太陽能逆變器需求大增 2011年兩岸產業出貨量持續攀升

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英飛凌推出新型 OptiMOSTM 40V 和 60V 產品，為功率密度和系統效率立下新標竿：優值係數比其他同型裝置低 45%


【2012 年 2 月 8 日，台北訊】英飛凌科技股份有限公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）今日在 2012 應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC) 中宣布推出新OptiMOS™ 40V 和 60V 產品系列，適用於伺服器和桌上型電腦之交換式電源供應器(SMPS) 的同步整流，也是馬達控制、太陽能微型逆變器和快速切換 DC/DC 轉換器等多種工業應用的最佳選擇。英飛凌新推出的 OptiMOSTM 40V 和 60V 產品具有最低的導通電阻 (RDS(on)) 和最佳化的切換特性，能達到提供更高的效率及功率密度要求。

由於資料處理的速度及功率需求不斷提高，AC/DC電源轉換器 設計人員面臨提升系統效率及功率密度的挑戰，同時還必須降低系統成本，而英飛凌新推出的 40V及 60V MOSFET 可同時解決這些問題。

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英飛凌低壓功率轉換部門資深協理 Richard Kuncic 表示：「英飛凌率先推出採用 SuperSO8 封裝的 1mΩ 40V MOSFET，能將 1kW 伺服器電源供應器之同步整流所需要的 MOSFET 數量減半，減少MOSFET並聯使用的麻煩，並且大幅提升功率密度。」

太陽能逆變器從高效能半導體元件所得到的效能改善更明顯。在一般的太陽能逆變器拓樸中，包括最大功率追蹤所使用的的降壓/升壓拓撲或微型逆變器所使用的的諧振全橋式轉換拓撲等等，半導體元件之RDS(on) 和切換特性都同等重要。在太陽能微型逆變器採用英飛凌新型 60V 系列中的 BSC016N06NS，其封裝 採用 SuperSO8 (5mmx6mm) ，在 20% 負載狀況下可提升 1.5% 的效率。

新 OptiMOSTM  40V 和 60V 更多資訊

新 OptiMOSTM 40V 和 60V 系列採用英飛凌的先進薄晶圓技術，相較其他同型產品，導通電阻RDS(on) 降低了 35%，優值係數 (RDS(on) x Qg) 則降低 45%，此項規格的提升有助於改善伺服器電源供應器二次側同步整流器內 10% 的功率耗損。

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此外，以單一整合結構，達成具有近似蕭特基二極體之本體二極體特性於1mΩ 和 1.4mΩ 40V 之SuperSO8 封裝產品，可減少同步整流器的逆向回復電荷 (Qrr)，進而降低導通損失，提高效率。此外，也能大幅降低同步整流器截止時的電壓峰值，因此可減少緩振電路的使用，省下工程成本及縮短驗證時程。

上市時程與定價
採用 SuperSO8 和 S3O8 (3mmx3mm) 封裝的新OptiMOS™ 40V 產品，RDS(on) 規格從 1.0 mΩ 至 2.3 mΩ，單價分別為1.05  和0.5美元（以一萬個單位為批量）。

採用 SuperSO8 封裝的OptiMOS™ 60V 產品，RDS(on) 為1.6mΩ 和 2.8mΩ的定價分別為 0.85 和 0.65 美元。此外亦提供 TO-220、S3O8、I2PAK (TO-262)、D²PAK和 DPAK (TO-252) 封裝，6.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 0.54 美元，1.0 mΩ RDS(on) 規格的單價為 1.5 美元（以一萬個單位為批量）。

有關新 OptiMOSTM 40V 和 60V 的詳細資訊，請瀏覽：www.infineon.com/newoptimos

英飛凌新OptiMOS™ 40V 和 60V 產品將於美國佛羅里達州奧蘭多市舉辦的 APEC 2012（2 月 5 - 9 日，801 號攤位）中展出。

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瑞薩電子宣佈推出可將電源轉換電路整合於單晶片之低損耗碳化矽(SiC)功率裝置
可為空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統提供更佳的電源效率


