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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
2 N0 k: s1 r1 {3 J•汽車點火器用IGBT單管& Z7 T9 e7 `6 f4 V$ S
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
/ L- p* `1 K: U, N# k•新能源汽車用IGBT晶片及模組
! N- Q* S) G, A/ ~& S) o9 F% ]1 h5 ]針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
$ q! T$ `3 F6 U; [+ A二、技術指標
& z! w, L/ {) z•汽車點火器用IGBT晶片及單管
1 S- b0 g# Z6 f5 U2 F5 p主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
( H ~: F8 c; I8 V9 |集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
4 o8 x9 P- b; {. S) {4 g9 U集電極直流電流 IC 10-40A, ]) i0 F7 T- _" h
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
6 B) A* Z# J# ]•新能源汽車用IGBT晶片及模組
. N; `. X1 P1 t主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值" o- t- D9 q& D
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
, i7 E6 ^# Y- G2 o# [) n7 U集電極直流電流 IC 100A 800A
) ]0 V0 G7 m' K2 G+ K集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
, |5 E9 Y% x5 v) T三、經濟指標
# j% P$ o5 h3 m/ H. g, ?•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
2 A7 V; B' g, `9 V, y* @7 p•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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2 v* [( N4 U# Y+ @合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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