太陽能逆變器需求大增 2011年兩岸產業出貨量持續攀升

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(台北訊)過去太陽能逆變器產業幾乎由歐美逆變器業者瓜分市場，兩岸業者僅小量出貨，因2010年逆變器供不應求，兩岸太陽能逆變器業者需求量大增，出貨量均創歷史新高。

DIGITIMES Research分析，當缺貨狀況到2010年第3季告一段落，2010年第4季兩岸業者的出貨量明顯下滑。當全球知名太陽能逆變器業者於2010年以2、3倍甚至更高的速度擴充產能，加上上游零組件缺料疑慮解除，太陽能逆變器供給缺口得以補足時，兩岸業者能否持續獲得訂單，成為市場一大疑慮。

目前台廠逆變器均獲得多數國家併網認證，產品品質有相當水準，DIGITIMES Research分析，兩岸在策略部份，台廠以替歐美逆變器業者代工為主，多家業者訂單已排到2011年第1季；而大陸多數業者因產品僅獲得大陸金太陽併網認證，因此著重在以品牌主攻大陸內需市場。兩岸業者在策略、定位及價格上都有區別。

目前太陽能逆變器產業雖仍由歐洲業者主宰，但2010年亞洲業者的出貨量已大幅攀升，新進業者快速增加。未來太陽能逆變器市場成長性高，兩岸業者在此市場布局機會大。

DIGITIMES Research分析，即便2011年台廠可獲得的代工單可能下滑，但長遠來說，因太陽能逆變器價格會持續走跌，當毛利率持續下滑，國外大廠為求經濟效益，便會開始大量委外代工，以求降低成本，且委外代工後可更專注於提升售後服務及行銷推廣。

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上述效能之提升有助於降低各種應用的功率損耗及提高運作的穩定度，例如，三相逆變器電路，其廣泛用於大電流應用領域下之太陽能逆變器或工業用變頻器控制馬達。
瑞薩提供微控制器(MCU)結合類比與功率裝置的整體解決方案支援客戶，其新款高效能第7代IGBT產品在全球同類型頂尖產品中佔有一席之地，這些產品成為瑞薩功率裝置系列產品的核心，瑞薩計劃繼續推出此系列的新產品。
瑞薩亦計劃推出一系列套件解決方案，其中包含新款IGBT產品、用於馬達與逆變器控制的瑞薩RL78與RX系列MCU，及用於功率裝置驅動的光耦合器，伴隨著其他產品。瑞薩準備推出配備新款IGBT產品的開發板，以支援客戶的整體評估與系統設計。
新款IGBT產品的出貨形式為晶圓/晶片，RJH65S系列則提供TO-247A封裝。

關於新IGBT產品的主要規格請參閱附件。

(附註1)飽和電壓(VCE(sat))：
IGBT效能最重要的指數。表示裝置傳導電流時，集極-射極間形成壓降之程度。數值越低，傳導損耗也就越低。

(附註2)負載短路耐受能力 (tsc)：
IGBT承受破壞的能力指數。表示發生短路而有無限電流流入時，IGBT在損毀前可承受的時間。一般而言，對於馬達驅動器等需要處理大電流及高可靠性的應用而言，數值越高越好。

(附註3)反向傳輸電容(Cres)：
此參數表示IGBT的閘極與集極間的固有電容。一般而言，數值越小表示裝置能以更快的速度切換，以減少切換損耗。

價格與供貨
瑞薩13款新IGBT產品 (包含650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列)自2012年七月開始供應樣品，預定2012年9月開始量產，並預估至2013年4月達到每月50萬顆的產能。(價格與供貨如有變更，恕不另行通知。)

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近年來，於環保與其他因素之考量下，促使高能源效率之電子設備需求增加，並持續推動太陽能與風力發電等潔淨能源，針對高電壓及大電流之設備也持續努力提升其能源效率，例如太陽能逆變器、噴水幫浦及大電流變頻器控制馬達。為了大幅降低上述設備之直、交流轉換損耗，高效能的IGBT產品需求於是增加。但是，這必須權衡其飽和電壓(附註1)，這個參數是在大電流操作下達成低損耗以及高短路電流耐受能力的關鍵。以往並無法兼得低損耗與高達約10微秒的短路耐受能力(附註2)，一般認為這對於馬達驅動器等應用都是不可或缺的，為因應此需求，瑞薩開發出上述高效能IGBT。

