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[問題求助] TSMC 0.18um 電阻精準度問題

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發表於 2011-1-8 16:09:52 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
我最近剛接觸TSMC 0.18um製程,想在電路裡面製作一個較精確的電阻* m% ]/ W4 n3 V6 w/ D+ j
這個電阻是要用在高增益高頻寬轉阻放大器(TIA)當中當作resistive load使用,大小是數個kohm
( e0 R+ H& Z; q! O3 `  s, e3 E/ B7 T0 |0 X0 a7 m5 m. B" N1 c6 S
目前查過製程文件資料,發現diff電阻的sheet resistance (Rsh) 的變異量似乎比poly電阻更小
; n7 g) s, q# b9 ?2 X8 mp+ poly w/i silicide Rsh變異約 30%  (7.x 正負 2.x)
. f5 V  E. n6 H( l2 Zp+ poly w/o silicide Rsh變異約 15%  (3xx 正負 50.x)$ G4 R4 u: H( @3 K5 u  c
n+ diff  w/o silicide Rsh變異小於 10%  (5x 正負 5.x)9 e0 E& ?3 p( _+ I6 l* `
) X4 C, j5 j6 w0 \' \* h4 A8 G; p
但是查了一下先前論壇上的文章,似乎是說poly電阻做的比diff電阻更精準??
3 m5 \, R: P9 M可以請各位前輩說明一下嗎?
: S/ K! y- C; b, W" _
- f( m5 f1 C8 F另,如果想要使用這些電阻做為resistive load,是建議使用poly w/o silicide 還是 diff w/o silicide呢?
1 u* W0 }7 U8 g  N1 q感謝回答。
發表於 2011-1-11 11:18:29 | 顯示全部樓層
絕對阻值用diff% x) ~! I- w/ [; o9 ?- |: a
相對阻值用poly! g+ A7 K+ D% C5 h8 K4 G
面積考量用 p+diff or poly# p5 p$ f) l1 ?7 i8 S
溫度考量用poly0 S) w- s- c: ~) Z
poly 電壓考量用 p+
  e/ u1 U0 a/ p7 q" A! |8 ?diff 電壓考量用 n+

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參與人數 2感謝 +2 Chipcoin +4 收起 理由
frank822 + 2 good information
semico_ljj + 2 + 2 不錯!

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發表於 2011-1-11 15:48:37 | 顯示全部樓層
回復 2# shangyi
) u' i  ~" v8 X2 z! ~3 t4 p8 d8 I1 @$ q% V, X2 j6 |- e! |/ T2 T
( z5 [1 d5 J8 f+ B
    可以請大大開示一下嗎??
/ d% G4 r. M, b1 D7 v這結果是怎麼來的?? 很有興趣想知道 : f$ w9 L8 P7 e0 b: r
關於製程我一俏不通。
發表於 2011-1-12 21:40:58 | 顯示全部樓層
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
發表於 2011-1-12 21:41:04 | 顯示全部樓層
还是需要大量时间来实践,才会有实际的感觉
發表於 2011-11-2 11:17:56 | 顯示全部樓層
shangyi大大所述很具有參考價值~$ D6 t2 f, Y( v2 {, R

( t2 J, w! N9 @1 |謝謝分享~
發表於 2012-2-18 11:57:27 | 顯示全部樓層
感謝shangyi 大分享
6 u& F  d) l" D' s& }7 _$ j" [3 S獲益良多
發表於 2012-3-13 13:18:04 | 顯示全部樓層
感謝shangyi 大分享8 ]8 `8 H6 Z7 Y$ p$ l
6 E1 z2 i# b" K: t獲益良多
發表於 2012-4-11 23:29:01 | 顯示全部樓層
自己翻書找找看制程工藝方面的解釋~~
發表於 2012-4-19 11:12:17 | 顯示全部樓層
我只能提供8 A+ _2 p9 _0 S' c7 K
poly製程漂移大約是20%: {! P5 C8 ^% n  j
所以絕對值的話用poly要考慮清楚喔!
發表於 2013-10-13 13:50:52 | 顯示全部樓層
絕對阻值用diff& s4 a, g" o' R9 ~6 m% a* |
相對阻值用poly+ m8 Z5 H% a; K6 Y: P3 i4 k! K* N$ q  F4 ~
面積考量用 p+diff or poly& ]; @" l- t2 C* e/ o4 G2 b
+ ~8 G! g. h& u; d' N% k" _0 ^# M溫度考量用poly- i7 |) S2 z3 x. j/ Z& ]
poly 電壓考量用 p+
# A1 B+ s7 J1 o; P* b# ]. rdiff 電壓考量用 n+3 e' B4 w( g! ^

# _# w' x, w' I/ n請問這些考量是如何得知的?/ |8 g, R/ k  P$ ^
很好奇, P# Y+ }* U/ C, S, a3 `1 J8 z
我家都是POLY
發表於 2013-12-5 16:48:33 | 顯示全部樓層
poly比較不會有實際運用的問題..
2 Z4 ]) U5 `6 k! c' p& n5 s( G4 hdiff和od阻值易受body的影響
發表於 2021-7-31 18:17:37 | 顯示全部樓層
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
發表於 2021-8-19 00:15:02 | 顯示全部樓層
謝謝分享謝謝分享謝謝分享
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