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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:+ V' S' n! M: R+ o& O9 s
•汽車點火器用IGBT單管
6 `& c$ _ I5 ~8 |& N針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
3 h' J6 h F2 m& W3 ?3 Y1 S•新能源汽車用IGBT晶片及模組: x `- T* |) _( G' j7 i4 k/ @
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。4 i6 ?9 p3 K4 Y. u3 P' ~
二、技術指標
8 e- W3 x5 Y$ L0 d8 J, {9 J•汽車點火器用IGBT晶片及單管
9 |6 T/ E, B. i, L6 g; \主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值6 P, r; B" G/ T9 t
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V; @7 }) o& ~. `9 v/ g% F) f
集電極直流電流 IC 10-40A
2 z# m1 H# q$ I( R集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V2 m: D1 \2 d' g+ E4 E: N* S
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
3 b0 t6 r, U& c主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
& Z/ v8 g! ^1 ]集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V0 u. O4 Y# ]& U
集電極直流電流 IC 100A 800A6 Z% G# A( ` V- t2 E
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
0 D/ G8 {6 e' [* K( q5 f, W三、經濟指標* E" U/ |& U) S( B! _
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。7 X- g, Q; C/ c0 j" r' D) k1 {
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。8 w. o; L6 E& ` I" ]. k
: w3 C. G- t/ u' _3 H
6 V1 D& `3 @4 \5 r/ B* J! x3 p! D4 s5 X0 Q4 V( M- g* a Q
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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