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[問題求助] CMOS工艺下bandgap 负温度系数器件,为什么使用PNP管而不是用二极管?

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1#
發表於 2012-2-8 16:02:57 | 顯示全部樓層
其實也是有的。8 u' Z" Y. G1 z# g* R! A% w) ^

3 D# B, J2 o5 J) q- v有一些Paper就是用Diode,或是NPN。: p) u, N' L" i8 i8 I( p

2 O! b! C0 p& Q4 n: }而會用PNP 是因為早期CMOS製程中,只能寄生等效PNP電路。
0 T- F+ s3 Z( n0 |1 M* a3 j7 P8 b& d1 B
其中的寄生等效Diode會有Latch-up的問題。
+ j+ S& j" c) l4 ^: }0 W
2 P9 y' B. O" p" k# E這是製程受限的關係,比較先進的製程就沒這種問題了。
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