所有電子產品均會用到功率半導體，但台灣在這市場佔有率仍太低？

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台廠在哪項最需積極建立技術能量？

全球功率元件市場趨勢
資訊類別： ITIS評析
產業領域： 電子零組件
作　　者： 楊雅嵐  
出版日期： 2010/10/27

根據世界半導體貿易統計組織(World Semiconductor Trade Statistics；WSTS)的統計分類，可將半導體市場區分為分離式元件(Discrete)、積體電路(Integrated Circuit；IC)、光電元件(Optoelectronics)以及感測元件(Sensors & Actuators)等四大類。而在所有電子產品均會用到的功率半導體涵蓋範圍，則包括分離式元件中的功率元件，以及IC類別中的類比IC，其中又以功率元件中的功率二極體(Power Diode)、功率電晶體(Power Transistor)、整流器(Rectifier)、閘流體(Thyristor)以及類比IC中的電源管理IC (Power Management IC)等為功率半導體市場中的主要組成項目(圖一)...

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趙祖佑/工研院IEK/經理 指出：功率相關元件未來市場可期，但台灣目前在功率元件佔有率仍低，2009年只有3家廠商擠身全球三十大... 台灣功率元件產業鏈...技術能量...

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英飛凌蟬連功率半導體市場龍頭寶座，節能應用與再生能源領域的大幅成長更提升其市佔率

【2010 年 11 月 15日台北訊】英飛凌科技股份有限公司連續第七年於功率半導體及模組市場領域居於全球領先的地位。儘管市場在2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌仍全力達成鞏固市場地位，提升市占率之目標。根據市調機構 IMS Research* 的最新報告顯示，2009 年全球功率半導體市場出現萎縮，從前一年的 140 億美元縮減為 110 億美元，降幅達 21.5 %，但英飛凌的市佔率仍逆勢成長至 10.7 %。英飛凌在 EMEA 地區（歐洲、中東及非洲）維持領導地位，其市佔率增加 1.3 個百分點達 24.3 %，在北美和南美的市佔率則增加 0.4 個百分點達 11.5 %。而在競爭極激烈的亞洲市場中，英飛凌的市佔率仍增加 1.1 個百分點至 8.9 %。

英飛凌工業及多元電子事業處總裁 Arunjai Mittal 表示：「電力為運輸工具提供極佳的效率及安全性，同時也是最有效率及安全的耗能方式。功率半導體在提升涵蓋從發電、配電至最終耗電的電力供應鏈的節能效率上，扮演非常重要的角色。面對能源需求不斷攀升，英飛凌的解決方案為有效率的能源供應做出重要的貢獻。」  

功率半導體能強化電子裝置電源供應的能源效率。 在再生能源方面，功率半導體則有助於充分利用經由風力或太陽輻射能所產生的電力，並儘量減少能源在傳送過程中的耗損。

* 資料來源： IMS Research 研究報告： 「全球功率半導體分立器件及模組市場 (The World Market for Power Semiconductor Discretes & Modules)」，2010 年 7 月發表。IMS Research 是全球領先的市場研究和諮詢機構，為電子產業 提供聯貸市場調查報告、客製化研究和諮詢等服務，協助客戶更加了解市場並優化策略。該公司成立於 1989 年，在全球擁有 100 多名分析師，客戶遍及 50 多國。更多詳情敬請瀏覽：www.imsresearch.com

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英飛凌與金風科技簽署IGBT堆疊器技術授權合約，供應風力發電市場需求

【2010年11月25日台北訊】英飛凌(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與中國首屈一指的風力發電設備研發製造商新疆金風科技股份有限公司針對製造風力發電機所需的核心組件，簽署授權協議。

根據該項協議，金風獲得授權生產英飛凌IGBT(絕緣閘雙極電晶體，可將發電機之變頻輸出有效轉換適合各地區電網的固定頻率)堆疊器(stack)，用於MW(Megawatt)級風力發電機變頻器，此外，英飛凌也將供應IGBT堆疊器予金風。

