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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。
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6 ~& _3 B* D1 x* E/ ?- Y6 V; n特性和優勢8 s" [. K6 d+ F5 o
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• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。9 K( ]4 w5 e$ k# @$ I% M
• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能; w* X$ ^9 G1 p2 @2 T! n" `
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)" i' u0 `* W7 s3 S# h1 @# w% _ r* \' ?
• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。
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快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。
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價格:訂購1,000個8 \! Q H8 g( s: W0 l9 `+ d
FDMF6708N 每個1.86美元
6 V- c1 Q$ S' z! s [) K- u7 {供貨: 按請求提供樣品) Q, e8 V( C, z; x5 V4 L: Q1 n& y
交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
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