太陽能逆變器需求大增 2011年兩岸產業出貨量持續攀升

amatom

(台北訊)過去太陽能逆變器產業幾乎由歐美逆變器業者瓜分市場，兩岸業者僅小量出貨，因2010年逆變器供不應求，兩岸太陽能逆變器業者需求量大增，出貨量均創歷史新高。

DIGITIMES Research分析，當缺貨狀況到2010年第3季告一段落，2010年第4季兩岸業者的出貨量明顯下滑。當全球知名太陽能逆變器業者於2010年以2、3倍甚至更高的速度擴充產能，加上上游零組件缺料疑慮解除，太陽能逆變器供給缺口得以補足時，兩岸業者能否持續獲得訂單，成為市場一大疑慮。

目前台廠逆變器均獲得多數國家併網認證，產品品質有相當水準，DIGITIMES Research分析，兩岸在策略部份，台廠以替歐美逆變器業者代工為主，多家業者訂單已排到2011年第1季；而大陸多數業者因產品僅獲得大陸金太陽併網認證，因此著重在以品牌主攻大陸內需市場。兩岸業者在策略、定位及價格上都有區別。

目前太陽能逆變器產業雖仍由歐洲業者主宰，但2010年亞洲業者的出貨量已大幅攀升，新進業者快速增加。未來太陽能逆變器市場成長性高，兩岸業者在此市場布局機會大。

DIGITIMES Research分析，即便2011年台廠可獲得的代工單可能下滑，但長遠來說，因太陽能逆變器價格會持續走跌，當毛利率持續下滑，國外大廠為求經濟效益，便會開始大量委外代工，以求降低成本，且委外代工後可更專注於提升售後服務及行銷推廣。

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大陸政府為發展國內併網型太陽光電市場，近年開始推出各種不同的補助方案，此外，近期推出的十二五計畫更將新能源產業列為發展重點之一，後續相關補助方案出爐，都提供大陸逆變器相當大的市場。

DIGITIMES Research預估，大陸業者受惠於大陸內需市場，2011年出貨量將持續攀升，目前大陸的逆變器品質與國外逆變器相比雖有落差，但長遠來說，大陸業者可透過在當地市場的應用，不斷調整改進產品性能，將產品提升到一定程度後再打入國際市場。

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(台北訊)走過2010年太陽光電市場，上半年在德國一次性大幅調降補助的議題中，呈現淡季不淡走勢，DIGITIMES Research分析，下半年在其他市場傳統旺季接棒下，需求持續熱絡，一反各界在年初對於市場將持續供過於求的價跌預期，反而整年均處於缺貨狀態，也因此帶動價格逐月攀升，使主要太陽能廠都過了豐收的一年。

德國、義大利與捷克是2010年全球前3大太陽光電市場，3大市場太陽光電系統新增裝置量佔全球需求約66%比重，其他如日本、美國、法國、西班牙、大陸等，都是2010年成長幅度較大的市場，根據各國官方單位統計與全球各太陽能廠出貨狀況，DIGITIMES Research分析師兼專案經理梁智恆預估，2010年全球太陽光電系統新增裝置量較2009年成長135.2%，達17.2GWp。

為了調控太陽光電需求成長速度，2011年歐洲主要太陽光電市場皆有不同程度調降補助方案的動作，也為2011年太陽光電市場需求埋下變數，梁智恆預估，歐洲市場的需求增長將趨緩；反觀歐洲以外的市場，由於太陽光電系統價格逐年下降，日本、亞洲地區與北美市場正蓄勢待發，2011年起各國太陽光電市場需求將不再是過去逐年成長的走勢，將視各國能源政策與補助方案的態度而定，過去單一市場主導全球需求的影響力亦將淡化。

受補助調降影響，歐洲國家如捷克、西班牙2011年的需求將大幅衰退，但義大利、日本、美國、新興太陽光電市場的需求仍強，可抵消歐洲部分市場衰退的衝擊，梁智恆預估2011年太陽光電系統新增裝置量可望小幅成長17.5%，達20.2GWp，2012年太陽光電市場將因系統價格下降，開啟更多市場需求後重拾成長動能。

