不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

想請問各位大大
7 z7 D1 b) i* D5 O" @* r: s1 d
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)

7 h3 ?5 |7 ~: e+ p還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
" Y% ~; N8 Y+ v, N
小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
# h* F! y# y2 \1 _9 f
但是有約有50mV的偏移。
4 M" v2 }! p4 F$ U  a
7 }* o) I% H8 n# y4 W2 R
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
3 F; H' S+ f4 ^5 E/ z' h想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

2 R) y# B& T+ v
# ~+ f1 S( Z$ M5 E1 Y, @恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
9 j# Y$ _( G  Y+ U都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
$ [: e# |" `1 K- b- g頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