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由於DRAM Memory之技術與產品應用(如Low voltage, high speed, high bandwidth等)進展極快,有許多機會與挑戰值得深入瞭解,有鑑於此,我們特別邀請在國際Memory產業界知名專家:沈武博士及國內相關業者專家於2月14日同針對先進記憶體、構裝與產品應用等議題作深入探討,歡迎相關人士或對此課程有興趣者報名參加! 3 {' q2 k9 C5 L/ `/ R1 X3 P
( L% m" E) B/ R7 C( D- e
主 題:先進記憶體技術產品應用發展現況及3DIC整合機會
a0 q- l7 n7 o) [指導單位:經濟部工業局 : l" u$ Q: a4 w3 F$ l! }
主辦單位:工研院資通所/電光所 ' N$ ^- M/ r* j9 K5 M" Y! u, T
時 間:100年2月14日(星期一) 9:30~12:30 (9:10開始報到) , e( ~! J* F6 a' `$ j
地 點:工研院中興院區51館2B會議室(新竹縣竹東鎮中興路四段195號) $ W( z3 C) g5 ]8 k2 Y
講 師:沈武 博士, Principal Engineer, LSI Corporation, USA 9 _' K7 k% y" L, V0 R
◎ JC42.3B Letter Committee Vice Chair at JEDEC
* K8 _* F% ~" T- S◎ Sr. Application Marketing Manager, Product Definition and Innovations at Qimonda USA # I* _+ N2 r2 R2 P
◎ Application Marketing Manager at Infineon Technologies. 9 [" H6 u+ ~- x' m# g7 y. k! |1 ^! v! s
◎ Lead System Design Engineer at HAL Computer Systems
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議 程: ) o/ b: q. t- Z8 O# A
DDR Memory (I)
: V2 N6 ?$ \ J% i$ t2 X" z4 w●Highlight of DDR3 $ V; W& ?" I* z9 L' D
●Power Ramping, Reset T( l# z& i3 d& r, t, J
●Address/Command line structure and fly-by; Read and Write leveling ( w4 U3 s7 z3 |3 g0 A
DDR Memory (II)
! z7 Z2 @1 ^7 s# B) O6 t$ a& X●Data Path ODT and Dynamic ODT Usage
$ F5 m' e! p* C5 P' _' O●Challenges on DDR3 derivatives: lower voltage (DDR3L, 1.35V) and higher speed (DDR3E, 1866/2133Mbps) |
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