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[問題求助] corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??

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發表於 2012-6-9 18:56:12 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???
$ e. u; t) k4 [# j9 d0 K0 U                                                                                
0 Y# p+ ^) A" V# e3 n/ B. J有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
發表於 2012-6-13 02:22:51 | 顯示全部樓層
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)  ~0 i  M* g( Q- t; U4 L

: i5 _1 G' Q0 |1 A% e( f! Z, V( w8 PSS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P9 v, S2 a& ?! B1 h1 G0 A8 R

9 H4 |/ @, z8 B. V4 k不知道這樣說明對不對 請前輩指教
發表於 2012-6-26 10:25:27 | 顯示全部樓層
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
發表於 2012-8-9 23:52:23 | 顯示全部樓層
tt ss ff sf  fs  , 前n後p
7 `5 I, O+ n3 p( b  p! |8 o8 W1 q指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
發表於 2012-9-20 16:58:04 | 顯示全部樓層
工艺角,   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
發表於 2012-9-27 07:41:28 | 顯示全部樓層
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異,所以希望在各種情況都模擬嗎?
發表於 2012-9-27 09:42:23 | 顯示全部樓層
工艺上的误差容限范围。
發表於 2012-10-9 12:47:07 | 顯示全部樓層
学习了呵呵~~~~~~~    !!
發表於 2012-10-24 01:54:46 | 顯示全部樓層
學到先n後p2 ~: T+ K/ P; h7 W9 Z( S8 e0 B
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
發表於 2012-10-25 07:09:26 | 顯示全部樓層
nmos pmos& r' g2 f- x! X8 k) r

8 {$ M0 `. U9 g  Vslow, typical, fast
發表於 2012-12-5 03:17:00 | 顯示全部樓層
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
' T! p5 z/ e1 e1 M/ U
0 U! Y' y9 ?& X- f! R8 Q. ZThe art of analog layout, 8 [# ]# K% ~' N6 W
Semiconductor Devices: Physics and Technology,+ C9 ~. w/ k3 p/ o
至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
發表於 2013-4-8 22:41:31 | 顯示全部樓層
受益良多 感謝各位大大
發表於 2013-7-17 20:21:44 | 顯示全部樓層
typical-typical (TT)
8 p. d% {) d$ Gfast-fast (FF)
0 w! S  p! d+ T7 F5 Oslow-slow (SS)
* D' h. T' n/ ~/ ]fast-slow (FS)
* P! @3 A2 g+ ^! tslow-fast (SF)
發表於 2022-8-15 12:44:40 | 顯示全部樓層
受益良多 感謝各位大大" Y$ f) x) L  L
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