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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 什麼是 hot nwell 、cold nwell
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[問題求助] 什麼是 hot nwell 、cold nwell

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372412
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1#
發表於 2010-8-26 15:19:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
課堂上常聽到 hot nwell 、cold nwell
2 ?( u, H0 k6 x5 \# E& }3 U/ X但是不知道是什麼耶0 l7 ~+ t+ [9 [8 {6 Y* l
請各位大大幫忙解惑
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2#
發表於 2010-8-26 16:54:35 | 只看該作者
个人觉得：code nwell接的正常电位的nwell，. D% O9 I5 F) Y
而hot nwell接的是非正常电位的nwell。
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3#
發表於 2010-8-30 15:56:52 | 只看該作者
同意樓上的看法
* c- w* k9 @& _- q9 V基本 cold nwell 指 接在 主要 VDD 的 8 x: [6 _1 e+ @# @7 ~4 U& A2 I; f5 N
其他 就是 hot  nwell
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4#
發表於 2010-9-1 09:31:26 | 只看該作者
在Foundary和IC設計廠的口頭定義中# C  M3 T0 G  T; C' M2 O
Cold NWELL 是指 Doping N-type的濃度比整常值低，所以加熱後的反應都比較慢，像是Ｒ值較小，反應較慢
) E4 p; {8 L  S8 ?6 C4 b4 W/ XHot NWELL 是指 Doping N-type的濃度比整常值高，所以加熱後的反應都比較快，像是Ｒ值較大，反應較快. g% J+ f% \5 i# I
更深度的理解，需要參考費米能階圖來學習
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5#
發表於 2010-9-21 21:12:08 | 只看該作者
在Foundary和IC設計廠的口頭定義中0 d  t! y/ D( [! k2 X  K6 ^
Cold NWELL 是指 Doping N-type的濃度比整常值低，所以加熱後的反應都比 ...$ {% T  \6 A) Y& I  S
marcusliang 發表於 2010-9-1 09:31 AM

' d# d- {! R) W5 D3 N2 X# @( J% z$ K8 a7 a% m0 m

! }8 ]" e: R" ~+ X4 Y/ ]/ \9 C   你说的是Nwell和Deep Nwell的区别吧
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6#
發表於 2010-9-24 20:53:28 | 只看該作者
在Foundary和IC設計廠的口頭定義中' @0 ~* \* U8 c0 A5 _( e
Cold NWELL 是指 Doping N-type的濃度比整常值低，所以加熱後的反應都比 ...
" j/ C, O+ p, f% P0 fmarcusliang 發表於 2010-9-1 09:31 AM

5 o0 A# A' e& B2 X) r! e4 g' I! W0 ?
就按照你这个说法也不是很正确啊,浓度高R应该小,浓度低R应该大才对啊????
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honest
7#
發表於 2010-10-6 17:21:21 | 只看該作者
我個人也比較觉得：code nwell接的正常电位的nwell，2 {: ]- c- V4 p" A) z2 z  N
                                    hot nwell接的是非正常电位的nwell。
- \- ?* w1 m) d. v2 ^+ O5 d8 K4 G$ u' ^. D( g( o5 t
和 deep nwell 無關.
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592gigi
8#
發表於 2010-11-2 17:43:45 | 只看該作者
了解了，谢谢指教。。。。。。。。。。
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ccr0315
9#
發表於 2010-11-3 13:38:04 | 只看該作者
只要是 well 不是接主要 power 的電位, 都是叫 hot well.7 `- S! H; r: g* ^
舉例來說, OP 的補償電容若是用 PMOS 來做, 那這個 PMOS 的 well 不會接到主 power....這個 well 就是 hot well
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wereaa
10#
發表於 2010-11-18 11:17:56 | 只看該作者
http://bbs.innoing.com/?fromuser=wereaa
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11#
發表於 2010-12-15 16:55:28 | 只看該作者
Hot NWell : 若你晶片電位為VDD ,若NWELL直接接上VDD  , 此為HOT NWELL
. q  o* q* m. B: {+ I: hCold NWELL: NWELL是由其他元件D端接上,並非直接連上VDD
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12#
發表於 2011-2-15 17:44:19 | 只看該作者
回復 11# jianping - X3 ^& @9 |9 S* C# b5 G) ]* n
+ v; C2 R# v4 y3 r
4 \) P. J" D& Z( i/ S
    好像说反了，个人意见，不要介意。
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13#
發表於 2011-4-1 14:32:09 | 只看該作者
Cold Well: 接到固定電壓者 如 NWell, PWell, DNwell,...接到固定電位如VDD, VCC, GND, VSS,...2 q2 }) m: I: A& [& O1 V
Hot Well: 接到不固定電壓者
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14#
發表於 2011-5-4 18:48:28 | 只看該作者
這，我就不懂了，Doping N-type不是有需要加的地方才整片加的嗎，怎麼會有分濃度高低，難道在離子佈植時還可以特別選那邊要濃一點跟厚一點，& H5 u$ V1 O8 _! z# x9 f

! ?) R( D) C0 K; Y" [難 道所指的加熱是指通電後原子間得到 的熱的能量2 Y% T, A$ J6 a3 R7 _5 ^8 F1 Z

1 I* ~3 z3 t( Y- p7 b# Z1 A如果以電路上的定義我是可以理解，但在製程中，可能需要更專業的人解答一下
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AIC6632
15#
發表於 2015-10-29 20:43:26 | 只看該作者
這個還第一次聽到
! n1 G  S! J( F. N看來我還是太菜了
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