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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:! j% |# W1 C" O1 F# Z# ]
•汽車點火器用IGBT單管
/ [( w- n; X2 X4 ^% i/ Q針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。2 q( `4 O H: X0 S( ^6 Y+ k5 _
•新能源汽車用IGBT晶片及模組; C. M5 y6 s/ ?+ C) I; x
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
+ w9 X/ `$ _( p1 R二、技術指標' O4 m0 n) A: V) U5 u; r
•汽車點火器用IGBT晶片及單管& p& m% D: I. t9 w5 M( `. Z
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值% C3 V2 _8 N: M1 @, E
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
/ }6 t7 w3 y! ]集電極直流電流 IC 10-40A
% @: V. }+ O" g" b6 f集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
" E$ t; C/ U* H+ _7 }; q' L•新能源汽車用IGBT晶片及模組
% m, C0 R* k, e/ m* m3 G5 x主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
, e4 L }1 ]9 L9 x/ H0 O集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V* p: P+ t$ j2 I8 P
集電極直流電流 IC 100A 800A( p6 F) I" G& {& v; N1 I2 G- z
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
2 _( V2 U' ~9 o9 x/ {8 l三、經濟指標
$ G3 }8 h9 `# d7 @' W' V' C$ ]•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。) o! ^. P& I4 _, x$ d. @; ]6 j
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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1 R! j m. d& Q, X9 G合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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