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在供給端，由於2010年各主要業者均大動作擴產，幅度以兩岸業者為最，2011年大陸與台灣太陽能電池與矽晶圓產能皆較2010年倍增，在全球需求趨緩與供給倍增下，補助調降與供過於求的陰影已對價格形成壓力，尤以太陽能電池與模組端壓力最重，上游業者在新增產能逐漸到位後，過去賣方市場的優勢也將改變。

jcase

洛杉磯, 2011年8月1日 /美通社-PR Newswire/ -- 臺灣的逆變器製造商 OPTI-Solar 為該公司的 GT 系列逆變器發佈了新型無線記錄儀。多彩的設計、大型的觸控式螢幕、使用者友好型軟體，使它成為居家或辦公時進行光伏監控的完美選擇。

該設備具有一些有趣的特性，包括擁有單一記錄儀並且連接到 OPTI 中央伺服器和外部感測器和多逆變器監控，這樣可以在任意地點進行網路監控。

所有資料都存儲在 SD 記憶卡中。使用者可以透過電子郵件、簡訊和傳真來收取每日報告和事件提醒。使用者還可以將資料轉存到 USB 快閃記憶體盤裡。

該產品將在今年十月於達拉斯舉辦的美國國際太陽能光電展 (SOLAR POWER INTERNATIONAL) 上正式發佈。

OPTI-Solar 去年將用於住宅和商業安裝的光伏並網逆變器引入了北美，並且在洛杉磯的工業市建立了銷售和服務中心。

消息來源 OPTI-Solar

innoing123

配有原理圖與全面性軟體演算法資料庫的高電壓、字串就緒、隔離式逆變器套件或低電壓模擬套件　簡化太陽能設計

(台北訊，2012 年 2 月 7 日)   德州儀器 (TI) 推出兩款 C2000™ 32 位元 Piccolo™ 和 Concerto™ 微控制器 (MCU) 的新型太陽能套件，以實現更環保的世界。該新型太陽能套件爲再生能源市場提供先進週邊、針對應用的開發硬體、原理圖 (schematics)、全面性軟體演算法資料庫和業界領先的開發環境，使設計人員能簡易地開發太陽能逆變器設計，同時評估各種太陽能演算法與拓撲。

C2000 高電壓太陽能開發套件的特性與優勢：
•C2000 太陽能開發套件是 TI 首款完整的高電壓、字串就緒 (string-ready)、隔離式 MCU 控制型太陽能解決方案，可幫助電源設計人員開發高電壓太陽能應用；
•該太陽能開發套件包含兩塊單獨的開發板，可提供雙控制器 (dual-controller) 設計，使開發人員能使用高電壓功率級 (high-voltage power stages) 和處理器間通訊系統 (inter-processor communications systems) 進行開發；
•主板 (primary board) 具備支援高達 500W 功率的 300VDC 相容型輸入級，其擁有針對最大功率點追踪 (MPPT) 的交錯式升壓級 (interleaved boost stage)，以及用於隔離的共振 LLC 級 (resonant LLC stage)，以上兩者均由單顆 Piccolo MCU 控制。副板 (secondary board) 則具備帶電網匹配功能 (grid-matching) 且支援 120/220VAC 輸出的全橋式 DC/AC 逆變器，可由單顆 Concerto 或 Piccolo MCU 控制，因此能在單個處理器中同時提供控制與連結能力。

innoing123

C2000 低電壓太陽能學習套件 (Solar Explorer Kit) 的特性與優勢：
•該太陽能學習套件支援 Piccolo 和 Concerto C2000 MCU，同時提供完整的非隔離式設計，與具有多個可採用單個低成本數位控制器進行控制的功率級，以上特性極適合設計太陽能與再生能源應用；
•該太陽能學習套件包括多個 DC/DC 轉換以及一個支援 12VDC/100W 輸入級的 DC/AC 級，以實現安全、低成本的架構，適用於桌上型電腦或低電壓台桌上型試驗室 (bench top experimentation lab) 環境，以進行學習數位控制式功率級或非並網 (non-grid-tied) 應用。這些級皆由單顆 Piccolo MCU 控制；
•該太陽能學習套件具有用於 MPPT 的單開關 DC/DC 升壓、用於電池充電的 DC/DC SEPIC 以及驅動 24VAC 的全橋式 DC/AC 逆變器，可實現低電壓太陽能設計的高靈活度。此套件還包括一個控制太陽能板模擬電路 (solar panel emulator circuit) 的輔助處理器 (secondary processor)，其具有用於光感測的光電二極體 (photodiode)。
•為 C2000 Concerto MCU 提供了可選式支援，因此可透過一個內置的乙太網連結 (included Ethernet-connected) 圖形使用者界面 (GUI)，為數位控制器增添連結功能。