金風科技董事長武鋼於簽約儀式上表示：「透過該項技術的引進以及後續自家生產，將有效穩定我們變頻器核心組件的供應，更為符合成本效益，同時強化內部變頻器的開發，提升產品的競爭力。透過這層合作關係，讓我們向英飛凌借取經驗，習得先進製程技術及品管經驗，對繼續提高公司的生產與控管大有助益。」

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英飛凌工業及多元電子事業處總裁Arunjai Mittal表示：「功率半導體是發電、配電及轉換應用等不可或缺的元件，我們的IGBT技術具備了高能效、高可靠性及耐用性。金風科技的決定代表了對於英飛凌領先業界的IGBT技術之肯定。」

英飛凌亦計畫於北京設立應用工程中心。隨著風力發電機朝高蓄電量及符合電網規範的方向發展，全功率變頻器已成為PMDD(永磁直驅)風力發電機(例如金風科技所製)最重要的組件。英飛凌自2007年起，就持續為金風科技供應IGBT堆疊器，用以開發及製造變頻器。自2009年7月，金風科技於北京官廳水庫設立第一座風機以來，採用英飛凌IGBT的變頻器可用率逾99%，並已通過多項極端條件的測試。

由於英飛凌IGBT堆疊器的品質及效能均十分出色，成為金風科技量產內部開發變頻器之首選。金風科技累積了近年來於發展變頻器方面的豐富經驗，加上北京的新廠即將開始投產，因此認為現在正是引進英飛凌技術的絕佳時機。金風已將IGBT堆疊器應用於1.5MW的風力發電機，並計畫於自產產量增加後，進一步應用於2.5MW以及量產中的3.0MW機型，日後也將延伸應用於仍在開發階段的6MW近海機型。金風預計於2012年中完成第一款6MW風力發電機的原型。

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有助IR開拓高速增長的數位功率市場
其數位功率平台與IR現有負載點技術及多相位產品相輔相成
有關交易預計將為2012財政年度每股盈利帶來裨益

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布已達成最後協議，以7,500萬美元現金收購私人公司CHiL Semiconductor Corporation (簡稱CHiL) ，最後代價取決於營運資金調整。這項收購使IR的技術陣營加入領先的數位功率管理平台，為運算系統、圖像、伺服器和遊戲設備等廣泛應用改善功率效率。

CHiL把專利的數位技術與混合訊號技術結合，提供節省能源的高性能多相位功率解決方案。有關的開放式架構針對數位控制，讓客戶能夠因應成本和性能目標設計功率系統，從而顯著減少占位面積及物料清單，並把許多類比功能融合到設計的數位核心。

IR 企業功率業務部副總裁及總經理Tim Phillips表示：「我們廣泛的行業領先產品陣營，例如DirectFET、PowIRstage和SupIRBuckIR系列，再加上CHiL的技術和專業知識，能為IR的客戶帶來獨特的價值主張，提供性能和成本效益兼備的完整端到端整合式解決方案。數位功率管理現在正進入快速採納的階段，IR在此時增添CHiL的技術將加強公司在這方面的市場優勢，有助把握業務增長機會。」

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Phillips補充說：「這項收購是繼我們在過去一年與CHiL成功建立策略性產品關係之後，順理成章的新一步。有關交易更會為IR增添一個經驗豐富的數位功率設計和應用工程團隊，使我們更加人才濟濟。」

IR策略及業務發展副總裁Vishwas Karve表示：「在未來十年，市場對節能產品的注重將有增無減，促使數位功率管理方案更廣泛應用於DC-DC轉換器、AC-DC轉換器、照明、逆變器和D類音頻系統等應用。IR對CHiL的收購即時擴大了我們在高效能運算和圖像領域的參與；中期來說也會在伺服器、儲存系統和筆記本電腦終端市場起著一樣的作用；長遠而言，效益還會伸延到IR其他縱向終端市場領域，包括節能產品、汽車產品和HiRel業務部。」