新款IGBT的主要功能：

(1)降低飽和電壓，650 V版本為1.6 V，1250 V版本為1.8 V，以提供更優異的電源效率
獨家超薄晶圓技術可將650 V版本產品的飽和電壓從早期瑞薩同等產品的1.8 V(典型值)降低至1.6 V(典型值)，並可將1250 V版本產品從2.1 V降低至1.8 V，分別降低12%及15%。如此可降低功率損耗並有助於提升效率。

(2)10微秒高短路耐受能力可提供更高水準的可靠性
高短路耐受能力對於大電流應用而言是非常重要的，藉由優化晶片架構的技術，瑞薩從早期同等產品的8微秒(μs)左右提升至10 μs以上。如此可確保在例如太陽能逆變器之功率調節系統中達到優異可靠度與穩定效能。

(3)更快速的切換
藉由優化裝置的表面架構，相較於瑞薩早期產品，反向傳輸電容(Cres)(附註3)已降低約10%。這有助於更快速的切換並能夠生產更具效率的電源轉換器電路。

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瑞薩電子第7代650V及1250V IGBT系列產品立下了新的技術標竿並可為太陽能發電及工業馬達逆變器等工業用裝置提供高效能解決方案
第7代IGBT可為650V系列產品提供1.6V、以及為1250 V系列產品提供1.8V低飽和電壓以降低功率損耗


2012年7月30日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)新發表13款具備領先業界高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝置，適用於例如太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器) 等處理高電壓及大電流之設備。第7代技術以強化薄型晶圓製程為基礎，權衡了傳導、切換損耗及穩定效能而達到低損耗，且提高短路耐受能力。

相較於第6代技術的600V與1200V系列產品，第7代產品系列具有較高的額定電壓650V與1250V以因應低操作溫升及過電壓耐受能力之需求。

瑞薩IGBT適用於馬達控制應用。在這些情況中，裝置之短路耐受能力是設計上的關鍵參數。第7代IGBT系列具備10µs額定短路耐受能力，因此可廣泛應用於馬達控制。

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每個ADC輸入支援一個3通道類比多工器（AMUX），所以單個Si890x隔離型ADC可監測多達三個不同的訊號（通常交流電壓和電流中第三個通道作為備用通道）。另外，Silicon Labs還提供支援Si890x全系列產品的Si890xPWR-KIT評估板，包含主控制器，使開發人員能快速輕鬆的連接到交流電源線，在示波器上觀察波形或接收序列資料。

Silicon Labs存取、電源和感測器產品線副總裁Mark Thompson表示：「Si890x元件是我們廣受歡迎的Si86xx數位隔離器系列產品的延伸，為開發人員提供隔離的ADC解決方案，滿足電源線路監測市場對於性價比的要求。Si890x系列產品為需要降低成本和複雜性、獲得可靠CMTI效能和靈活介面的應用提供新的選擇標準。」

Si890x系列產品提供3個序列通訊介面選項：UART、I2C和SPI。靈活的介面選擇使開發人員能充分利用現有系統通訊連接埠，方便的整合到系統設計中，同時也讓開發人員在不改變其系統控制器的情況下，快速的連接到隔離型ADC。此外，SPI埠選項為頻寬敏感型應用提供高達2.5Mbps資料傳輸量。

價格和供貨
Si890x隔離型ADC現已開始供貨。可提供2.5kV和5kV隔離等級、16接腳SOIC寬體封裝。Si890x元件於1萬顆採購量時，單價為1.65美元起。Silicon Labs還提供Si890xPWR-KIT評估套件，開發人員可利用評估套件進行演示和測量交流線路電壓（50/60Hz、110/220VAC）及電流，每套售價149.00美元。

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對於需要監測交流電供電狀態的應用來說，隔離型ADC是不可或缺的。目前此類應用中最常見的解決方案是採用電流變壓器搭配離散式元件和資料轉換器- 這種方式不僅龐大而笨重，且會增加供電電源的尺寸和複雜性。雖然可使用獨立的ADC，但是他們需要昂貴的外部隔離元件連接到電源或其他高壓系統。有些供應商可提供針對馬達控制而設計的隔離型ADC，但這些元件對於電源監測市場來說太過昂貴。

Silicon Labs所設計的Si890x隔離型ADC，以有別於其他供應商的方式滿足電源監測市場的需求。Si890x系列產品提供比變壓器方案更為輕薄短小的解決方案。由於Si890x元件整合ADC和隔離功能，可透過獨立的序列埠傳輸功率測量資料至系統控制器進行處理。Si890x系列產品支援2.5kV和5kV隔離等級，滿足高壓系統嚴格的安全要求，例如IEC 60950-1、61010-1、60601-1標準和UL、CSA和VDE認證。5kV等級系列產品可滿足工業、醫療應用，以及全球通用的120/220V交流電源。此款隔離型ADC支援高達1200V隔離工作電壓以及超過60年使用壽命，遠遠超過使用該元件的高壓系統的壽命。