用於太陽能學習與開發者套件 (Solar Explorer and Developer’s Kits) 的軟體
身爲簡化太陽能開發的關鍵角色，TI 提供了完整開放原始碼軟體與工具以簡化開發工作。而作爲 MCU 裝置 C2000 系列的一部分，兩塊太陽能開發板在 controlSUITE™ 軟體産品中均獲得全面的支援。透過 controlSUITE，設計人員能迅速找到太陽能開發套件所有必需的工具和文件資料，包括通用演算法資料庫及再生能源專用功能。

價格與供貨
新型太陽能開發套件現已開放訂購。高電壓太陽能開發者套件 (TMSHVMPPTKIT) 建議售價為 550 美金；配套的 Concerto 或 Piccolo 逆變器電路板 (TMSHV1PHINVKIT) 建議售價為 450 美金。低電壓太陽能學習套件現已開放訂購，並提供兩種版本 － Piccolo MCU 版 (TMSSOLARPEXPKIT)，建議售價為 425 美金，以及 Concerto MCU 版 (TMSSOLARCEXPKIT)，建議售價為 575 美金。

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英飛凌推出新型 OptiMOSTM 40V 和 60V 產品，為功率密度和系統效率立下新標竿：優值係數比其他同型裝置低 45%


【2012 年 2 月 8 日，台北訊】英飛凌科技股份有限公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）今日在 2012 應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC) 中宣布推出新OptiMOS™ 40V 和 60V 產品系列，適用於伺服器和桌上型電腦之交換式電源供應器(SMPS) 的同步整流，也是馬達控制、太陽能微型逆變器和快速切換 DC/DC 轉換器等多種工業應用的最佳選擇。英飛凌新推出的 OptiMOSTM 40V 和 60V 產品具有最低的導通電阻 (RDS(on)) 和最佳化的切換特性，能達到提供更高的效率及功率密度要求。

由於資料處理的速度及功率需求不斷提高，AC/DC電源轉換器 設計人員面臨提升系統效率及功率密度的挑戰，同時還必須降低系統成本，而英飛凌新推出的 40V及 60V MOSFET 可同時解決這些問題。

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英飛凌低壓功率轉換部門資深協理 Richard Kuncic 表示：「英飛凌率先推出採用 SuperSO8 封裝的 1mΩ 40V MOSFET，能將 1kW 伺服器電源供應器之同步整流所需要的 MOSFET 數量減半，減少MOSFET並聯使用的麻煩，並且大幅提升功率密度。」

太陽能逆變器從高效能半導體元件所得到的效能改善更明顯。在一般的太陽能逆變器拓樸中，包括最大功率追蹤所使用的的降壓/升壓拓撲或微型逆變器所使用的的諧振全橋式轉換拓撲等等，半導體元件之RDS(on) 和切換特性都同等重要。在太陽能微型逆變器採用英飛凌新型 60V 系列中的 BSC016N06NS，其封裝 採用 SuperSO8 (5mmx6mm) ，在 20% 負載狀況下可提升 1.5% 的效率。

新 OptiMOSTM  40V 和 60V 更多資訊

新 OptiMOSTM 40V 和 60V 系列採用英飛凌的先進薄晶圓技術，相較其他同型產品，導通電阻RDS(on) 降低了 35%，優值係數 (RDS(on) x Qg) 則降低 45%，此項規格的提升有助於改善伺服器電源供應器二次側同步整流器內 10% 的功率耗損。

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此外，以單一整合結構，達成具有近似蕭特基二極體之本體二極體特性於1mΩ 和 1.4mΩ 40V 之SuperSO8 封裝產品，可減少同步整流器的逆向回復電荷 (Qrr)，進而降低導通損失，提高效率。此外，也能大幅降低同步整流器截止時的電壓峰值，因此可減少緩振電路的使用，省下工程成本及縮短驗證時程。

上市時程與定價
採用 SuperSO8 和 S3O8 (3mmx3mm) 封裝的新OptiMOS™ 40V 產品，RDS(on) 規格從 1.0 mΩ 至 2.3 mΩ，單價分別為1.05  和0.5美元（以一萬個單位為批量）。

採用 SuperSO8 封裝的OptiMOS™ 60V 產品，RDS(on) 為1.6mΩ 和 2.8mΩ的定價分別為 0.85 和 0.65 美元。此外亦提供 TO-220、S3O8、I2PAK (TO-262)、D²PAK和 DPAK (TO-252) 封裝，6.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 0.54 美元，1.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 1.5 美元（以一萬個單位為批量）。