CHiL Semiconductor的CEO Ram Sudireddy表示：「IR對功率管理解決方案和節能技術的專注，使它成為我們的客戶和員工之理想合作夥伴。隨著數碼功率管理市場繼續擴展，IR與CHiL兩者技術的結合，能夠打造更具能源效益的解決方案。時至今天，CHiL已經在圖像、高效能運算及伺服器平台的廣泛領域中取得顯著數目的設計訂單，IR將讓我們如虎添翼，業務進一步增長。」

有關交易預計於2011年第1季度內完成。這項收購初期會為IR帶來每季約300萬美元的額外營運出支，但相關裨益預計可在公司2012財政年度的每股盈利中反映出來。

關於美商CHiL Semiconductor Corporation
CHiL Semiconductor Corporation致力開發高性能混合訊號功率管理IC，適用於伺服器、個人電腦及其他高容量運算市場。CHiL Semiconductor的元件與數位技術緊密結合，能夠準確監察和控制功率管理程序。CHiL的元件擁有獨特的智慧功能，顯著提升系統功率效率及性能，同時簡化系統設計、降低複雜程度。欲知更多資料，敬請瀏覽該公司網站 www.chilsemi.com。

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IR功率因數校正IC系列增強系統保護與安全 同時減少設計體積和整體系統成本

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR115x系列μPFC功率因數校正 (PFC) 整合式IC，適用於多種AC-DC應用，當中包括照明、液晶 / 電漿電視和遊戲機的開關模式電源 (SMPS) 、風扇、空調，以及300 W至8 kW的不斷電供應系統 (UPS) 。

該 IR115x IC系列利用IR的單週期控制 (OCC) 技術，提供高功率因數 (PF)、低總諧波失真 (THD) 和卓越的直流匯流排穩壓功能，同時比傳統的解決方案大幅減少零件數目、PCB面積和設計時間。該 IC系列能夠在連續導通模式控制下之升壓式PFC轉換器內運作，提供超過85-264 VAC輸入電壓範圍的平均電流模式控制。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「與傳統的PFC解決方案比較，IR115x結合了更多的功能及免除外部實施的需要，不但可以顯著降低整體成本，還能簡化功能豐富的PFC控制設計，並且帶來更強的保護和安全效能。」

新推出的μPFC整合式IC提供先進系統和保護功能，包括過壓保護的專用支腳、逐週期峰值電流限制、開環保護、VCC UVLO和可編程軟啟動。由用戶決定的微功率啟動及休眠節能模式，讓設計能夠符合如Energy Star、Green Power和Blue Angel等法規所規定的待機功率要求。除此之外，IR1152S和IR1153S還具有欠壓保護(Brown-out Protection) 功能。

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IR1155S按特定的應用需求，提供48kHz至200kHz的可編程開關頻率。IR1152S和IR1153S則分別提供66kHz及22.2kHz的固定開關頻率。這些元件都與IR的Ultrafast和Warp IGBT兼容，適用於額定功率高於 750W、開關頻率高達 100kHz的系統。

產品規格

元件編號	封裝	電壓範圍(V)	輸出電流(A)	開關頻率(kHz)	過壓保護	欠壓保護(Brown-out Protection)
IR1152S	8-支腳 SOIC	14V-17V	+/- 0.75	66	雙過壓保護	有
IR1153S	8-支腳 SOIC	14V-17V	+/- 0.75	22.2	有	有
IR1155S	8-支腳 SOIC	12V-20V	+/- 1.5	48 - 200	有	沒有

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快捷半導體功率開關(FPS™)技術超越「能源之星」的消費性電子和家電應用要求 整合式保護功能提高可靠性同時簡化設計