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Silicon Labs推出業界首款針對交流電監測市場的隔離型類比數位轉換器
-新型Si890x隔離ADC元件為太陽能逆變器和供電電源提供最佳化的線路電壓監測和數位隔離功能-


台灣，台北 - 2012年6月11日- 高效能類比與混合訊號IC領導廠商Silicon Laboratories（芯科實驗室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣佈推出業界首款具隔離功能的10位元類比數位轉換器（ADC）產品，以滿足電源線路監測需求。新型Si890x系列產品結合Silicon Labs專利的基於CMOS數位隔離技術和經過驗證的ADC技術，為電源管理應用提供可靠的線路電壓監測和保護解決方案，可應用於太陽能逆變器、交換式不斷電系統，以及需要在高壓側進行隔離的工業感測器資料採集應用等。

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(註1)光耦合器：
光耦合器內的輸入端包含一個單一封裝的發光元件(LED)，可見電子訊號轉換為光線，在輸出端則有光接收元件，可將光線轉換為電子訊號。由於上述光電耦合裝置以光的形式將訊號從輸入端傳送到輸出端，因此兩端可完全隔離對方的電子訊號。

(註2)外部沿面距離：
在用於連接光耦合器的高電壓側封裝腳位至低電壓側封裝腳位之間的最小距離，以沿著封裝的樹脂外圍的方式測量。較長的距離可提供較高的電壓耐受度。

(註3)強化絕緣：
比基本絕緣更強的絕緣。此標準需要兩倍於基本絕緣的沿面距離。

(註4)基本絕緣：
避免人員觸電的基本絕緣。

(註5)寄生電容：
由於物理結構而在晶片內意外產生的電容，亦稱為浮動電容。

價格與供貨
瑞薩電子之新光耦合器已開始供應樣品並開始量產，預估至2012年10月將達到每月1百萬顆的產能。 (價格與供貨如有變更恕不另行通知。)

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(2)有助於逆變器更加小型化(PS9905)
新款PS9905可執行過去需要兩個8 mm沿面距離的瑞薩電子光耦合器才能完成的工作。結果可減少約30%的安裝面積。另外，新開發的8-pin表面黏著封裝，使這個高速光耦合器成為業界沿面距離超過10mm的光耦合器中，安裝面積最小的光耦合器之一。

(3)以2.5 A輸出的IGBT光耦合器提供高速反應(PS9905)
本光耦合器採用瑞薩電子獨家以BiCMOS製程製造的光接收IC，可使它達到低寄生電容(註5)，同時保持電路電流(Icc)低於3 mA，並可提供小於150 ns的短延遲時間(tPHL, tPLH)。本產品在以2.5 A輸出驅動IGBT的光耦合器之中具有業界最佳的高速反應，因此可在逆變器控制之後提升輸出電流準確性。

(4)以每秒10 Mb高速光耦合器提供低耗電(PS9924)
最佳化整合於光耦合器之中的光接收IC的設計，使它能夠達到超過10 mm的長沿面距離並大幅降低耗電量。輸入電流(IFHL)為5 mA (最大值)，電路電流(Icc)為5 mA (典型值)。支援3.3 V與5 V電源供應電壓，作業溫度範圍為非常寬廣的-40至110°C。本光耦合器可在高安裝密度及高溫環境的小型系統中提供通訊功能。

瑞薩相信新款光耦合器將有助於推動逆變器朝向更高電壓處理能力及更小型化的趨勢發展，這也是推動市場成長所需的發展趨勢，瑞薩計劃在持續開發產品以滿足高溫與高輸出需求的同時，積極展開相關產品的促銷活動。瑞薩亦提供結合微控制器與逆變器所使用之IGBT的整體解決方案以支援系統設計師。

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隨著各界持續努力降低CO2排放及能源消耗以保護環境，逆變器在工業應用及太陽能發電系統的使用持續快速增加，以達成低功率馬達控制及降低電源轉換損耗。這些逆變器的組成包括內含IGBT等功率裝置的高壓電路區塊，以及內含微控制器(MCU)等裝置的控制電路盒。光耦合器用於驅動功率半導體裝置，例如IGBT，同時以電子方式隔離兩個電路區塊。