2012年2月10日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈開發採用碳化矽(SiC，註1)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD) RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統。此新款裝置亦整合了由日立(Hitachi, Ltd.)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可達降低約40%的低功耗表現。
近年來，為了促進環境保護，許多類型的系統對於高效能電源供應電路的需求仍持續成長。部分產品對於高效率電源轉換的需求特別高，例如空調、通訊基地台、PC伺服器及太陽能發電陣列，這些產品需利用電源切換電路或變頻器使馬達控制更加精準。因此，使用於上述電源轉換電路的二極體必須提供更快的切換速度及低電壓運作。瑞薩電子已研發新款SiC SBD以因應上述需求。

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新款RJS6005TDPP SiC SBD的主要特色：

(1)更快的切換速度，相較於現有產品可降低40%的損耗
新款RJS6005TDPP SiC SBD具備15奈秒的逆向恢復時間(註2) (標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/μs)，相較於瑞薩電子採用矽材料的現有產品，速度約提升40%。相較於瑞薩電子採用矽材料的產品，將可提供更快的切換速度並降低功率損耗約40%。
另外，即使溫度上升，仍可維持理想的逆向恢復時間，因此可在高溫環境中維持一貫的低切換損耗。

(2)低電壓運作
新款SiC SBD具備僅1.5伏特(V)的額定電壓(順向電壓，VF)，低於現有矽快速觸發二極體產品。另外，此特性的溫度依存度較低，在高溫環境下仍可確保獲得穩定的順向電壓。這表示可採用尺寸更小的散熱方式。

新款RJS6005TDPP SiC SBD採用等同於業界標準完全塑模的TO-220封裝，而且腳位也是相容的。這表示可使用RJS6005TDPP SiC SBD替代現有印刷線路板上的傳統矽二極體。

瑞薩電子的產品系列涵蓋3安培(A)到30 A，電壓耐受度600 V，功率裝置的設計符合高輸出系統對於更佳能源效率的需求，例如空調、通訊基地台及太陽能發電陣列，並計劃推出電壓耐受度1,200 V的系列產品。瑞薩電子的目標是為客戶提供結合MCU及類比與功率裝置的整體解決方案，並成為功率裝置的領導供應商。瑞薩計劃以新款高電壓SiC SBD功率裝置做為核心，輔以周邊電源供應控制IC、高效能IGBT、高電壓超接面MOSFET及光耦合器等，擴增其套裝解決方案及化合物半導體裝置產品線。

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價格與供貨
RJS6005TDPP SiC SBD已開始供應樣品，單價為美金5元。預定2012年3月起開始量產，並預估至2012年8月達到每月10萬顆的產能。(價格與供貨情況如有變動，恕不另行通知。)

(註1)碳化矽(SiC)：
有多項特性超越矽的一種材料，例如導熱、允許作業溫度、輻射曝露及絕緣擊穿電場強度等，在低損耗功率裝置方面具備極大的發展潛力。

(註2)逆向恢復時間(Reverse recovery time)：
二極體在流入規定的順向電流後，從開啟狀態切換至關閉時，接面中所累積的少量載子會導致產生逆向電流。逆向恢復時間用於表示在切換至關閉狀態後，恢復至規定電流值所需的時間。

Product Specifications of the RJS6005TDPP SiC SBD

1. Specifications of RJS6005TDPP

Peak reverse voltage (VRM): 600 V
Average rectified current (Io): 15 A
Forward voltage (VF): 1.5 V
Reverse recovery time (trr): Standard 15 ns (ID = 10 A, VGSS = 10 V)
Rated channel temperature (Tch): +150ºC
Package: TO-220, fully molded

2. Supplemental Diagram: Temperature Dependence of Forward Voltage

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瑞薩電子推出具有長外部沿面距離為14.5 mm的光耦合器，符合690 V等高絕緣電壓的安全標準
有助於為高電壓工業設備及太陽能發電系統處理較高的電壓並提供更小的逆變器


2012年5月31日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出具有長沿面距離(creepage distance)的光耦合器PS9905，可應用於多種用途的逆變器，例如採用最大商用電源供應電壓690 V的工業設備，或採用最高達1,000 V電壓的太陽能發電系統。新款PS9905裝置為光耦合器(複合半導體，註1)，具有14.5 mm的外部沿面距離(註2)，超過有關絕緣以避免觸電等安全標準(IEC 61800)的13.8 mm。

