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主要規格5 [9 ^- s& O8 y+ B) F9 t. I
. y" o) ]0 T% K• 低導通電阻:18.4mΩ : l( e5 f. z, o, w) Y, T( k
• 低工作電壓:0.75V " c) z% S I t0 O7 S4 q
• 低待機電流:0.6UA[4]
; V0 c6 l, ~/ s• 反向電流阻隔電路
* Q3 v3 [9 P0 i$ \6 S; H• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
3 J( S$ \* p0 L u* K6 t• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) 7 M, @) ^9 n5 U, t
: t8 ]9 r) Y. I4 T9 Z; n \/ D注
( r6 e; T& w5 m6 }7 I[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。; g& c# X) D: I$ T1 _
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。
. O1 v8 }$ M$ D3 t$ _7 ` e[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。$ J! `- g% _* I; C7 Y
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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