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主要規格
: m; e$ K, Z0 a) }5 J7 ?% z# P( B
: m, Z+ [3 k& K6 n( _" `) ?• 低導通電阻:18.4mΩ
2 _2 g" a2 |$ y+ N+ @• 低工作電壓:0.75V ( ^& h8 t2 |& `: ~
• 低待機電流:0.6UA[4]
4 r4 U, {, g- S B• 反向電流阻隔電路 + d- m) f* c5 G* k# w6 |
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)* \: d& E8 c+ j) l8 g
• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) : ?2 p5 j) B) ~
: U8 s& P+ K: C1 p
注
/ k& M7 s9 ^8 }) z3 [* R5 q[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。( h/ e$ ^% S& Z) W
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。8 V7 J. ~: v& c. m2 f% x* h" z
[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。+ j" c# J, T# l
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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