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[問題求助] 電容充電時間計算

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1#
發表於 2013-1-28 19:24:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
如圖~假如一個電流源對電容充電,用一顆mos當開關去切換
- p2 x- R  @6 q% H# a: |+ h2 g6 {7 Y; i2 C
讓電壓呈現如右邊那樣曲線上升,要如何計算這段階梯狀的時間會多久?

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發表於 2013-1-31 17:47:30 | 只看該作者
本帖最後由 card_4_girt 於 2013-1-31 06:04 PM 編輯 ; x1 L1 Q2 X& q, ~
( f6 ]0 K0 |' K6 O
關於你的電路,希望你能夠加一個極大的電阻跟電容並聯,不然當開關沒導通的時候電容變浮接,輸出就不穩定了
( X( o3 d2 {3 l我把我的作法跟算法整理成下面的檔案,你參考一下/ K6 x" F: E8 K

! D$ [/ V" Q' \; j9 b/ K+ I; D4 a. o0 m; n3 A. a2 O/ I
另外也提供用hspice跑的設計檔8 {; j$ w) ?  s/ P( P+ O. z% Z
7 e$ E' |4 ~% w, V* ]

  f9 n4 M, [; h1 ?7 E: p1 J你也可以用NMOS並聯電容,只是我沒有把它用式子整理出來,因為NMOS不一定能提供如文件中這麼大的並聯電阻,所以放電的速度會快很多,但也比最原始的電路更能感覺電容有在充電
2 ~( m2 H* k8 v9 F. ^* ^) P( J" D1 B* G
還有文件中提到的相關網站. P6 e8 B; C+ M: n3 Y
1. 算導通電阻: http://www.ee.ed.ac.uk/~afm/teac ... /STATIC/index18.htm5 U3 F, L' {6 Z4 b6 |9 t% x
2. 算電容充電: http://electronics.stackexchange ... r-consumed-by-a-cpu" P5 M( c" J" z2 P! V) X

9 m# ^: k+ E! X至於樓上的算法,其實我一開始也有這樣想,不過因為這裡輸入不是定電壓,可能沒辦法直接帶入求得充電時間
. W4 r2 U, U* P5 ^1 L! k也許可以用電流平均值代替,不過後來還是使用自己的作法,當然樓上的想法你也可以試試看
/ i5 _; `  ^2 ]* s2 q這裡提供的只是一個簡單算出充電所需的最少時間而已,如果一定要非常精準,可能要考慮其他非理想因素: u. m( ?% ]9 l5 T$ c* F
3 E0 U$ N8 B0 }* z7 C, U
希望對你有幫助5 e6 n) V1 Y6 l' V: f$ M4 H

& P; K4 K' ]4 x9 H% g. Z( m& V補充內容 (2015-1-18 09:24 AM):
4 \% Y: H! u  W此資料僅個人自以為是的作法,可能不太正確,大家參考就好

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12#
發表於 2015-8-8 09:04:23 | 只看該作者
& k& v, @: N9 z. K- H, F
資料真完整,感謝版大分享
11#
發表於 2015-2-26 23:38:13 | 只看該作者
資料真完整,感謝大大分享。
10#
發表於 2015-1-16 16:31:46 | 只看該作者
card_4_girt 發表於 2013-1-31 05:47 PM( W+ f- U" x' A" ]2 X
關於你的電路,希望你能夠加一個極大的電阻跟電容並聯,不然當開關沒導通的時候電容變浮接,輸出就不穩定了 ...

, Y* B' E. S& u2 B% ~; m資料真完整,感謝大大分享。
. A) t  j: G( p; A6 I
9#
發表於 2014-12-15 23:43:33 | 只看該作者
這裡高手真多
8 `5 \# n0 Q5 C! T3 j見識到了
8#
發表於 2013-4-21 23:01:57 | 只看該作者
学习一下学习一下学习一下学习一下
7#
發表於 2013-2-27 00:27:24 | 只看該作者
电容电压能突变么,,,,,
6#
發表於 2013-2-22 19:21:49 | 只看該作者
關於你的電路,希望你能夠加一個極大的電阻跟電容並聯,不然當開關沒導通的時候電容變浮接,輸出就不穩定了 ...- `% q! E- y' e. ~) g
card_4_girt 發表於 2013-1-31 05:47 PM
' v3 T# h1 M) z. j) [. R; h

" g& _6 [7 Q% R  u* T# o( p& t( D& O
感謝你提供這個完整的資料,,,,,,,,
5#
發表於 2013-2-4 18:17:05 | 只看該作者
電容的充放電的time constant是5倍的RC
1 E6 N* l5 p6 c6 E  E電容的電壓在初期會呈現以linear特性增加,當電壓昇至約4倍多的RC time constant時,就會以近似飽和的特性在增加
& A& {2 @4 G" ]$ U! q2 D8 `; @  z- Y7 l而且,你的電路中是串接兩個PMOS形成cascode形式,這種方式需注意你的bias voltage和supply voltage設計的range為何,當電容電壓愈昇愈高時, PMOS的Ron電阻會逐漸受到bias voltage的影響,時間的計算上會更不精準,建議先用一個理想的電壓源先計算一次,然後再把cascode PMOS的方式再套入模擬比較一下,確認bias voltage會否卡住
4#
 樓主| 發表於 2013-2-4 15:19:08 | 只看該作者
回復 3# card_4_girt
. Y% @+ l( U. x( \. _: C
$ p1 t2 Z0 S5 s) n
0 J* _) P7 P3 J+ e8 o9 a& m    感謝你的回答~我會好好的研究一下~~~感謝你提供這個完整的資料 ^_^
2#
發表於 2013-1-31 12:24:56 | 只看該作者
C*V=I*t ,C是電容值,V是在t時間的電壓變化量,I是PMOS流的電流.
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