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推薦Allen~裡面OP講很詳細!
" z( K: D- {4 j. O$ L P, |不過一般跑OP模擬，就要先確定每顆MOS都是在Saturation!& N: z9 |# f3 M' a/ p# A: ~$ a
然後再看你的Gain, Phase, Band Width是否足夠!1 T5 B% m* J' T& ]; Q- d) r
進而在做:
$ R5 A+ x( v' Z1.Output swing region1 h: D7 i& K& K. e2 A# T/ n
2.Offest Voltage
( m6 |( |4 {! L/ e( C) c( `9 `3.Input Common Mode Range (ICMR)0 E/ ^# [/ o6 n1 j
4.CMRR
6 @1 \- q) B/ E5 @5.PSRR+ & PSRR-8 O$ B3 P; e, x: Y4 Y* u) M3 M
6.Rising & falling time
! p2 n6 A: Q2 Z9 ^9 C6 g7.Slew Rate
7 f) R# T- `( b8 d5 d- S8.Settling time
$ ]- }* c5 W" j* S' K( \" ?: U9.Noise
0 f3 R: e. _* Q7 y10.THD
7 Q! x; X0 K7 w0 C; A* E( x' V; P" M% T8 Z
以上都作完了後，別忘了還有5種的 corner simulation，正負10%的VDD變異以及溫度0~70度的模擬，這樣才算是一個比較完整的模擬內容。 |
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狗仔卡
發表於 2011-5-20 12:07:51
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