列現已提供樣品並投入量產。MCP19035系列採用3 mm×3 mm 10接腳PDFN封裝。MCP87022和MCP87050採用5 mm×6 mm 8接腳PDFN封裝，MCP87055採用3.3 mm×3.3 mm 8接腳PDFN封裝。

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Microchip推出內建MOSFET驅動器的高電壓類比降壓PWM控制器，以及高速、小型封裝低阻值MOSFET系列
擴展Microchip的電源解決方案組合，以更高的整合度實現更高電壓、更高功率DC/DC應用的能力


全球領先的微控制器、類比零件暨快閃技術供應商Microchip Technology，宣佈推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調變（PWM）控制器和互補型的具小型封裝低阻值（FOM）的MOSFET系列的組合以支援高效率的DC/DC電源轉換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對於其實現更高電壓、更高效率、以及業界趨向更小電源轉換系統的這一承諾有顯著進步。

MCP19035是一個小型的、基於類比的PWM控制器產品系列，包括整合的同步MOSFET驅動器，可提供出色的瞬態性能。MCP19035元件可在4.5 - 30Vdc的寬廣電壓範圍下工作，開關頻率為300 kHz，並提供了工廠可調整 Dead-Time的功能設定，有助於設計師面對眾多種MOSFET元件時提供最佳化的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低low-FOM MOSFET組合時，MCP19035系列能夠實現高效率的（>96％）DC/DC電源轉換解決方案。

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Diodes推出全新MOSFET組合可減少直流馬達損耗

台灣— 6月23日—Diodes公司推出一對互補型雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用於低壓單相/三相無刷直流 (BLDC) 馬達控制應用。該組合具有互相搭配的N通道及P通道導通電阻 (Rdson) 性能，可以將馬達負載的直流損耗平均分配並降到最低。

這對增強模式MOSFET的Vds為40V，可適用於控制冷卻、排氣扇、泵、壓縮機及印刷頭的24V直流馬達系統。當Vgs為10V時，這對互補MOSFET的導通電阻降至25mΩ，因此可有效限制傳導損耗，進而減少功耗並增加整體產品效率。

DMC4040SSD的額定持續電流為6A，額定脈衝電流為29A，使電機轉矩電流(torque current) 可達到馬達啟動或拋錨時所需支援的持續電流的五倍。DMC4040SSD採用業界標準的SO-8封裝，與同類型的單一MOSFET封裝相比，更能節省印刷電路板空間。

為創建一套完整高效的直流無刷馬達控制解決方案，Diodes特別使DMC4040SSD MOSFET封裝可與旗下的ZXBM101x單相預驅動馬達控制器系列，以及相應的霍爾傳感器共同部署使用。

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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET 為低功率應用擴展封裝組合


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司  (International Rectifier，簡稱IR)擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的功耗應用，包括智能手機、平板電腦、錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器網路通訊設備，提供超小型、高密度和效率的解決方案。

新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件需要4mm2的占位空間，並用IR最新的低電壓 N-通道P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非適合與高度數位化內容相關的應用。」

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

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FDMS36XXS系列產品採用快捷半導體先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術，可在高性能運算的額定崩潰電壓下，取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON) 。該系列產品經過最佳化處理，以便儘量減低300kHz至600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高效率。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的遮罩電壓調變架構和超低源極電感封裝設計，可提供低開關雜訊、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關雜訊可以免除需要外部緩衝元件或閘極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本，同時節省更多線路板空間。

FDMS36xxS系列元件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N通道雙MOSFET。快捷半導體將會根據研究和客戶需求，推出更多的元件。兩款FDMS36xxS系列元件均滿足RoHS無鉛標準要求。

上述非對稱架構功率級雙MOSFET模組是快捷半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的一部分，為電源設計人員提供適用於關鍵任務的高效率資訊處理設計之全面解決方案。要瞭解最新功率級產品資訊，請瀏覽公司網頁www.fairchildsemi.com/powerstage。

價格(訂購1,000個):
FDMS3602S 的單價為1.86美元
FDMS3604AS的單價為1.62美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

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快捷半導體功率級非對稱雙MOSFET元件滿足電源設計人員對高功率密度和簡易設計之要求
新模組產品具有市面上所有5mm×6mm雙MOSFET解決方案的最大輸出電流


電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為了協助設計人員面對這些挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。

FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和佈線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2) 專門為高達30A的輸出電流而設計，可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中，可為代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，可有效節省線路板空間。

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這些元件採用具有電荷平衡功能的遮罩閘極結構，使用這項技術，其品質因子(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%，為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線型UPS系統之應用，以及電訊電源分配PDU/BFU單元等產品之設計人員提供高效率的解決方案。

新產品採用低反向恢復電荷和軟反向恢復寄生二極體，可以減少系統中的電壓尖波或振盪，省去緩衝器電路，或替代額定電壓較高的MOSFET元件，有助於提升效率，並且降低設計的材料清單成本。

第一批採用工業類型封裝的元件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N通道PowerTrench MOSFET元件，如同PowerTrench MOSFET系列中的所有元件一樣，這些產品具有快速開關特性和低閘極電荷，同時採用高性能技術以提供極低的RDS(ON)。此外，該系列元件採用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝，能夠滿足環保法規的要求。

新增的PowerTrench MOSFET元件擴充了快捷半導體中等電壓範圍MOSFET產品的陣容，是全面廣泛的PowerTrench

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提高同步整流應用的系統效率和功率密度 相較於先前的解決方案，品質因子提升多達 66%

高效AC-DC轉換器等應用的設計人員需要提升系統效率，同時還要將元件數目減到最少，因而構建具備快速開關速度、更高效率和功率密度的現代功率系統便是一非常重要的因素。

為了幫助設計人員因應此一挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為PowerTrench® MOSFET系列中的100V和150V 元件增添工業類型的封裝選擇，其中包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述元件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品系列的成員，是優化的功率開關產品，它們結合了低閘極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復寄生二極體，可在AC-DC電源中提供同步整流功能的快速轉換。

MOSFET產品系列的一部分，這些元件能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在提高能源效率方面扮演著重要的角色。

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技術聚焦:

·  恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障

·  主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing

相關引述:

恩智浦半導體功率MOSFET行銷經理Charles Limonard表示：「在25V和30V條件下達成業界最低的RDS (on)，這僅僅是其傑出性能的其中之一。最新NextPower元件的重大突破在於我們可控制MOSFET在各個方面的表現，超越導通電阻和柵極電荷，為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。」

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恩智浦半導體NextPower MOSFET以業界最低RDS (on) 全面提升效率
恩智浦NextPower系列新增15款25V和30V高性能N-Channel邏輯電平MOSFET


【台北訊，2011年5月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點，並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型），是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化，進而達成強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供傑出的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸精巧，面積僅5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

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Generation II XS DrMOS元件採用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下，重負載效率達91.5% 以上，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz開關頻率下運作，同時具有最高50A的電流處理能力。

快捷半導體利用其在MOSFET、閘極驅動器IC和封裝技術方面的技術專長，對Generation II XS DrMOS元件作出最佳化處理，提供更高的效率，並且開發新的功能。這些技術提昇使得Generation II XS DrMOS系列元件成為刀鋒型伺服器、高性能遊戲主機板、高性能筆記型電腦、顯示卡，以及高電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和.3V三態電壓準位以匹配Intel® 4.0 DrMOS規範，同時與市場上的多種PWM控制器相容。這些元件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET遮罩閘極技術而產生的振鈴雜訊。同步FET還整合了一個蕭特基二極體，免除外部緩衝器電路，提高整體性能和功率密度，同時減少占位空間和成本。Generation II XS DrMOS元件還可以為客戶加入一項過熱警報功能，可在故障期間防止出現過熱狀况。

Generation II XS DrMOS產品系列能夠滿足不同客戶和應用需求。

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快捷半導體推出Generation II XS™ DrMOS元件採用6mm x 6mm封裝提供高達94%的峰值效率
廣泛的產品系列可讓設計人員根據效率、特性和PWM控制器來選擇合適的元件


高效率、高電流處理能力和小外形尺寸，都是電源設計人員為電壓調節器解決方案選擇元件時的最重要考慮因素。為滿足這一要求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出一系列Generation II XS DrMOS [整合式驅動器 + MOSFET]元件，這些元件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。

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台灣— 5月26日— Diodes公司推出採用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET系列。該封裝產品僅佔用0.6 平方毫米的印刷電路板面積，較同類型SOT723封裝零件節省一半以上空間，其節點到環境熱阻 (junction to ambient thermal resistance; Rthja) 為256ºC/W，在持續運作情況下功耗為1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