有關新 OptiMOSTM 40V 和 60V 的詳細資訊，請瀏覽：www.infineon.com/newoptimos

英飛凌新OptiMOS™ 40V 和 60V 產品將於美國佛羅里達州奧蘭多市舉辦的 APEC 2012（2 月 5 - 9 日，801 號攤位）中展出。

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瑞薩電子宣佈推出可將電源轉換電路整合於單晶片之低損耗碳化矽(SiC)功率裝置
可為空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統提供更佳的電源效率


2012年2月10日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈開發採用碳化矽(SiC，註1)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD) RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統。此新款裝置亦整合了由日立(Hitachi, Ltd.)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可達降低約40%的低功耗表現。
近年來，為了促進環境保護，許多類型的系統對於高效能電源供應電路的需求仍持續成長。部分產品對於高效率電源轉換的需求特別高，例如空調、通訊基地台、PC伺服器及太陽能發電陣列，這些產品需利用電源切換電路或變頻器使馬達控制更加精準。因此，使用於上述電源轉換電路的二極體必須提供更快的切換速度及低電壓運作。瑞薩電子已研發新款SiC SBD以因應上述需求。

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新款RJS6005TDPP SiC SBD的主要特色：

(1)更快的切換速度，相較於現有產品可降低40%的損耗
新款RJS6005TDPP SiC SBD具備15奈秒的逆向恢復時間(註2) (標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/μs)，相較於瑞薩電子採用矽材料的現有產品，速度約提升40%。相較於瑞薩電子採用矽材料的產品，將可提供更快的切換速度並降低功率損耗約40%。
另外，即使溫度上升，仍可維持理想的逆向恢復時間，因此可在高溫環境中維持一貫的低切換損耗。

(2)低電壓運作
新款SiC SBD具備僅1.5伏特(V)的額定電壓(順向電壓，VF)，低於現有矽快速觸發二極體產品。另外，此特性的溫度依存度較低，在高溫環境下仍可確保獲得穩定的順向電壓。這表示可採用尺寸更小的散熱方式。

新款RJS6005TDPP SiC SBD採用等同於業界標準完全塑模的TO-220封裝，而且腳位也是相容的。這表示可使用RJS6005TDPP SiC SBD替代現有印刷線路板上的傳統矽二極體。

瑞薩電子的產品系列涵蓋3安培(A)到30 A，電壓耐受度600 V，功率裝置的設計符合高輸出系統對於更佳能源效率的需求，例如空調、通訊基地台及太陽能發電陣列，並計劃推出電壓耐受度1,200 V的系列產品。瑞薩電子的目標是為客戶提供結合MCU及類比與功率裝置的整體解決方案，並成為功率裝置的領導供應商。瑞薩計劃以新款高電壓SiC SBD功率裝置做為核心，輔以周邊電源供應控制IC、高效能IGBT、高電壓超接面MOSFET及光耦合器等，擴增其套裝解決方案及化合物半導體裝置產品線。

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價格與供貨
RJS6005TDPP SiC SBD已開始供應樣品，單價為美金5元。預定2012年3月起開始量產，並預估至2012年8月達到每月10萬顆的產能。(價格與供貨情況如有變動，恕不另行通知。)

(註1)碳化矽(SiC)：
有多項特性超越矽的一種材料，例如導熱、允許作業溫度、輻射曝露及絕緣擊穿電場強度等，在低損耗功率裝置方面具備極大的發展潛力。

(註2)逆向恢復時間(Reverse recovery time)：
二極體在流入規定的順向電流後，從開啟狀態切換至關閉時，接面中所累積的少量載子會導致產生逆向電流。逆向恢復時間用於表示在切換至關閉狀態後，恢復至規定電流值所需的時間。

Product Specifications of the RJS6005TDPP SiC SBD

1. Specifications of RJS6005TDPP

Peak reverse voltage (VRM): 600 V
Average rectified current (Io): 15 A
Forward voltage (VF): 1.5 V
Reverse recovery time (trr): Standard 15 ns (ID = 10 A, VGSS = 10 V)
Rated channel temperature (Tch): +150ºC
Package: TO-220, fully molded

2. Supplemental Diagram: Temperature Dependence of Forward Voltage

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英飛凌推出革命性採直驅技術的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列產品   將太陽能逆變器的效率提升至新境界


