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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
, i# y6 ^8 Y1 U8 Y7 U" MESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
2 u- B1 O) \2 x* [/ B
8 C: U5 V# R) b5 ^; b% EEsd test summary:
  Z! v- C5 \1 Y+ U, A; _2 G9 y7 @* ?' B& x
ESD TEST ) I; s: p! a1 g0 C$ x

5 C8 C# f* _: `8 _' m  A: S
8 X) ]! j" |/ Q, f  JPAD
( F) m- |6 s  @; |- U! D/ @, K$ S

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
% Q: ~2 Z; V3 y8 J- Q! |# R4 b: n" v2 B) Z4 l2 f/ n$ L" G6 g
整體佈局
, C: }& y* v! `! b  k1 X) N
  k- o9 q9 K4 @$ s5 j& q6 vpad    layout
" r, p/ r; u) Q+ nvdd&pin 28-38,1  esd protection" l2 ~! E) R/ W7 ]6 n% _

3 o0 }" v. Y5 xpad 39 40 esd  protection
' _+ v! Y" O. e, \
6 S. w* H* n; w5 bgnd &pad7-14 esd  protection( j# k3 z9 L9 _

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 $ o- I" I) O- L1 V# U( `% g

! X8 o, b- v# T( K. y. D& ]3 f) Y. r& P$ @  R7 |- q+ z
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
0 \- [8 d1 `0 j+ ]: ?: W) I7 e4 q, H0 y! K# q( D& k9 ~) H

1 e+ t5 H/ P5 n. @, [+ d% ~輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
+ ~# ~' |5 q& h% w1 B! U# f可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 4 a' J( V) L( T: U  J; ]6 e( K0 s5 t
/ {4 X% ^0 Q; W# h

. U! ^6 _! ~) L. h; s9 H5 w   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
; Z' h$ u, }, V+ B我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
) }; I3 F0 o. v0 |
' u3 Z. x( O- `: P* c4 M; C
. K" ~& U+ |8 R( N) M2 Y    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 0 _9 y% R/ f, V' g* G
5 T' C# K& \: P9 q
回復 12# jian1712
2 e/ m! v+ ~2 S3 Z" V1 N2 G2 C" N. \, A3 S+ j
; g1 y3 p3 I$ a& S' v* @' {$ j
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
+ G- S1 O) ^" Y9 A6 k2 A( k) i& `8 w

8 t" g- d; O7 F+ N0 g8 B  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 7 X* @7 |. |2 {& n- v9 A

  _  k) X! [% m9 q2 R  o& P; u' E: m# W4 W! |$ K
   
3 i. [* u: O/ J4 i: {* Q* a" d2 g* O( {- K# T1 O! }
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
: R2 x* U- H* S( \0 e4 o" C6 c8 u& F) ?0 L9 S: _
  ]& S5 M" z7 ?
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,/ a! W. d( m6 d0 i
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,+ }' {) ~( {, X( \5 K6 }9 \
這是相當容易造成gate端燒燬,: F& c+ M3 M) l- N+ y
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,- i# N7 Q3 [" X8 f1 ?" R7 Q7 t" \
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,; Y& a, [8 \1 E# H( g1 \& V
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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