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Alchimer揭露矽穿孔阻障膜技術的重大進步;階梯覆蓋率達100%,提升填充速度和品質 高度均勻的阻障層亦可大幅低減成本,同時提升性能和可靠性
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/ K! S$ T! @+ [; ~(20110906 16:36:00)Alchimer S.A.的全新薄膜沉積技術改進,努力讓矽穿孔(through-silicon vias(TSVs))的生產更具成本效益,保證可以縮減填充沉積次數,為電子產品封裝產業帶來新的選項。
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1 `; R3 o' M4 n* v; T% y' K1 qAlchimer今日揭露,其AquiVia矽穿孔阻障層製程能夠對複雜的矽地形提供均勻、有保證的100%階梯覆蓋率,包括高深寬比的扇形側壁表面。阻障層係矽穿孔薄膜堆疊中最底層的元素之一。Alchimer的覆蓋能力前所未有,使得不需要解決阻障層的問題,令後續的沉積時間大幅縮短,成本亦會低減。
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* Q/ X8 ~' y, N8 Y2 ^0 L; a6 N覆蓋率達100%,亦會消除後續的晶種層和填充沉積過程中可能會發生的一系列覆蓋相關的性能和可靠性問題。
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& N! I6 j" w4 G& ?0 [- P: {( l, S矽穿孔技術公認是3D整合製程的核心牽動因素,可允許多晶片堆疊和互連。這是將更多運算能力、記憶和其他功能集成在極小裝置(如智慧手機、平板電腦和其他便攜式電子產品)內的理想解決方案。
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7 g4 U; }9 L8 D5 k6 y# F2 Q4 n9 i階梯覆蓋率係矽穿孔底部的金屬化薄膜的厚度與頂部或平面薄膜厚度的比率。 |
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