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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.7 g* y0 ]! I/ F
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
0 H" d& j% X0 I% h2 D7 N* _: u+ Q
1 t+ r1 ^6 W: n) N1 }1 {8 t1 v4 kEsd test summary:8 N' E! y3 m+ \8 S4 V

& _$ t1 z- F: Z1 r2 B& FESD TEST ; L; m( \6 c0 N' `6 f: z9 z1 @

3 N3 e. R& h2 Z1 I2 O2 y
- _2 H, s, H. a, b. s2 N) Z' A6 V6 @PAD
# x  n( N  T3 n8 ]( S, r0 r: f4 g& S

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
3 p  i8 m; g% G: ?8 [7 T5 W6 D: f9 z" r# f6 f
整體佈局
* H0 @0 [2 K: E6 l
2 F' h% h7 h$ W5 vpad    layout1 l, K+ K  ]/ @9 y
vdd&pin 28-38,1  esd protection
4 S: P( u# w2 }
1 Y- c2 M1 k5 ?0 xpad 39 40 esd  protection1 U) H. G& J1 K/ [3 w
' o! g( S& l7 h  x1 U0 G  b2 S
gnd &pad7-14 esd  protection6 o# s% ?- D) `7 {. a4 l& w

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
  C: q; O; {' x- C- ^- I
1 h( b4 l% E7 j1 K% x9 l0 ]: r- {: G/ A, W7 g% u' ?, V
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
$ x! Q( F% g7 X3 l6 C% h% \& K* M& v  n% D+ _$ e7 {
. x6 \, s  z7 O  u& N* H
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong ; B5 Y, Y0 N& Y' @
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
( ~% c* V$ k; c: y/ L& P6 Z
+ Q0 [) f4 e. \4 d9 i5 z4 D2 f; J9 R7 s3 [& w
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong8 }2 l: P& |( @" Y
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
9 ^* Q& Y# ]  L% ~+ m- c- i8 F5 H1 S6 \3 s0 I* j! k
9 @& Q, b: j. ]) l$ V' j
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
' k6 j7 t4 t% v3 d& `4 k
" y7 I6 o% [$ R) W: U# Z回復 12# jian1712
/ G  a3 Y+ W6 S; w0 [! _# d, ?( O' n6 z, i$ V8 v

  a9 ~, W& t9 g- o4 Y, o  |    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。, D- A" w; N0 O, {1 `3 w& ~4 l
  w3 t" s0 J/ C6 n/ D! t
2 ~$ m" G( q& u$ X9 j" |
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 : y9 V3 F% p" ^+ {" N2 I
6 Y% l: ^6 i6 ?! M+ _- d) w
: m) W' N/ B# x  b; b( |
   
& v) s1 D0 B) H: a; u. p
- d2 A  r* i2 ^$ T* @  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
. ^2 b1 @) M. L6 h& h' c" m2 q' U* N0 g9 @7 u9 N
7 p( T# x0 \- \/ j: N
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,$ k' {3 _5 \: |- a4 U5 G  H
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
2 [- Z1 D: n% s0 l. l+ Z! A這是相當容易造成gate端燒燬,9 y6 ]1 P% r  h  B5 k0 l$ w
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
, m0 F, U4 N6 f而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,4 w) \4 {+ J3 e. A
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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