瑞薩已大量生產具有8 mm沿面距離的小型光耦合器，用於驅動逆變器電路中的IGBT。上述系統已逐漸能夠處理更高的電壓，因此能夠降低電流等級，減少功率損耗，並允許在逆變器馬達之間使用較細的電纜線與電源線。為因應此市場趨勢，瑞薩推出PS9905與PS9924光耦合器，可用於採用690 V電源供應器之工業系統的逆變器，預期相關用途的使用將可進一步擴展，並可用於1,000 V太陽能發電系統的逆變器。新款光耦合器具備14.5 mm的長沿面距離以符合適用的安全標準。

新款PS9905及PS9924的主要特色：

(1)符合690 V工業系統及1,000 V太陽能發電系統的逆變器安全標準(PS9905)
IEC 61800標準要求13.8 mm以上的沿面距離，為690 V電源供應器提供強化絕緣(註3)，以及10 mm以上的沿面距離，為處理電壓等級1,000 V的太陽能發電系統中的逆變器提供基本絕緣(註4)。新款PS9905採用強化設計以提供14.5 mm的沿面距離，可輕易符合安全標準。絕緣電壓為7,500 Vrms，適用於需要處理高電壓的設備。

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瑞薩電子推出具有長外部沿面距離為14.5 mm的光耦合器，符合690 V等高絕緣電壓的安全標準
有助於為高電壓工業設備及太陽能發電系統處理較高的電壓並提供更小的逆變器


2012年5月31日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出具有長沿面距離(creepage distance)的光耦合器PS9905，可應用於多種用途的逆變器，例如採用最大商用電源供應電壓690 V的工業設備，或採用最高達1,000 V電壓的太陽能發電系統。新款PS9905裝置為光耦合器(複合半導體，註1)，具有14.5 mm的外部沿面距離(註2)，超過有關絕緣以避免觸電等安全標準(IEC 61800)的13.8 mm。

瑞薩電子同時推出高速光耦合器PS9924，支援每秒10 Mb內部系統通訊速度，提供14.5 mm的長沿面距離。在沿面距離超過10 mm的產品中，它提供業界最佳的低耗電量特性，因此非常適合同時需要高絕緣電壓及低耗電量的應用。

globe0968

Solectria Renewables, LLC將參加2012年5月15日至17日在科羅拉多州丹佛舉行的世界可再生能源論壇(WREF)，攤位號碼801號；還將參加2012年5月16日至18日在中國上海舉行的SNEC上海國際太陽能光電展，攤位號碼E2廳275號。

關於Solectria Renewables, LLC

Solectria Renewables, LLC總部位於美國，是一家服務於住宅、商用和公用事業規模太陽能發電設施的領先光電併網逆變器製造商。該公司多元化的高效率產品能為從1千瓦住宅用發電系統到多兆瓦太陽能發電廠提供發電解決方案。Solectria Renewables的卓越產品得益於該公司在電力和逆變器產業20多年的深厚經驗，而且該公司的產品可享受世界級的保固服務。該公司的所有商用和公用事業規模PV逆變器都在美國製造，符合ARRA標準、安大略省FIT計畫的內容規定，以及UL 1741/IEEE 1547標準。欲瞭解有關Solectria Renewables的更多資訊，請瀏覽http://www.solectria.com。

關於Cogentrix Energy, LLC

Cogentrix是一家北美地區領先的獨立電力開發商、業主和營運商。Cogentrix成立於1983年，始終處於獨立電力市場發展和進步的前線。Cogentrix一直堅持直接負責石化燃料和可再生能源發電設施的開發、工程設計、建造和營運，其發電設施的總發電容量超過5000兆瓦。欲瞭解有關Cogentrix Energy的更多資訊，請瀏覽http://www.cogentrix.com。

globe0968

(20120516 17:39:37)領先的美國光電（太陽能）逆變器製造商Solectria Renewables, LLC今天宣佈，全球最大的高聚光型光電(CPV)發電廠投產發電。該發電廠共採用了500多個大型CPV底座、智慧逆變器和雙軸追蹤器。該發電廠位於科羅拉多州阿拉莫薩(Alamosa)，占地逾225英畝，其Google地圖座標為：37.5986,-105.9521。科羅拉多州聖路易斯谷(San Luis Valley)海拔高，是美國最佳的太陽能發電地區之一。

