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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:3 o! B+ F5 ?* c; Z$ H& p8 l3 H3 y8 `
•汽車點火器用IGBT單管0 ]2 [/ F! q: m% ^( M, b7 C- {
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
2 a) n# O* w& _+ X+ w•新能源汽車用IGBT晶片及模組
; q2 Z4 r' a% C, \ w; R針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
, p, m0 m7 J# i7 F二、技術指標
$ {1 D/ v- L7 _! u& ~5 |•汽車點火器用IGBT晶片及單管- _5 z% Q/ r* `+ t- E
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
+ P2 _! |7 C; a集電極-發射極電壓 VCES 400-600V: n j( A/ d+ ^4 [- ~, l
集電極直流電流 IC 10-40A0 _/ Z3 q% U! Y' E: x
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
) f, t7 v5 O( T•新能源汽車用IGBT晶片及模組. n5 G' J( @; V4 \" s5 o$ l9 Z4 J
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值5 V' u: B- |6 [: T& ?
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V5 }/ T& v$ l( V; U# a6 Z* }
集電極直流電流 IC 100A 800A) e4 I1 q9 S7 ]8 ^( I
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
% B. I$ e3 S9 S0 U5 ^3 _三、經濟指標
4 _+ z6 B$ N$ M" ~9 v•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。* {4 Z% |) e% C2 \) ]3 R
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。$ g4 G- D3 W9 A/ f3 b$ x9 m
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# j8 q% S& ?3 K$ J- L5 }) T2 k合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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