何謂STI effect?

ada1973

由於STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填入二氧化矽當絕緣層。這個在substrate挖出溝槽的動作會產生應力的問題，由於FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距離不同，應力對MOS的影響也不同。所以當擁有相同的Gate Length和Gate Width的兩個MOS，因為擴散區長度不同造成其電流不同。