消費性電子和家電製造商需要能夠減少外部元件數目，提高可靠性，同時滿足或超越現今嚴苛的省能規定要求的離線開關模式電源解決方案。為協助設計人員滿足這一要求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FSL1x6系列環保模式快捷功率開關 (FPS™)元件，這些整合式PWM控制器具備專有的環保模式功能，提供了關斷時間模組化控制，能夠以線性方式降低輕負載條件下的開關頻率，從而儘量降低待機功耗。

FSL1x6系列元件專為高性能離線開關電源而設計，整合有脈寬調變(PWM)和SenseFET技術，而且只需最少的元件。FSL1x6系列元件包含整合式高電壓功率開關調節器，將內部耐崩潰SenseFET (650V)和電流模式PWM控制模組結合在一起，故此是錄影機、機上盒、DVD和DVCD播放機、家電和LED照明，以及變壓器等產品中的開關電源的理想選擇。

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FSL1x6系列具有低待機功耗特性，在265VAC 無負載條件下，待機功耗低於50mW，優於國際省能法規的要求，既能夠滿足現今的設計所需，同時繼續推動更低的待機功耗。新產品系列還具有精確的固定工作頻率，帶有能夠削弱EMI的抖頻(frequency jittering)功能。

FSL1x6系列提供強大的保護功能，包括穩健的ESD抗禦能力(HBM: 5KV, CDM: 2KV)、欠壓鎖定保護、過載保護、輸出短路保護、異常過流保護，以及帶有遲滯作用的內部過熱關斷功能、全自動重新啓動模式。FSL1x6系列還帶有最佳化閘極導通/關斷驅動器，以及具有溫度補償的精密電流源以用於迴路補償和故障保護電路。

相比離散式MOSFET與控制器解決方案，FSL1x6系列能夠減少元件數目，產品整體設計尺寸及重量，同時提高效率、生產力和系統可靠性。這些內置保護功能可以省去外部元件，可簡化設計同時降低BOM成本。

FSL1x6系列元件包括 FSL106HR、FSL106MR、FSL116HR、FSL116LR、FSL126HR、FSL126MR、FSL136HR以及FSL136MR環保模式FPS元件。FSL1x6系列採用8接腳雙列直插式封裝。

FSL1x6系列是快捷半導體全面廣泛的FPS元件的成員，能夠藉著提供創新技術和先進製程，帶來更高的性能和功能整合，幫助設計人員解決所遇到的工程技術挑戰。

快捷半導體： 卓越技術助您實現成功！

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台灣— 5月5日— Diodes公司近日推出了AP9050專用保護介面，為新一代功率管理IC (PMIC) 提供過壓保護。新元件包含一個低壓降穩壓器(LDO)和一個n通道功率FET，能夠妥善控制供應至PMIC的電流，在出現有效的牆式轉接器(wall adaptor)或USB供應電壓時將它啟動，當偵測到過壓情況時會立即關閉

AP9050的輸入供應電壓範圍介於3V到30V，能夠保護不同種類的可攜式產品，包括智慧型手機、行動電話和小筆電。這款元件採用多晶片技術和雙重外露焊墊DFN2020-6封裝，相較於同類型的Zener並聯穩壓器(shunt regulator)解決方案，它能夠提供更低的功率消耗和更高效率，達到降低熱度、改善系統的整體可靠性。

AP9050能夠提供高度穩定性，輸出部分不需要旁路電容，又能夠在−40ºC到+85ºC的溫度範圍內保持穩定的運作。新元件的最大面積為2.1mm x 2.1mm，離板高度為0.575mm，能夠支援高密度PCB設計。

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英飛凌向奇夢達破產管理人購買德國德勒斯登之廠房設備

【2011 年 5 月 12 日台北訊】德國英飛凌科技德勒斯登公司 (Infineon Technologies Dresden GmbH) 以總金額 1.006 億歐元，向德國奇夢達德勒斯登公司 (Qimonda Dresden GmbH & Co. OHG) 資產的破產管理人 Dr. Michael Jaffé ，購得該公司不動產與廠房設備。該筆物業毗鄰英飛凌在德國德勒斯登之廠房。所購置的不動產包含了無塵室和生產設備，以及先前歸屬德勒斯登奇夢達公司的 12吋晶圓廠，以符合公司策略性產能擴充的一部分。