瑞薩電子同時推出高速光耦合器PS9924，支援每秒10 Mb內部系統通訊速度，提供14.5 mm的長沿面距離。在沿面距離超過10 mm的產品中，它提供業界最佳的低耗電量特性，因此非常適合同時需要高絕緣電壓及低耗電量的應用。

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隨著各界持續努力降低CO2排放及能源消耗以保護環境，逆變器在工業應用及太陽能發電系統的使用持續快速增加，以達成低功率馬達控制及降低電源轉換損耗。這些逆變器的組成包括內含IGBT等功率裝置的高壓電路區塊，以及內含微控制器(MCU)等裝置的控制電路盒。光耦合器用於驅動功率半導體裝置，例如IGBT，同時以電子方式隔離兩個電路區塊。

瑞薩已大量生產具有8 mm沿面距離的小型光耦合器，用於驅動逆變器電路中的IGBT。上述系統已逐漸能夠處理更高的電壓，因此能夠降低電流等級，減少功率損耗，並允許在逆變器馬達之間使用較細的電纜線與電源線。為因應此市場趨勢，瑞薩推出PS9905與PS9924光耦合器，可用於採用690 V電源供應器之工業系統的逆變器，預期相關用途的使用將可進一步擴展，並可用於1,000 V太陽能發電系統的逆變器。新款光耦合器具備14.5 mm的長沿面距離以符合適用的安全標準。

新款PS9905及PS9924的主要特色：

(1)符合690 V工業系統及1,000 V太陽能發電系統的逆變器安全標準(PS9905)
IEC 61800標準要求13.8 mm以上的沿面距離，為690 V電源供應器提供強化絕緣(註3)，以及10 mm以上的沿面距離，為處理電壓等級1,000 V的太陽能發電系統中的逆變器提供基本絕緣(註4)。新款PS9905採用強化設計以提供14.5 mm的沿面距離，可輕易符合安全標準。絕緣電壓為7,500 Vrms，適用於需要處理高電壓的設備。

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(2)有助於逆變器更加小型化(PS9905)
新款PS9905可執行過去需要兩個8 mm沿面距離的瑞薩電子光耦合器才能完成的工作。結果可減少約30%的安裝面積。另外，新開發的8-pin表面黏著封裝，使這個高速光耦合器成為業界沿面距離超過10mm的光耦合器中，安裝面積最小的光耦合器之一。

(3)以2.5 A輸出的IGBT光耦合器提供高速反應(PS9905)
本光耦合器採用瑞薩電子獨家以BiCMOS製程製造的光接收IC，可使它達到低寄生電容(註5)，同時保持電路電流(Icc)低於3 mA，並可提供小於150 ns的短延遲時間(tPHL, tPLH)。本產品在以2.5 A輸出驅動IGBT的光耦合器之中具有業界最佳的高速反應，因此可在逆變器控制之後提升輸出電流準確性。

(4)以每秒10 Mb高速光耦合器提供低耗電(PS9924)
最佳化整合於光耦合器之中的光接收IC的設計，使它能夠達到超過10 mm的長沿面距離並大幅降低耗電量。輸入電流(IFHL)為5 mA (最大值)，電路電流(Icc)為5 mA (典型值)。支援3.3 V與5 V電源供應電壓，作業溫度範圍為非常寬廣的-40至110°C。本光耦合器可在高安裝密度及高溫環境的小型系統中提供通訊功能。

瑞薩相信新款光耦合器將有助於推動逆變器朝向更高電壓處理能力及更小型化的趨勢發展，這也是推動市場成長所需的發展趨勢，瑞薩計劃在持續開發產品以滿足高溫與高輸出需求的同時，積極展開相關產品的促銷活動。瑞薩亦提供結合微控制器與逆變器所使用之IGBT的整體解決方案以支援系統設計師。

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(註1)光耦合器：
光耦合器內的輸入端包含一個單一封裝的發光元件(LED)，可見電子訊號轉換為光線，在輸出端則有光接收元件，可將光線轉換為電子訊號。由於上述光電耦合裝置以光的形式將訊號從輸入端傳送到輸出端，因此兩端可完全隔離對方的電子訊號。