【2012 年 5 月 9 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於 PCIM Europe 2012 展覽中宣佈推出最新 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC（碳化矽）市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點。

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飛凌一直以來持續針對需要高效率功率管理的市場推出革命性技術。此次推出的 CoolSiCTM 同樣也是具革命性、高度創新的技術，尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。 運用英飛凌最新的 SiC JFET 技術，客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。」

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相較於 IGBT，全新的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損，可應用更高的切換頻率，不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件，進一步縮小整體解決方案的體積與重量，並降低系統成本。換句話說，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性，英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC，確保系統能安全開啟，而且能在安全且受控制的情況下切換。

CoolSiCTM JFET 採用單片整合二極體，切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下，此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。

上市時間與定價
CoolSiCTM JFET 產品及驅動 IC 將從 2012 年第二季開始提供樣品。第一批 OEM 量產預計於 2013 年上半年開始。IJW120R100T1 (100mOhm) 單價為 24.90 美元（18.44 歐元）（以一千單位為批量）。更多有關英飛凌新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列的詳細資訊，請瀏覽 www.infineon.com/coolsic

英飛凌將在德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2012 展覽中（2012 年 5 月 8 至 10 日），展出新型的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 產品（12 號大廳，404 號攤位）。

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(20120516 17:39:37)領先的美國光電（太陽能）逆變器製造商Solectria Renewables, LLC今天宣佈，全球最大的高聚光型光電(CPV)發電廠投產發電。該發電廠共採用了500多個大型CPV底座、智慧逆變器和雙軸追蹤器。該發電廠位於科羅拉多州阿拉莫薩(Alamosa)，占地逾225英畝，其Google地圖座標為：37.5986,-105.9521。科羅拉多州聖路易斯谷(San Luis Valley)海拔高，是美國最佳的太陽能發電地區之一。

在全國表現活躍的獨立電力供應商Cogentrix Energy, LLC（總部位於北卡羅萊納州夏洛特）為他們的30兆瓦阿拉莫薩太陽能發電專案選用Solectria Renewables的公用事業規模逆變器，其所看重的是該產品在高海拔地區的業界領先產品性能，以及在惡劣沙漠條件下可靠運轉的良好記錄。

該發電廠以115kV輸電電平互連，使用最先進的PV發電廠控制器，從而使營運商可以選擇多種智慧電網營運模式。該發電廠可提供大量無功功率，擁有封閉式功率因數控制和交流電壓調節功能。此外，該控制器還能調節發電廠的太陽能輸出，在需要時幫助調節電網頻率。

Solectria Renewables總裁Phil Vyhanek表示：「阿拉莫薩專案展示了我們智慧電網逆變器的強大性能，該逆變器將在未來幾年內在整個美國投入使用。我對公司能源系統工程團隊所取得成就深感自豪，而我們成立該團隊的目的就是為Cogentrix等大型發電廠客戶在發電廠測試和認證階段提供支援。」

globe0968

Solectria Renewables, LLC將參加2012年5月15日至17日在科羅拉多州丹佛舉行的世界可再生能源論壇(WREF)，攤位號碼801號；還將參加2012年5月16日至18日在中國上海舉行的SNEC上海國際太陽能光電展，攤位號碼E2廳275號。

關於Solectria Renewables, LLC

Solectria Renewables, LLC總部位於美國，是一家服務於住宅、商用和公用事業規模太陽能發電設施的領先光電併網逆變器製造商。該公司多元化的高效率產品能為從1千瓦住宅用發電系統到多兆瓦太陽能發電廠提供發電解決方案。Solectria Renewables的卓越產品得益於該公司在電力和逆變器產業20多年的深厚經驗，而且該公司的產品可享受世界級的保固服務。該公司的所有商用和公用事業規模PV逆變器都在美國製造，符合ARRA標準、安大略省FIT計畫的內容規定，以及UL 1741/IEEE 1547標準。欲瞭解有關Solectria Renewables的更多資訊，請瀏覽http://www.solectria.com。

關於Cogentrix Energy, LLC

Cogentrix是一家北美地區領先的獨立電力開發商、業主和營運商。Cogentrix成立於1983年，始終處於獨立電力市場發展和進步的前線。Cogentrix一直堅持直接負責石化燃料和可再生能源發電設施的開發、工程設計、建造和營運，其發電設施的總發電容量超過5000兆瓦。欲瞭解有關Cogentrix Energy的更多資訊，請瀏覽http://www.cogentrix.com。