奇夢達破產管理人在破產程序開始後，即已將無塵室設施保持在可運作狀態。英飛凌則從即日起接管了產權的全部剩餘項目及生產設備。

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透過取得該 12 吋晶圓製造設備，英飛凌為將來 12 吋功率半導體的量產潛能奠定重要的基礎。德國英飛凌目前正致力於一項研發計劃，針對以薄晶圓技術生產 12 吋晶圓功率半導體進行評估。為此，公司在位於奧地利菲拉赫 (Villach) 的工廠架設試生產線。本次購置的部分機器，將投入於該試生產線之陣容。英飛凌擬於今年會計年度內決定 12吋晶圓的量產時間和製造基地。

功率半導體可應用於多重領域，例如：電動車、風能和太陽能系統、各種類型馬達和發電機、電腦和伺服器、家用電器、平面電視以及遊戲主機，有助於大幅降低電子裝置的能源消耗。

透過該項交易，以及因考量持續強勁的接單與目前訂單之健康情形所驅使，帶動進一步擴充產能，英飛凌正準備將 2011 會計年度的資本支出預算從約 7 億歐元增加到 8.5 億歐元 (前一會計年度的資本支出金額則為 3.25 億歐元)。該公司對資本支出的定義，係包括財產、廠房和設備以及無形資產（包括研發投資成本）方面的支出。

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英飛凌節能晶片減少全球能源消耗，並大幅超越世界標準 – 於 PCIM Europe 2011 展示創新的電源管理產品及解決方案

【2011 年 5 月 19 日台北訊】英飛凌秉持「提升能源效率」(Energy – the efficient way) 的精神，於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2011 展覽（5 月 17 至 19 日）中展示一系列的創新產品及解決方案， 可確保大幅減少電子裝置和機械的能源消耗。

國際能源總署 (IEA) 預計全球未來 20 年內的能源消耗量將增加 35% 。全球使用的能源大約有 1/3 是以電力的形式消耗。電力需要長距離傳輸，過程中通常產生許多耗損。透過智慧部署的功率半導體，能將發電、配電及轉換過程中的能源耗損降至最低。這些節能晶片也能大幅提升電子裝置和機械的能源效率，確保最佳的節能效果。由於世界人口持續增加，讓節約能源的重要性逐漸上升：而這正是規模最大的可用資源之一。英飛凌身為領先全球的功率半導體供應商，推出 IGBT（絕緣閘雙極電晶體）、CoolMOS™、OptiMOS™ 和 SiC 等產品，為減少全球能源消耗做出重大貢獻。英飛凌的節能晶片可應用於所有類型的電子裝置，例如電視、電腦、電源供應裝置、遊戲主機、伺服器、馬達以及機械。

英飛凌電源管理與供應及離散式元件部門副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「使用英飛凌的節能半導體解決方案，可節省多達 25% 的全球耗電量。我們的產品大幅超越全球能源效率標準，因此更可以讓客戶獲得顯著的競爭優勢。」

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英飛凌在 PCIM Europe 2011 展覽所展示的電源管理產品及解決方案重點如下：

新型高速 RC-Drive (逆向導通) IGBT 利用高切換頻率實現高達 96% 的效率，同時縮小變頻器尺寸並降低成本

英飛凌新推出逆向導通 (RC) 600V IGBT 產品系列，新增兩款新型的開關功率裝置，可在目標應用上實現高達 96% 的效率。 新型的高速 RC-Drives裝置適用於採用電動馬達驅動的節能消費性產品，由於採用了體積較小的元件，因此整體成本低於其他系統。

