太陽能逆變器需求大增 2011年兩岸產業出貨量持續攀升

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配有原理圖與全面性軟體演算法資料庫的高電壓、字串就緒、隔離式逆變器套件或低電壓模擬套件　簡化太陽能設計

(台北訊，2012 年 2 月 7 日)   德州儀器 (TI) 推出兩款 C2000™ 32 位元 Piccolo™ 和 Concerto™ 微控制器 (MCU) 的新型太陽能套件，以實現更環保的世界。該新型太陽能套件爲再生能源市場提供先進週邊、針對應用的開發硬體、原理圖 (schematics)、全面性軟體演算法資料庫和業界領先的開發環境，使設計人員能簡易地開發太陽能逆變器設計，同時評估各種太陽能演算法與拓撲。

C2000 高電壓太陽能開發套件的特性與優勢：
•C2000 太陽能開發套件是 TI 首款完整的高電壓、字串就緒 (string-ready)、隔離式 MCU 控制型太陽能解決方案，可幫助電源設計人員開發高電壓太陽能應用；
•該太陽能開發套件包含兩塊單獨的開發板，可提供雙控制器 (dual-controller) 設計，使開發人員能使用高電壓功率級 (high-voltage power stages) 和處理器間通訊系統 (inter-processor communications systems) 進行開發；
•主板 (primary board) 具備支援高達 500W 功率的 300VDC 相容型輸入級，其擁有針對最大功率點追踪 (MPPT) 的交錯式升壓級 (interleaved boost stage)，以及用於隔離的共振 LLC 級 (resonant LLC stage)，以上兩者均由單顆 Piccolo MCU 控制。副板 (secondary board) 則具備帶電網匹配功能 (grid-matching) 且支援 120/220VAC 輸出的全橋式 DC/AC 逆變器，可由單顆 Concerto 或 Piccolo MCU 控制，因此能在單個處理器中同時提供控制與連結能力。

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C2000 低電壓太陽能學習套件 (Solar Explorer Kit) 的特性與優勢：
•該太陽能學習套件支援 Piccolo 和 Concerto C2000 MCU，同時提供完整的非隔離式設計，與具有多個可採用單個低成本數位控制器進行控制的功率級，以上特性極適合設計太陽能與再生能源應用；
•該太陽能學習套件包括多個 DC/DC 轉換以及一個支援 12VDC/100W 輸入級的 DC/AC 級，以實現安全、低成本的架構，適用於桌上型電腦或低電壓台桌上型試驗室 (bench top experimentation lab) 環境，以進行學習數位控制式功率級或非並網 (non-grid-tied) 應用。這些級皆由單顆 Piccolo MCU 控制；
•該太陽能學習套件具有用於 MPPT 的單開關 DC/DC 升壓、用於電池充電的 DC/DC SEPIC 以及驅動 24VAC 的全橋式 DC/AC 逆變器，可實現低電壓太陽能設計的高靈活度。此套件還包括一個控制太陽能板模擬電路 (solar panel emulator circuit) 的輔助處理器 (secondary processor)，其具有用於光感測的光電二極體 (photodiode)。
•為 C2000 Concerto MCU 提供了可選式支援，因此可透過一個內置的乙太網連結 (included Ethernet-connected) 圖形使用者界面 (GUI)，為數位控制器增添連結功能。

用於太陽能學習與開發者套件 (Solar Explorer and Developer’s Kits) 的軟體
身爲簡化太陽能開發的關鍵角色，TI 提供了完整開放原始碼軟體與工具以簡化開發工作。而作爲 MCU 裝置 C2000 系列的一部分，兩塊太陽能開發板在 controlSUITE™ 軟體産品中均獲得全面的支援。透過 controlSUITE，設計人員能迅速找到太陽能開發套件所有必需的工具和文件資料，包括通用演算法資料庫及再生能源專用功能。

價格與供貨
新型太陽能開發套件現已開放訂購。高電壓太陽能開發者套件 (TMSHVMPPTKIT) 建議售價為 550 美金；配套的 Concerto 或 Piccolo 逆變器電路板 (TMSHV1PHINVKIT) 建議售價為 450 美金。低電壓太陽能學習套件現已開放訂購，並提供兩種版本 － Piccolo MCU 版 (TMSSOLARPEXPKIT)，建議售價為 425 美金，以及 Concerto MCU 版 (TMSSOLARCEXPKIT)，建議售價為 575 美金。

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英飛凌推出革命性採直驅技術的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列產品   將太陽能逆變器的效率提升至新境界


【2012 年 5 月 9 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於 PCIM Europe 2012 展覽中宣佈推出最新 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC（碳化矽）市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點。

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飛凌一直以來持續針對需要高效率功率管理的市場推出革命性技術。此次推出的 CoolSiCTM 同樣也是具革命性、高度創新的技術，尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。 運用英飛凌最新的 SiC JFET 技術，客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。」

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相較於 IGBT，全新的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損，可應用更高的切換頻率，不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件，進一步縮小整體解決方案的體積與重量，並降低系統成本。換句話說，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性，英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC，確保系統能安全開啟，而且能在安全且受控制的情況下切換。

CoolSiCTM JFET 採用單片整合二極體，切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下，此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。

上市時間與定價
CoolSiCTM JFET 產品及驅動 IC 將從 2012 年第二季開始提供樣品。第一批 OEM 量產預計於 2013 年上半年開始。IJW120R100T1 (100mOhm) 單價為 24.90 美元（18.44 歐元）（以一千單位為批量）。更多有關英飛凌新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列的詳細資訊，請瀏覽 www.infineon.com/coolsic

英飛凌將在德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2012 展覽中（2012 年 5 月 8 至 10 日），展出新型的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 產品（12 號大廳，404 號攤位）。