所有電子產品均會用到功率半導體，但台灣在這市場佔有率仍太低？

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英飛凌蟬連功率半導體市場龍頭寶座，節能應用與再生能源領域的大幅成長更提升其市佔率

【2010 年 11 月 15日台北訊】英飛凌科技股份有限公司連續第七年於功率半導體及模組市場領域居於全球領先的地位。儘管市場在2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌仍全力達成鞏固市場地位，提升市占率之目標。根據市調機構 IMS Research* 的最新報告顯示，2009 年全球功率半導體市場出現萎縮，從前一年的 140 億美元縮減為 110 億美元，降幅達 21.5 %，但英飛凌的市佔率仍逆勢成長至 10.7 %。英飛凌在 EMEA 地區（歐洲、中東及非洲）維持領導地位，其市佔率增加 1.3 個百分點達 24.3 %，在北美和南美的市佔率則增加 0.4 個百分點達 11.5 %。而在競爭極激烈的亞洲市場中，英飛凌的市佔率仍增加 1.1 個百分點至 8.9 %。

英飛凌工業及多元電子事業處總裁 Arunjai Mittal 表示：「電力為運輸工具提供極佳的效率及安全性，同時也是最有效率及安全的耗能方式。功率半導體在提升涵蓋從發電、配電至最終耗電的電力供應鏈的節能效率上，扮演非常重要的角色。面對能源需求不斷攀升，英飛凌的解決方案為有效率的能源供應做出重要的貢獻。」  

功率半導體能強化電子裝置電源供應的能源效率。 在再生能源方面，功率半導體則有助於充分利用經由風力或太陽輻射能所產生的電力，並儘量減少能源在傳送過程中的耗損。

* 資料來源： IMS Research 研究報告： 「全球功率半導體分立器件及模組市場 (The World Market for Power Semiconductor Discretes & Modules)」，2010 年 7 月發表。IMS Research 是全球領先的市場研究和諮詢機構，為電子產業 提供聯貸市場調查報告、客製化研究和諮詢等服務，協助客戶更加了解市場並優化策略。該公司成立於 1989 年，在全球擁有 100 多名分析師，客戶遍及 50 多國。更多詳情敬請瀏覽：www.imsresearch.com

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有助IR開拓高速增長的數位功率市場
其數位功率平台與IR現有負載點技術及多相位產品相輔相成
有關交易預計將為2012財政年度每股盈利帶來裨益

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布已達成最後協議，以7,500萬美元現金收購私人公司CHiL Semiconductor Corporation (簡稱CHiL) ，最後代價取決於營運資金調整。這項收購使IR的技術陣營加入領先的數位功率管理平台，為運算系統、圖像、伺服器和遊戲設備等廣泛應用改善功率效率。

CHiL把專利的數位技術與混合訊號技術結合，提供節省能源的高性能多相位功率解決方案。有關的開放式架構針對數位控制，讓客戶能夠因應成本和性能目標設計功率系統，從而顯著減少占位面積及物料清單，並把許多類比功能融合到設計的數位核心。

IR 企業功率業務部副總裁及總經理Tim Phillips表示：「我們廣泛的行業領先產品陣營，例如DirectFET、PowIRstage和SupIRBuckIR系列，再加上CHiL的技術和專業知識，能為IR的客戶帶來獨特的價值主張，提供性能和成本效益兼備的完整端到端整合式解決方案。數位功率管理現在正進入快速採納的階段，IR在此時增添CHiL的技術將加強公司在這方面的市場優勢，有助把握業務增長機會。」

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Phillips補充說：「這項收購是繼我們在過去一年與CHiL成功建立策略性產品關係之後，順理成章的新一步。有關交易更會為IR增添一個經驗豐富的數位功率設計和應用工程團隊，使我們更加人才濟濟。」

IR策略及業務發展副總裁Vishwas Karve表示：「在未來十年，市場對節能產品的注重將有增無減，促使數位功率管理方案更廣泛應用於DC-DC轉換器、AC-DC轉換器、照明、逆變器和D類音頻系統等應用。IR對CHiL的收購即時擴大了我們在高效能運算和圖像領域的參與；中期來說也會在伺服器、儲存系統和筆記本電腦終端市場起著一樣的作用；長遠而言，效益還會伸延到IR其他縱向終端市場領域，包括節能產品、汽車產品和HiRel業務部。」

CHiL Semiconductor的CEO Ram Sudireddy表示：「IR對功率管理解決方案和節能技術的專注，使它成為我們的客戶和員工之理想合作夥伴。隨著數碼功率管理市場繼續擴展，IR與CHiL兩者技術的結合，能夠打造更具能源效益的解決方案。時至今天，CHiL已經在圖像、高效能運算及伺服器平台的廣泛領域中取得顯著數目的設計訂單，IR將讓我們如虎添翼，業務進一步增長。」

