何謂STI effect?

Helena67

在同一半導體基板上製做複數個元件時，元件之間不應造成相互的影響(=寄生效應)，因此必須在電氣上加以分離，這也就是所謂的元件分離(isolation)。元件的分離技術上雖有許多種，以下就其中的LOCOS與STI做簡單說明:
LOCOS為Local Oxidation of Silicon(矽局部氧化法)的簡稱。首先使矽(Si)與氧(O2)在高溫下反應，形成名為襯墊氧化層的二氧化矽層(SiO2)，這個SiO2層在之後的熱處理中具有緩和熱失真的效果。
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STI則為Shallow Trench Isolation(淺溝分離法)的簡稱，與LOCOS相同，先形成氧化層與氮化層，依次除去分離區域部分中的氮化層與襯墊氧化層，並在其正下方的矽中掘一道淺溝(Trench)，將矽基板暴露於高溫的氧氣中，再淺溝的內壁形成一層薄氧化層，其次，使硅烷氣體與氧氣反應，堆積出一層厚的氧化層將淺溝與以填補，使基板表面平坦化，將殘餘的氮化層予以去除，便可獲得埋設於矽基板表面上的分離用氧化層，由於STI較LOCOS之方法能夠獲得更為平坦的表面，能夠實現細微的分離幅度，分離能力高，因而為現今較先進的元件分離方式。  以上取錄自"圖解半導體"第十四章-86頁的部分內容~希望可以幫到你~
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