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瑞薩電子推出具有長外部沿面距離為14.5 mm的光耦合器，符合690 V等高絕緣電壓的安全標準
有助於為高電壓工業設備及太陽能發電系統處理較高的電壓並提供更小的逆變器


2012年5月31日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出具有長沿面距離(creepage distance)的光耦合器PS9905，可應用於多種用途的逆變器，例如採用最大商用電源供應電壓690 V的工業設備，或採用最高達1,000 V電壓的太陽能發電系統。新款PS9905裝置為光耦合器(複合半導體，註1)，具有14.5 mm的外部沿面距離(註2)，超過有關絕緣以避免觸電等安全標準(IEC 61800)的13.8 mm。

瑞薩電子同時推出高速光耦合器PS9924，支援每秒10 Mb內部系統通訊速度，提供14.5 mm的長沿面距離。在沿面距離超過10 mm的產品中，它提供業界最佳的低耗電量特性，因此非常適合同時需要高絕緣電壓及低耗電量的應用。

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隨著各界持續努力降低CO2排放及能源消耗以保護環境，逆變器在工業應用及太陽能發電系統的使用持續快速增加，以達成低功率馬達控制及降低電源轉換損耗。這些逆變器的組成包括內含IGBT等功率裝置的高壓電路區塊，以及內含微控制器(MCU)等裝置的控制電路盒。光耦合器用於驅動功率半導體裝置，例如IGBT，同時以電子方式隔離兩個電路區塊。

瑞薩已大量生產具有8 mm沿面距離的小型光耦合器，用於驅動逆變器電路中的IGBT。上述系統已逐漸能夠處理更高的電壓，因此能夠降低電流等級，減少功率損耗，並允許在逆變器馬達之間使用較細的電纜線與電源線。為因應此市場趨勢，瑞薩推出PS9905與PS9924光耦合器，可用於採用690 V電源供應器之工業系統的逆變器，預期相關用途的使用將可進一步擴展，並可用於1,000 V太陽能發電系統的逆變器。新款光耦合器具備14.5 mm的長沿面距離以符合適用的安全標準。

新款PS9905及PS9924的主要特色：

(1)符合690 V工業系統及1,000 V太陽能發電系統的逆變器安全標準(PS9905)
IEC 61800標準要求13.8 mm以上的沿面距離，為690 V電源供應器提供強化絕緣(註3)，以及10 mm以上的沿面距離，為處理電壓等級1,000 V的太陽能發電系統中的逆變器提供基本絕緣(註4)。新款PS9905採用強化設計以提供14.5 mm的沿面距離，可輕易符合安全標準。絕緣電壓為7,500 Vrms，適用於需要處理高電壓的設備。

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(2)有助於逆變器更加小型化(PS9905)
新款PS9905可執行過去需要兩個8 mm沿面距離的瑞薩電子光耦合器才能完成的工作。結果可減少約30%的安裝面積。另外，新開發的8-pin表面黏著封裝，使這個高速光耦合器成為業界沿面距離超過10mm的光耦合器中，安裝面積最小的光耦合器之一。

(3)以2.5 A輸出的IGBT光耦合器提供高速反應(PS9905)
本光耦合器採用瑞薩電子獨家以BiCMOS製程製造的光接收IC，可使它達到低寄生電容(註5)，同時保持電路電流(Icc)低於3 mA，並可提供小於150 ns的短延遲時間(tPHL, tPLH)。本產品在以2.5 A輸出驅動IGBT的光耦合器之中具有業界最佳的高速反應，因此可在逆變器控制之後提升輸出電流準確性。

(4)以每秒10 Mb高速光耦合器提供低耗電(PS9924)
最佳化整合於光耦合器之中的光接收IC的設計，使它能夠達到超過10 mm的長沿面距離並大幅降低耗電量。輸入電流(IFHL)為5 mA (最大值)，電路電流(Icc)為5 mA (典型值)。支援3.3 V與5 V電源供應電壓，作業溫度範圍為非常寬廣的-40至110°C。本光耦合器可在高安裝密度及高溫環境的小型系統中提供通訊功能。

瑞薩相信新款光耦合器將有助於推動逆變器朝向更高電壓處理能力及更小型化的趨勢發展，這也是推動市場成長所需的發展趨勢，瑞薩計劃在持續開發產品以滿足高溫與高輸出需求的同時，積極展開相關產品的促銷活動。瑞薩亦提供結合微控制器與逆變器所使用之IGBT的整體解決方案以支援系統設計師。