在全國表現活躍的獨立電力供應商Cogentrix Energy, LLC（總部位於北卡羅萊納州夏洛特）為他們的30兆瓦阿拉莫薩太陽能發電專案選用Solectria Renewables的公用事業規模逆變器，其所看重的是該產品在高海拔地區的業界領先產品性能，以及在惡劣沙漠條件下可靠運轉的良好記錄。

該發電廠以115kV輸電電平互連，使用最先進的PV發電廠控制器，從而使營運商可以選擇多種智慧電網營運模式。該發電廠可提供大量無功功率，擁有封閉式功率因數控制和交流電壓調節功能。此外，該控制器還能調節發電廠的太陽能輸出，在需要時幫助調節電網頻率。

Solectria Renewables總裁Phil Vyhanek表示：「阿拉莫薩專案展示了我們智慧電網逆變器的強大性能，該逆變器將在未來幾年內在整個美國投入使用。我對公司能源系統工程團隊所取得成就深感自豪，而我們成立該團隊的目的就是為Cogentrix等大型發電廠客戶在發電廠測試和認證階段提供支援。」

innoing123

相較於 IGBT，全新的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損，可應用更高的切換頻率，不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件，進一步縮小整體解決方案的體積與重量，並降低系統成本。換句話說，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性，英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC，確保系統能安全開啟，而且能在安全且受控制的情況下切換。

CoolSiCTM JFET 採用單片整合二極體，切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下，此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。

上市時間與定價
CoolSiCTM JFET 產品及驅動 IC 將從 2012 年第二季開始提供樣品。第一批 OEM 量產預計於 2013 年上半年開始。IJW120R100T1 (100mOhm) 單價為 24.90 美元（18.44 歐元）（以一千單位為批量）。更多有關英飛凌新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列的詳細資訊，請瀏覽 www.infineon.com/coolsic

英飛凌將在德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2012 展覽中（2012 年 5 月 8 至 10 日），展出新型的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 產品（12 號大廳，404 號攤位）。

innoing123

英飛凌推出革命性採直驅技術的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列產品   將太陽能逆變器的效率提升至新境界


【2012 年 5 月 9 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於 PCIM Europe 2012 展覽中宣佈推出最新 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC（碳化矽）市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點。

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飛凌一直以來持續針對需要高效率功率管理的市場推出革命性技術。此次推出的 CoolSiCTM 同樣也是具革命性、高度創新的技術，尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。 運用英飛凌最新的 SiC JFET 技術，客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。」

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價格與供貨
RJS6005TDPP SiC SBD已開始供應樣品，單價為美金5元。預定2012年3月起開始量產，並預估至2012年8月達到每月10萬顆的產能。(價格與供貨情況如有變動，恕不另行通知。)

(註1)碳化矽(SiC)：
有多項特性超越矽的一種材料，例如導熱、允許作業溫度、輻射曝露及絕緣擊穿電場強度等，在低損耗功率裝置方面具備極大的發展潛力。

(註2)逆向恢復時間(Reverse recovery time)：
二極體在流入規定的順向電流後，從開啟狀態切換至關閉時，接面中所累積的少量載子會導致產生逆向電流。逆向恢復時間用於表示在切換至關閉狀態後，恢復至規定電流值所需的時間。

Product Specifications of the RJS6005TDPP SiC SBD

1. Specifications of RJS6005TDPP

Peak reverse voltage (VRM): 600 V
Average rectified current (Io): 15 A
Forward voltage (VF): 1.5 V
Reverse recovery time (trr): Standard 15 ns (ID = 10 A, VGSS = 10 V)
Rated channel temperature (Tch): +150ºC
Package: TO-220, fully molded

2. Supplemental Diagram: Temperature Dependence of Forward Voltage

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新款RJS6005TDPP SiC SBD的主要特色：

(1)更快的切換速度，相較於現有產品可降低40%的損耗
新款RJS6005TDPP SiC SBD具備15奈秒的逆向恢復時間(註2) (標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/μs)，相較於瑞薩電子採用矽材料的現有產品，速度約提升40%。相較於瑞薩電子採用矽材料的產品，將可提供更快的切換速度並降低功率損耗約40%。
另外，即使溫度上升，仍可維持理想的逆向恢復時間，因此可在高溫環境中維持一貫的低切換損耗。

(2)低電壓運作
新款SiC SBD具備僅1.5伏特(V)的額定電壓(順向電壓，VF)，低於現有矽快速觸發二極體產品。另外，此特性的溫度依存度較低，在高溫環境下仍可確保獲得穩定的順向電壓。這表示可採用尺寸更小的散熱方式。