英飛凌領先業界的新型 650V CoolMOS™ CFD2 技術，搭載整合式快速回復特性的等效二極體，讓伺服器、太陽能、電信 SMPS 和照明等應用之能源效率邁入全新境界

英飛凌以創新技術推出最新一代高壓 CoolMOS™ MOSFET，為能源效率設下全新標準。英飛凌展示最新 650V CoolMOS™ CFD2，這是業界首見具備 650V 漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。新型 CFD2 裝置延續之前的 600V CFD 產品的優點，不僅提升能源效率，也具備更為出色的軟性換流特性，因此能減少電磁干擾（EMI），提供產品明確的競爭優勢。

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SiC 蕭特基二極體 thinQ!™ - 採用符合 1200V 的 TO 封裝，實現高效率

隨著時間的進展，英飛凌第二代 SiC Schottky 二極體已演繹成為業界標準。英飛凌推出 1200V 二極體，採 TO-247HC（高沿面）封裝，讓原本就已豐富的產品組合更為多元。

新的封裝配置完全相容於TO-247 業界標準，因此可輕鬆置於現有設計，不需要額外費心處理。由於沿面距離增加，因此可提升安全餘裕，避免短路風險，特別是可能因為系統內部出現塵土而造成的電弧。這樣在避免封裝導線之間的任何污染時，可以減少使用額外化學（矽凝膠或乳劑）或機械解決方案（護層或錫箔）的需求，並享有精簡快速製程的所有優點。SiC 蕭特基二極體 thinQ™ 產品組合的目標應用包括太陽能、UPS、SMPS 或馬達驅動裝置，完全滿足客戶在提升能源效率及功率密度方面日漸增加的需求。

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新型 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列小型訊號 MOSFET

英飛凌優異的小型訊號 MOSFET通過車用規格認證 (AEC Q101)，廣受業界青睞。新推出 60V 邏輯位準 OptiMOS「606」系列。這些 60 mOhm 的邏輯位準裝置，在特定尺寸中具備同類產品最佳的 RDSon，並擁有低 Qg，可於低負載時提升效率。產品採用常見的 SOT89、TSOP6 和 SC59 封裝，特別適合需要節省空間及低耗電的應用。產品的目標應用包括：作為低耗電DC / DC轉換器的外部 FET，在適用於電動車、油電混合車及插電式油電混合車的電池能源控制模組 (BECM) 中進行平衡，以及作為多種微控制器的外部 FET。

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英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備

英飛凌擴大旗下的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 產品組合， 推出 60V 至 150V 之CanPAK™ 封裝產品，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感。OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及   Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。

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快捷半導體技術專家將於PCIM Asia 2011闡釋功率電子技術未來發展趨勢

全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)的技術專家將與來自電子界和學術界的專家一起，於二○一一年六月二十一至二十三日在上海舉行的PCIM (Power Conversion, Intelligent Motion) Asia 展覽會上發表演講，闡述功率電子技術的最新發展現況和未來的發展趨勢。PCIM Asia展覽會被公認為中國大陸功率電子領域最重要的會議。

快捷半導體亞太區市場行銷暨應用工程副總裁藍建銅表示：「本年度會議的議題廣泛，涉及功率電子元件和系統，以及功率轉換器、馬達驅動和運動控制系統及功率品質解決方案。快捷半導體位於亞洲的技術專家擁有豐富的知識，而且我們提供全面廣泛的產品系列，因此能夠安排多名人員演講，內容涵蓋各種議題和應用領域。快捷半導體將在PCIM Asia展覽會上發表八場演講，突顯出企業在業界的領導地位。」

藍建銅表示：「快捷半導體擁有領先業界的功率技術和功率系統專有技術，已經成為節能電子技術的關鍵推動廠商。PCIM Asia展覽會提供理想的平台，讓我們展示能夠提供最高效率的設計，在推動中國大陸以至世界各種新興電源基礎架構的發展上，發揮極為重要的作用。」