(註2)外部沿面距離：
在用於連接光耦合器的高電壓側封裝腳位至低電壓側封裝腳位之間的最小距離，以沿著封裝的樹脂外圍的方式測量。較長的距離可提供較高的電壓耐受度。

(註3)強化絕緣：
比基本絕緣更強的絕緣。此標準需要兩倍於基本絕緣的沿面距離。

(註4)基本絕緣：
避免人員觸電的基本絕緣。

(註5)寄生電容：
由於物理結構而在晶片內意外產生的電容，亦稱為浮動電容。

價格與供貨
瑞薩電子之新光耦合器已開始供應樣品並開始量產，預估至2012年10月將達到每月1百萬顆的產能。 (價格與供貨如有變更恕不另行通知。)

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Silicon Labs推出業界首款針對交流電監測市場的隔離型類比數位轉換器
-新型Si890x隔離ADC元件為太陽能逆變器和供電電源提供最佳化的線路電壓監測和數位隔離功能-


台灣，台北 - 2012年6月11日- 高效能類比與混合訊號IC領導廠商Silicon Laboratories（芯科實驗室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣佈推出業界首款具隔離功能的10位元類比數位轉換器（ADC）產品，以滿足電源線路監測需求。新型Si890x系列產品結合Silicon Labs專利的基於CMOS數位隔離技術和經過驗證的ADC技術，為電源管理應用提供可靠的線路電壓監測和保護解決方案，可應用於太陽能逆變器、交換式不斷電系統，以及需要在高壓側進行隔離的工業感測器資料採集應用等。

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對於需要監測交流電供電狀態的應用來說，隔離型ADC是不可或缺的。目前此類應用中最常見的解決方案是採用電流變壓器搭配離散式元件和資料轉換器- 這種方式不僅龐大而笨重，且會增加供電電源的尺寸和複雜性。雖然可使用獨立的ADC，但是他們需要昂貴的外部隔離元件連接到電源或其他高壓系統。有些供應商可提供針對馬達控制而設計的隔離型ADC，但這些元件對於電源監測市場來說太過昂貴。

Silicon Labs所設計的Si890x隔離型ADC，以有別於其他供應商的方式滿足電源監測市場的需求。Si890x系列產品提供比變壓器方案更為輕薄短小的解決方案。由於Si890x元件整合ADC和隔離功能，可透過獨立的序列埠傳輸功率測量資料至系統控制器進行處理。Si890x系列產品支援2.5kV和5kV隔離等級，滿足高壓系統嚴格的安全要求，例如IEC 60950-1、61010-1、60601-1標準和UL、CSA和VDE認證。5kV等級系列產品可滿足工業、醫療應用，以及全球通用的120/220V交流電源。此款隔離型ADC支援高達1200V隔離工作電壓以及超過60年使用壽命，遠遠超過使用該元件的高壓系統的壽命。

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每個ADC輸入支援一個3通道類比多工器（AMUX），所以單個Si890x隔離型ADC可監測多達三個不同的訊號（通常交流電壓和電流中第三個通道作為備用通道）。另外，Silicon Labs還提供支援Si890x全系列產品的Si890xPWR-KIT評估板，包含主控制器，使開發人員能快速輕鬆的連接到交流電源線，在示波器上觀察波形或接收序列資料。

Silicon Labs存取、電源和感測器產品線副總裁Mark Thompson表示：「Si890x元件是我們廣受歡迎的Si86xx數位隔離器系列產品的延伸，為開發人員提供隔離的ADC解決方案，滿足電源線路監測市場對於性價比的要求。Si890x系列產品為需要降低成本和複雜性、獲得可靠CMTI效能和靈活介面的應用提供新的選擇標準。」

Si890x系列產品提供3個序列通訊介面選項：UART、I2C和SPI。靈活的介面選擇使開發人員能充分利用現有系統通訊連接埠，方便的整合到系統設計中，同時也讓開發人員在不改變其系統控制器的情況下，快速的連接到隔離型ADC。此外，SPI埠選項為頻寬敏感型應用提供高達2.5Mbps資料傳輸量。

價格和供貨
Si890x隔離型ADC現已開始供貨。可提供2.5kV和5kV隔離等級、16接腳SOIC寬體封裝。Si890x元件於1萬顆採購量時，單價為1.65美元起。Silicon Labs還提供Si890xPWR-KIT評估套件，開發人員可利用評估套件進行演示和測量交流線路電壓（50/60Hz、110/220VAC）及電流，每套售價149.00美元。