有關交易預計於2011年第1季度內完成。這項收購初期會為IR帶來每季約300萬美元的額外營運出支，但相關裨益預計可在公司2012財政年度的每股盈利中反映出來。

關於美商CHiL Semiconductor Corporation
CHiL Semiconductor Corporation致力開發高性能混合訊號功率管理IC，適用於伺服器、個人電腦及其他高容量運算市場。CHiL Semiconductor的元件與數位技術緊密結合，能夠準確監察和控制功率管理程序。CHiL的元件擁有獨特的智慧功能，顯著提升系統功率效率及性能，同時簡化系統設計、降低複雜程度。欲知更多資料，敬請瀏覽該公司網站 www.chilsemi.com。

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快捷半導體的碳化矽 (SiC) 解決方案具備業界領先效率，並在功率轉換系統中提高可靠度
SiC 雙極電晶體 (BJTs) 是該產品系列的首批產品，能在高工作溫度下提供最低的總功率損耗


致力於實現更高功率密度，符合嚴格的效能法規及系統正常工作時間需求，工業應用及電力電子設計者在其設計中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰。 然而，在諸如可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車、井下作業設備等應用中，提高這些關鍵設計能力可能使設計變得複雜，以及整個系統成本增加。

為了協助設計者克服這些挑戰，全球領先的高性能電源和行動產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 將領導地位延伸至創新的高性能功率電晶體技術領域，宣告碳化矽 (SiC) 技術解決方案 是功率轉換系統的理想選擇。

快捷半導體將 SiC 型解決方案引入產品集，鞏固其在創新、高性能功率電晶體技術的產品領導者地位。

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快捷半導體的 SiC 解決方案能協助您：

•        充分利用快捷半導體的廣泛半導體元件產品及模組封裝技術的優勢來優化、半標準(Semi-Standard)及自訂技術解決方案
•        透過功能整合與設計支援資源簡化工程難題的先進技術，將元件數目降至最低，同時縮減工程時間
•        將領先的元件技術整合至更小的先進封裝，同時具備尺寸、成本及節能優勢，滿足元件製造商與晶片組供應商的要求

先進 SiC 雙極電晶體 (BJT) 系列是快捷半導體 SiC 產品系列首批發佈產品之一，具備高效能、高電流密度、耐用性高，且可輕易在高溫條件下運作。 快捷半導體的 SiC BJT 運用極為高效的電晶體，可實現更高開關頻率 ，因其導通和開關 損耗更低（約 (30-50% 不等)，在同樣的系統型態條件下，可提供高達 40% 的輸出功率。

這些強大的 BJT 能使用更小的電感、電容及散熱片，總體系統成本可降低 20%。 這些業界領先的 SiC BJT，憑藉其可實現超高效率以及優越的短路和反向偏壓安全工作區域的性能等級，將會在優化高功率轉換的電源管理應用中，扮演重大的角色。

快捷半導體完善的碳化矽解決方案還包含開發了一個「隨插即用」的離散式驅動器電路板（15A 和 50A）。其與快捷半導體的先進 SiC BJT 結合使用時，不僅提供更高的開關速度，從而降低開關損耗並實現更佳可靠性，還可讓設計者輕鬆的將 SiC 技術落實在本身的應用中。 快捷半導體還可提供應用指南，為設計者設計 SiC 器件提供必要的額外支援，使驅動器電路板的開發滿足特定應用需求。此外，其目的是減少設計時程及縮短上市時間。

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SiC BJT vs. 其他 SiC

迄今最高效率的 1200 V 電源轉換開關
•        最低總損耗，包括開關、導通和驅動器損耗
•         RON 為任何給定值時，在所有 1200 V 元件中，達到最低開關損耗

直接正向驅動(Straight-Forward Driving)
•        常關型(Normally-off)特性可降低風險、複雜性及性能受限的設計
•        穩定的基極輸入對過壓／欠壓峰值不敏感   

耐用、可靠
•        高工作溫度： Tj=175°C
•        由於 RON 的正溫度係數和
增益 的負溫度係數，可輕鬆並聯
•        穩定、可靠的 Vbe 正向電壓和反向阻斷能力

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

快捷半導體的 SiC BJT 在 TO-247 封裝和工程樣品中均有提供，現在可提供給優質客戶。  

快捷半導體在功率半導體中的專業技術，完美地符合正不斷發展的碳化矽市場需求 公司的 SiC 產品系列具備快速、靈活和整體性能優勢，目前其他競爭產品望塵莫及。 快捷半導體致力於提供解決方案幫助客戶成功，將繼續協同客戶提供多重市場半導體產品，重視創新、服務和生產卓越性。

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IR Gen8 1200V IGBT技術平台 為工業應用提升基準效率及耐用性


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越的性能。

嶄新的Gen8設計讓頂尖的Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台，彰顯出我們在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分百變頻，藉以更有效使用電能，並且綠化環境。」

新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助於把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過壓，以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄，在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時，可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻和達到175°C的最高結溫。

潘氏稱：「IR的Gen8 IGBT平台旨在為工業應用提供卓越的技術。該IGBT平台憑藉頂尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能，把工業市場所面對的艱巨難題迎刃而解。」