9/1『前瞻記憶體與3D IC技術發展趨勢』研討會

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　　隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進，也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸，而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制，並將取代目前的主流記憶體。

　　迎接未來4G通訊時代，下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬，以支援4G時代手機傳輸功能的需求，而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC，將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨，並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。

　　有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態，此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」，提供各界更多元的思維，搶先掌握商機。  

主辦單位： 經濟部技術處
協辦單位： ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
- i6 d6 m8 ]* C4 v時　　間： 2011/9/1(四) 13:30~16:20
地　　點： 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊)
; N- i5 k' j3 J  q5 l& k活動費用： 新台幣$500元整
報名方式： 網路報名：至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。

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時間	議程內容	主講人
13:00~13:30	迎賓報到
13:30~13:40	引言
13:40~14:30	前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢	彭茂榮/工研院IEK產業分析師
14:30~14:50	休息
14:50~15:40	3D IC新市場機會與挑戰	陳玲君/工研院IEK產業分析師