因此，該MOSFET能夠以更低溫度運作，並可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，非常適合用於超薄型可攜式消費電子產品，包括平板電腦及智慧型手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N通道和P通道設備，這些設備可用於多種可靠性高的負載開關 (load switching)、訊號開關 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用中。

例如，一款額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N通道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比競爭對手的解決方案低50%以上，有助於大幅減少傳導損耗和功耗。而20V的DMN2300UFB4 P通道MOSFET也能提供相近的同級領先性能。這兩款MOSFET皆具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

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在中低壓產品方面，又分Planar及Trench製程，友順科技己擁有種類眾多的低電壓、低電流系列Trench MOSFET產品，適用於主要採用25V和30V的MOSFET的電腦主機板，以及應用做為DC/DC轉換、充電、負載開關和信號開關功能的消費電子巿場，如LCD TV和遊戲機等；至於中壓產品有60V～200V產品系列，則主要採用Planar製程產品，Trench製程產品亦在發展中，可應用在消費性產品等電子電源、通訊電源系統等，封裝則以SOT-23、SOP-8等小型SMD封裝為主；除全系列Power MOSFET之產品外，UTC也發展類比整合型IC，將PWM Control IC與Power MOSFET整合的Power Management IC，提供高低壓及AC，DC電源管理的Total Solution。

秉持快速因應客戶及巿場的需求的理念，友順公司始終跟隨著終端產品的應用趨勢，持續不斷開發及推出適用不同應用領域的MOSFET產品；近日也再宣佈發行多款具成本效益且低RDS(ON)的產品，包括: UT12NN10是一顆採小型SOP-8封裝的N型雙通道，應用於LED TV及顯示器內部限流保護用產品、UFZ44是N-Channel/60V/50A，功率接近50W，採用TO-220封裝，應用於SMPS、及2-15A/900V的高壓MOSFET…等；另外，近期又再推出齊全的400V產品系列，電流從1A到22A，提供照明及電源巿場客戶更多新的選擇，在在都展現UTC在發展全系列MOSFET產品組合的成果及繼續深耕擴展MOSFET產品的決心。

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2011/5/18-國內類比IC業界唯一以IDM方式經營的友順科技公司，有鑑於高效能的功率半導體使用的發展迅速，除繼續著力於原有各類的IC研發外，自2006年亦積極投入Power MOSFET的研發及生產。

近年來，市場上對電源相關的半導體元件的高效率化，以及減少零件用量的期待也愈來愈高。Power MOSFET在電源供應裝置中是不可或缺的元件，為符合電子產品追求節能和降低系統功率損耗的需求趨勢，各廠商均不斷研發具備更高的能源轉換效率的產品，以滿足系統高效能、輕量化、小型化及高可靠度的要求，Power MOSFET主要發展趨勢也朝向低導通電阻、高速切換、高效能、高功率及低成本考量。

友順科技目前己擁有規格齊全及各類封裝型態的產品系列，在高壓MOSFET方面，從200V～900V/1A~22A及更高功率產品系列，採用UTC自行開發的DMOS製程，主要適用於電源供應器及機電產品巿場，如電腦、家電產品、事務機、工業用設備、汽車和各式照明設備等一系列交直流電源、交換式電源供應器、充電器、電動車、HID灯、節能灯、LED照明、UPS, 逆變器等，封裝別則包括大功率散熱型的TO-247/TO3P/TO-220F/TO-220等插件式封裝及TO-263/TO-252等SMD封裝等。

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此外，FDMS86500L使用遮罩閘極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該元件的低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。

FDMS86500L MOSFET元件具有更出色的品質因子(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

FDMS86500L元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體 (body diode)技術以提供軟恢復功能；MSL1穩固封裝設計；通過100% UIL測試，同時符合RoHS環保標準。

FDMS86500L是快捷半導體新型60V MOSFET產品系列旗下的首款元件，這些新型 60V MOSFET元件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體充分認識到空間有限之應用對更高電流、尺寸更小之DC-DC電源的需求，且瞭解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供擁有獨特的功能、製程和創新封裝之客製化組合，為差異化電子產品設計提供解決方案。

價格(訂購1,000個): FDMS86500L 的單價為0.90美元
供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週