新款RJS6005TDPP SiC SBD採用等同於業界標準完全塑模的TO-220封裝，而且腳位也是相容的。這表示可使用RJS6005TDPP SiC SBD替代現有印刷線路板上的傳統矽二極體。

瑞薩電子的產品系列涵蓋3安培(A)到30 A，電壓耐受度600 V，功率裝置的設計符合高輸出系統對於更佳能源效率的需求，例如空調、通訊基地台及太陽能發電陣列，並計劃推出電壓耐受度1,200 V的系列產品。瑞薩電子的目標是為客戶提供結合MCU及類比與功率裝置的整體解決方案，並成為功率裝置的領導供應商。瑞薩計劃以新款高電壓SiC SBD功率裝置做為核心，輔以周邊電源供應控制IC、高效能IGBT、高電壓超接面MOSFET及光耦合器等，擴增其套裝解決方案及化合物半導體裝置產品線。

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瑞薩電子宣佈推出可將電源轉換電路整合於單晶片之低損耗碳化矽(SiC)功率裝置
可為空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統提供更佳的電源效率


2012年2月10日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈開發採用碳化矽(SiC，註1)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD) RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統。此新款裝置亦整合了由日立(Hitachi, Ltd.)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可達降低約40%的低功耗表現。
近年來，為了促進環境保護，許多類型的系統對於高效能電源供應電路的需求仍持續成長。部分產品對於高效率電源轉換的需求特別高，例如空調、通訊基地台、PC伺服器及太陽能發電陣列，這些產品需利用電源切換電路或變頻器使馬達控制更加精準。因此，使用於上述電源轉換電路的二極體必須提供更快的切換速度及低電壓運作。瑞薩電子已研發新款SiC SBD以因應上述需求。

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此外，以單一整合結構，達成具有近似蕭特基二極體之本體二極體特性於1mΩ 和 1.4mΩ 40V 之SuperSO8 封裝產品，可減少同步整流器的逆向回復電荷 (Qrr)，進而降低導通損失，提高效率。此外，也能大幅降低同步整流器截止時的電壓峰值，因此可減少緩振電路的使用，省下工程成本及縮短驗證時程。

上市時程與定價
採用 SuperSO8 和 S3O8 (3mmx3mm) 封裝的新OptiMOS™ 40V 產品，RDS(on) 規格從 1.0 mΩ 至 2.3 mΩ，單價分別為1.05  和0.5美元（以一萬個單位為批量）。

採用 SuperSO8 封裝的OptiMOS™ 60V 產品，RDS(on) 為1.6mΩ 和 2.8mΩ的定價分別為 0.85 和 0.65 美元。此外亦提供 TO-220、S3O8、I2PAK (TO-262)、D²PAK和 DPAK (TO-252) 封裝，6.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 0.54 美元，1.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 1.5 美元（以一萬個單位為批量）。

有關新 OptiMOSTM 40V 和 60V 的詳細資訊，請瀏覽：www.infineon.com/newoptimos

英飛凌新OptiMOS™ 40V 和 60V 產品將於美國佛羅里達州奧蘭多市舉辦的 APEC 2012（2 月 5 - 9 日，801 號攤位）中展出。

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英飛凌低壓功率轉換部門資深協理 Richard Kuncic 表示：「英飛凌率先推出採用 SuperSO8 封裝的 1mΩ 40V MOSFET，能將 1kW 伺服器電源供應器之同步整流所需要的 MOSFET 數量減半，減少MOSFET並聯使用的麻煩，並且大幅提升功率密度。」

太陽能逆變器從高效能半導體元件所得到的效能改善更明顯。在一般的太陽能逆變器拓樸中，包括最大功率追蹤所使用的的降壓/升壓拓撲或微型逆變器所使用的的諧振全橋式轉換拓撲等等，半導體元件之RDS(on) 和切換特性都同等重要。在太陽能微型逆變器採用英飛凌新型 60V 系列中的 BSC016N06NS，其封裝 採用 SuperSO8 (5mmx6mm) ，在 20% 負載狀況下可提升 1.5% 的效率。

新 OptiMOSTM  40V 和 60V 更多資訊

新 OptiMOSTM 40V 和 60V 系列採用英飛凌的先進薄晶圓技術，相較其他同型產品，導通電阻RDS(on) 降低了 35%，優值係數 (RDS(on) x Qg) 則降低 45%，此項規格的提升有助於改善伺服器電源供應器二次側同步整流器內 10% 的功率耗損。